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- [发明专利]气体质量流量控制器-CN202010900168.3在审
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王振东;陈正堂;赵迪
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北京七星华创流量计有限公司
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2020-08-31
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2020-11-27
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G05D7/06
- 本发明实施例提供一种气体质量流量控制器，用于检测流经工艺腔室的气体流量，包括相互独立的流量检测模块和流量调节模块，以及控制模块，其中，流量检测模块设置在工艺腔室的进气端，用于检测该工艺腔室的进气端处的气体流量值，并发送至控制模块；流量调节模块设置在工艺腔室的出气端，用于调节工艺腔室的出气端处的气体流量；控制模块用于根据流量检测模块检测到的气体流量值和流量设定值，控制流量调节模块调节工艺腔室的出气端的气体流量，以使流经工艺腔室的气体流量等于流量设定值。本发明实施例提供的气体质量流量控制器，不仅可以提高控制精度，尤其可以保证温度敏感型气体的流量精度，而且便于拆装和维护。
- 气体质量流量控制器
- [发明专利]在半导体制造中工艺气体的流量控制-CN01810258.1有效
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L·奥利维尔
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帕克－汉尼芬公司
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2001-02-22
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2003-07-23
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G05D7/06
- 半导体制造中用于控制工艺气体的分批输送的一种流量控制系统和方法。其中该流量控制系统可于输送周期内在输送一批工艺气体的流动模式下和或者非流动模式下运行。在启动输送后，于测量周期测量该系统基准容积中气体的压降，同时中断从工艺气体源到基准容积的工艺气体的流动，并且继续以被控制流量从该系统向半导体制造设备输送工艺气体。在测量周期基准容积中的压降的速率被用于确定实际的流量。当实际流量不符合输送的指定流量时，在后继的输送周期内调节了被控制流量，在该后继的输送周期内输送了另一批工艺气体。在包含高达20个装置的流量控制系统组中，节省了重要的空间。
- 半导体制造工艺气体流量控制
- [发明专利]半导体工艺方法和半导体工艺设备-CN202310212773.5在审
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刘成法
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天合光能股份有限公司
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2023-03-03
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2023-06-30
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H01L31/18
- 本发明提供一种半导体工艺方法，包括预沉积步骤和其后至少进行一次的工艺沉积步骤，预沉积步骤包括：以第一流量向工艺腔室中通入预设工艺气体，并使预设工艺气体热分解，以在工艺腔室内部结构的表面沉积形成预沉积层；工艺沉积步骤包括：以第二流量向工艺腔室中通入预设工艺气体，并使预设工艺气体热分解，以在晶圆的表面沉积形成工艺膜层；第一流量大于第二流量。在本发明中，预沉积步骤中通入预设工艺气体的第一流量大于工艺沉积步骤中通入预设工艺气体的第二流量，从而使致密的附着膜层与石英结构的表面之间间隔一层与石英件贴合不紧密且疏松的预沉积层，延长了石英件的使用寿命，本发明还提供一种半导体工艺设备。
- 半导体工艺方法工艺设备
- [实用新型]一种碳化硅化学气相沉积设备-CN201420532828.7有效
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戴煜;胡祥龙;周岳兵
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湖南顶立科技有限公司
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2014-09-17
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2015-01-14
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C23C16/32
- 本实用新型提供了一种碳化硅化学气相沉积设备，包括：化学气相沉积室；与所述化学气相沉积室相通的惰性气体进气管道；与所述化学气相沉积室相通的工艺气体进气管道，所述工艺气体进气管道包括：与所述化学气相沉积室相通的混合装置，分别与所述混合装置相连通的第一、第二、第三和第四工艺气体进气管道；每一路工艺气体进气管道上都依次设置有控制阀门、体积流量计和质量流量控制器。本实用新型首先采用体积流量计对每一路工艺气体的流量实现初步控制，再采用质量流量控制器对各路工艺气体的流量实现精确控制，从而实现了碳化硅化学气相沉积工艺的高精度控制。
- 一种碳化硅化学沉积设备
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