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[发明专利]将MPLS隧道接合－延伸到用户接口-CN03127803.5无效
发明人：利萨·赛廷;劳·瓦德拉曼尼;池·特兰;纳塔莉·拉姆赛;袁故 -专利权人：阿尔卡塔尔公司
申请日： 2003-08-08 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H04L29/02 文献下载
摘要：依照本发明，通过接合，多协议标记交换(MPLS)隧道从入口路由器延伸到入口用户接口，以及从出口路由器延伸到出口用户接口。通过从路由器延伸MPLS隧道到用户接口，接合用于向用户提供两个接口之间的虚拟租用线路。同样，依照本发明，两个域之间的隧道可以“接合”到一起。
mpls 隧道接合延伸到用户接口

[发明专利]具有延伸到甲板外面的活动悬臂的海上平台-CN200580051819.X有效
发明人： J·路登伯格;D·B·韦宁;J·R·海茨马 -专利权人： ITREC有限责任公司
申请日： 2005-10-11 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： E02B17/00 文献下载
摘要：上述悬臂具有操作端(4a)和内端(4b)，所述操作端(4a)延伸到甲板外面处于悬臂的伸展位置，而上述内端(4b)与操作端(4a)相对。另外上述悬臂在悬臂的纵向方向上具有一个或多个悬臂支承轨道(10)。系统还包括支承轨道延伸部分(6b′)，所述支承轨道延伸部分(6b′)用于每个悬臂支承轨道，能通过与悬臂支承轨道定位一致使悬臂支承轨道在悬臂的内端处延伸，用于增加悬臂支承轨道的长度并由此增加悬臂的纵向可达到范围的目的
具有延伸到甲板外面活动悬臂海上平台

[实用新型]一种延伸到掌部的平板鞋用气囊垫-CN201721915034.9有效
发明人：洪传猛 -专利权人：石狮市永兴鞋材有限公司
申请日： 2017-12-31 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： A43B17/02 文献下载
摘要：一种延伸到掌部的平板鞋用气囊垫，属服装鞋帽技术领域并由上垫体、下垫体和气囊构成，上垫体由片状材料制作成为后端圆弧形、前端顺脚型曲线延伸到脚掌部前端、前边向下弯曲成斜坡状的平板结构，上垫体的上面还有大小和形状有差异的多道条形横向凹槽，下垫体由片状材料制作成分为底面和围边的结构，底面为对应上垫体形状的平面状并对应凹槽处有横向条形凸台的结构，围边的下边连接在底面的上面并沿底面周边的边沿向上延伸成前低后高的弧面围边结构，下垫体通过围边的上沿以及凸台的上平面连接到上垫体的下边沿和凹槽的下面
上垫体下垫体气囊片状材料气囊垫底面凸台鞋用掌部底面周边服装鞋帽横向凹槽横向条形连通空间平板结构曲线延伸围边结构向上延伸向下弯曲一体结构凹槽处脚掌部平面状上平面下边沿斜坡状圆弧形延伸吹塑弧面制作模具下边

[实用新型]一种延伸到弓部的鞋后跟平板气囊垫-CN201721916125.4有效
发明人：洪传猛 -专利权人：石狮市永兴鞋材有限公司
申请日： 2017-12-31 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： A43B13/20 文献下载
摘要：一种延伸到弓部的鞋后跟平板气囊垫，属服装鞋帽技术领域并由上垫体、下垫体和气囊构成，上垫体由片状材料制作成为后端圆弧形、前端顺脚型曲线延伸到脚弓部、前边向下弯曲成斜坡状的平板圆角结构，上垫体的上面还有大小不等的五道条形横向凹槽，下垫体由片状材料制作成分为底面和围边的结构，底面为对应上垫体形状的平面状并对应凹槽处有横向条形凸台的结构，侧边的下边连接在底面的上面并沿底面两侧和后边的边沿向上延伸成弧面的类U形结构，下垫体通过侧边和后边的上沿以及凸台的上平面连接到上垫体的下边沿和凹槽的下面
上垫体下垫体气囊底面片状材料气囊垫鞋后跟侧边弓部凸台大小不等服装鞋帽横向凹槽横向条形连通空间曲线延伸向上延伸向下弯曲一体结构圆角结构凹槽处脚弓部平面状上平面下边沿斜坡状圆弧形类U形延伸吹塑制作模具下边

[发明专利]用于将通信信任链延伸到客户机应用的技术-CN201380080501.9有效
发明人： A·沙立维;J·沃克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G06F21/30 文献下载
摘要：各实施例总体上涉及用于在两个计算设备之间形成安全通信的技术，其中，那些通信的信任链被延伸到由这两个计算设备中的一个计算设备执行的特定的应用例程。
用于通信信任延伸到客户机应用技术

[实用新型]一种辐射面延伸到侧面的标签微带天线-CN202121236105.9有效
发明人：吴甘;沈晓 -专利权人：嘉兴金领电子有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种辐射面延伸到侧面的标签微带天线，用于全面被读写器读取，包括天线基体层、天线辐射层和天线地面层，所述天线辐射层和所述天线地面层分别位于所述天线基体层相对的两侧，并且所述天线辐射层和所述天线地面层分别与所述天线基体层固定连接本实用新型公开的一种辐射面延伸到侧面的标签微带天线，其将辐射面延伸到天线基体层的侧面，可实现RFID标签在金属标签工作且提高低仰角增益使不同角度都可以被读写器读取到。
一种辐射延伸到侧面标签微带天线

[发明专利]具有涡旋端塞的吸入器-CN201780068601.8在审
发明人： C·J·格兰特;G·聚贝;D·桑纳;G·塞奇;J·沃勒;N·梅隆切利 -专利权人：菲利普莫里斯生产公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： A61M15/00 文献下载
摘要：一种吸入器制品包含沿着纵向轴线从衔嘴端延伸到远端的主体及限定在所述主体内的胶囊腔。衔嘴空气通道从所述胶囊腔延伸到所述衔嘴端。端盖安置在所述远端内并延伸到所述胶囊腔。所述端盖从端盖远端延伸到端盖内端。所述端盖包含从所述端盖远端延伸到所述端盖内端的空气通道。所述空气通道不与所述纵向轴线平行。
端盖空气通道胶囊腔延伸衔嘴远端纵向轴线吸入器端塞内端涡旋平行安置

[发明专利]具有多层互连结构的半导体器件以及制造该器件的方法-CN200410031712.6无效
发明人：井口学;松本明;小室雅弘 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2004-03-24 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种具有多层互连结构的半导体器件，包括芯片半导体衬底，位于芯片半导体衬底上的多个层间绝缘层，位于芯片半导体衬底上的电路部件，以及多个壁，这些壁延伸到层间绝缘层中，并沿着芯片半导体衬底的周边部分排列，以便这些壁包围电路部件上子壁延伸到一个层间绝缘层中，并进一步延伸到位于上子壁所延伸到的那个层之下的另一个层间绝缘层中。下子壁延伸到一个位于上子壁所延伸到的那个层之下的层间绝缘层中。每个上子壁的下部能延伸到下子壁的相应上部中。
具有多层互连结构半导体器件以及制造器件方法

[发明专利]跨乘型车辆-CN201610875835.0有效
发明人：林三评;沈明泽;蔡政廷;廖崇本;林义杰;谢金育 -专利权人：雅马哈发动机株式会社
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： B62J6/02 文献下载
摘要：在本发明的跨坐型车辆中，左灯外壳包含：左灯外壳突出部；左灯外壳上延长部，其从所述左灯外壳突出部朝向上方延伸到比头灯外壳的左侧部更上方，且延伸到后方；及左灯外壳下延长部，其从所述左灯外壳突出部朝向下方延伸到比所述头灯外壳的所述左侧部更下方，且延伸到后方。右灯外壳包含：右灯外壳突出部；右灯外壳上延长部，其从所述右灯外壳突出部朝向上方延伸到比所述头灯外壳的右侧部更上方，且延伸到后方；及右灯外壳下延长部，其从所述右灯外壳突出部朝向下方延伸到比所述头灯外壳的所述右侧部更下方，且延伸到后方。
跨乘型车辆

[发明专利]具有超深的压缩深度的强化玻璃-CN201580055869.9在审
发明人： J·艾敏;B·O·艾吉伯伊;J·D·佩桑斯基;K·B·雷曼;R·V·鲁斯夫;B·P·斯特林纳斯 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C03C21/00 文献下载
摘要：化学强化玻璃制品具有至少一个深的压缩层，所述深的压缩层从制品表面延伸到玻璃制品内至少约125μm的压缩深度DOC。压缩应力曲线包括从表面延伸到压缩深度DOC的单线性区段或单线性部分。或者，压缩应力曲线可以包括从表面延伸到较浅深度的额外部分，以及从该浅深度延伸到压缩深度的线性部分。
具有压缩深度强化玻璃

[发明专利]半导体器件-CN200810213683.3无效
发明人：鹰巢博昭 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：在该半导体器件中，从外部连接端延伸到ESD保护元件的互连包括多个金属互连层，以使得从外部连接端延伸到ESD保护元件的互连的电阻小于从ESD保护元件延伸到内部元件的互连的电阻。从ESD保护元件延伸到内部元件的互连包括数量上等于或小于从外部连接端延伸到ESD保护元件的互连中所用的那些互连层的金属互连层。
半导体器件

[发明专利]闸流晶体管及其制造方法-CN200610149386.8无效
发明人：艾曼纽尔·索塞多－夫劳斯;戴维·M·科尔伯特森 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2006-11-16 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：一种闸流晶体管和一种用于制造闸流晶体管的方法，该闸流晶体管包括：栅极区，其从一主表面延伸到半导体衬底中；和阳极区，其从第二主表面延伸到半导体衬底中。阴极区延伸到栅极区的一部分中。可选地，增强掺杂区延伸到栅极区和阳极区中。具有高度H_G的台结构由第一主表面形成，具有高度H_A的台结构由第二主表面形成。栅极区在半导体衬底的第一主表面下方延伸，且其垂直延伸到半导体衬底中大于高度H_G的距离。阳极区在半导体衬底的第二主表面下方延伸，且其垂直延伸到半导体衬底中大于高度H_A的距离。
晶体管及其制造方法

[发明专利]一种外补强条延伸到外阀口的包装袋-CN201711261404.6在审
发明人：吴刚;司徒达肯 -专利权人：四川新明峰包装科技有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： B65D33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种外补强条延伸到外阀口的包装袋，包括袋体，所述袋体的上下两端分别设置有上底与下底，所述下底设有灌注阀口，所述灌注阀口与袋体的内部连通，所述灌注阀口包括筒状的阀体，所述阀体包括内藏部与外延部本发明通过将外补强条从底部延伸到了阀口的外延部，使得外延部的强度更大，避免了在灌装的时候阀口的破损发生。
一种外补强条延伸到外阀口装袋

[发明专利]具有延伸到导热电介质片外的导电层的芯片载体-CN201710947225.1有效
发明人： A·格拉斯曼;W·哈布莱;J·赫格尔;A·凯斯勒;I·尼基廷;A·施特拉斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：其包括导热电绝缘片(102)、位于所述片(102)的第一主表面上的第一导电结构(104)和位于所述片(102)的第二主表面上的第二导电结构(106)，其中，所述第一导电结构(104)和所述第二导电结构(106)延伸到所述片
具有延伸到导热电介质导电芯片载体

[实用新型]一种外补强条延伸到外阀口的包装袋-CN201721666347.5有效
发明人：吴刚;司徒达肯 -专利权人：四川新明峰包装科技有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： B65D33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外补强条延伸到外阀口的包装袋，包括袋体，所述袋体的上下两端分别设置有上底与下底，所述下底设有灌注阀口，所述灌注阀口与袋体的内部连通，所述灌注阀口包括筒状的阀体，所述阀体包括内藏部与外延部本实用新型通过将外补强条从底部延伸到了阀口的外延部，使得外延部的强度更大，避免了在灌装的时候阀口的破损发生。
外补强外延部袋体灌注阀本实用新型包装袋外阀口阀口阀体内藏延伸内部连通上下两端灌装筒状破损伸出

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