专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果505448个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]山坡轨基机器人系统-CN201410692250.6在审
  • 施国樑 - 上海长语信息科技有限公司
  • 2014-11-25 - 2015-04-01 - A01B51/00
  • 山坡轨基机器人系统,包括底盘、计算机自动控制装置、通讯模块和监控器,其特征是含有设置于底盘上的基架、布置于基架上的光伏电池部件、山坡轨基机器人连接界面、与外界的电气连接界面和设置于底盘上并与山坡上一组两个连续曲线上、下平面移动界面分别连接的上、下轮组总成。本发明的有益效果包括:可以在所述山坡轨基机器人的连接界面上连接各种山坡轨基机器人作业模块,实施各种宽幅宽跨距作业,包括实施耕地播种浇灌施肥采摘挖掘收割作业和实施土木工程改造山坡建筑田坝平整土地增加农地产出
  • 山坡机器人系统
  • [发明专利]一种用于钻铣加工的平界面多晶金刚石复合材料-CN201910993884.8有效
  • 贺端威;杨缤维 - 成都比拓超硬材料有限公司
  • 2019-10-18 - 2021-12-14 - B22F7/04
  • 本发明公开了一种用于钻铣加工的平界面多晶金刚石复合材料,包括金刚石层和硬质合金基体,所述金刚石层厚度为2mm~10mm,金刚石层与硬质合金基体接触面为平面接触,晶金刚石层与硬质合金基体的接触界面平整度达本发明提供的平界面多晶金刚石复合材料技术,可以有效消除界面处的应力集中,显著提高材料的均匀性,避免在界面处的多晶金刚石层中形成钴的富集区,以及在金刚石复合片的高温高压烧结过程中发生金刚石晶粒的异常长大等缺陷;大量的实验及应用实例表明,用于钻铣加工的平界面多晶金刚石复合材料,在刀具成型效率、刃口精度、使用寿命等方面,相比于传统异形界面多晶金刚石复合材料,均可提高30%以上。
  • 一种用于加工界面多晶金刚石复合材料
  • [外观设计]带车辆智能控制图形用户界面的显示屏幕面板-CN202230616313.5有效
  • 高宇霞;蒙小行;胡月平;李冰;邹梓玲;李建代 - 雷沃工程机械集团有限公司
  • 2022-09-19 - 2023-02-28 - 14-04
  • 1.本外观设计产品的名称:带车辆智能控制图形用户界面的显示屏幕面板。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于显示图像。3.本外观设计产品的设计要点:在于图形用户界面。5.本图形用户界面可以使用现有的显示屏幕面板,显示屏幕面板无设计要素,省略后视图、左视图、右视图、俯视图、仰视图。6.图形用户界面的用途:本申请的界面主要用于控制工程机械设备进入相应模式并显示其工作状态信息,例如:控制挖掘机的运行并显示相关信息。7.图形用户界面的人机交互方式:在主视图界面中部点击任意图标按钮,均可进入其他图形用户界面,进行相应的系统操作与设置;进入其他图形用户界面时,主视图右下角的按键为返回图标按键,点击返回图标按键,可返回主界面或返回当前页面的上一界面8.显示屏幕面板可用于挖掘机、装载机、掘进机、推土机、铲运机、平地机、起重机、压路机、钻孔机、打桩机、破碎锤、平整机、凿岩机。
  • 车辆智能控制图形用户界面显示屏幕面板
  • [发明专利]自对准金属硅化物的形成方法-CN201410625361.5在审
  • 肖天金 - 上海华力微电子有限公司
  • 2014-11-07 - 2015-02-18 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种自对准金属硅化物的形成方法,通过两步退火工艺,并在第二次退火工艺中引入氢的同位素气体,利用氢的同位素气体与气氛中的微量氧气发生反应来消除氧气,防止金属硅化物被氧化,从而减少或避免金属硅化物的表面缺陷(如金字塔状),形成形貌平整和均匀性良好的金属硅化物;引入的氢的同位素气体中该同位素原子能进入到金属硅化物和硅衬底的界面处,并与Si结合成新的难以断裂的键,从而修复和减少界面处的缺陷,改善界面态(Dit)。
  • 对准金属硅形成方法
  • [发明专利]自对准金属硅化物的形成方法-CN201410624243.2在审
  • 肖天金 - 上海华力微电子有限公司
  • 2014-11-07 - 2015-01-28 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种自对准金属硅化物的形成方法,通过两步退火工艺,并在第一次退火工艺中引入氢的同位素气体,利用氢的同位素气体与气氛中的微量氧气发生反应来消除氧气,防止Ni等金属层被氧化,从而减少或避免金属硅化物的表面缺陷(如金字塔状),形成形貌平整和均匀性良好的金属硅化物;引入的氢的同位素气体中该同位素原子能进入到金属硅化物和硅衬底的界面处,并与Si结合成新的难以断裂的键,从而修复和减少界面处的缺陷,改善界面态(Dit)。
  • 对准金属硅形成方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top