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[发明专利]用于封装片上超声的方法和设备-CN201980045060.6有效
发明人：刘建伟;基思·G·菲费 -专利权人：蝴蝶网络有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01N29/22 文献下载
摘要：片上超声可以耦接至再分布层以及耦接至中介层。包封体可以包封片上超声装置，并且第一金属柱可以延伸穿过包封体并且电耦接至再分布层。第二金属柱可以延伸穿过中介层。中介层可以包括氮化铝。第一金属柱可以电耦接至第二金属柱。印刷电路板可以耦接至中介层。
用于封装超声方法设备

[发明专利]嵌入磁阻式随机存取存储器的电路选择器-CN201910881023.0在审
发明人：冯雅圣;陈禹钧;邱久容 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开一种嵌入磁阻式随机存取存储器的电路选择器，其主要包含晶体管且该晶体管包含源极/漏极端耦接于第一磁性穿隧接面(magnetic tunneling junction,MTJ)以及第二MTJ，栅极端以及漏极/源极端耦接于电压源。第一MTJ包含第一自由层、第一阻障层以及第一固定层，其中第一自由层耦接于源极/漏极端且第一固定层耦接于第一电路。第二MTJ则包含第二自由层、第二阻障层以及第二固定层，其中第二固定层耦接于源极/漏极端且第二自由层耦接于第二电路。
嵌入磁阻随机存取存储器电路选择器

[发明专利]用于形成地板覆盖物的地板元件、地板覆盖物和用于制造地板元件的方法-CN202080059512.9在审
发明人：拉胡尔·保特基;克劳迪奥·卡塞利 -专利权人：达陶公司
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： E04F15/02 文献下载
摘要：一种用于形成地板覆盖物的地板元件，其中，地板元件包括由陶瓷材料制成的装饰层、具有渗透装饰层的下表面的树脂材料的中间层、以及布置在装饰层下方的支撑层，其中，支撑层包括设置有耦接元件的边缘，该耦接元件配置为实现与相邻地板元件的耦接元件的机械耦接
用于形成地板覆盖元件制造方法

[发明专利]磁阻式随机存取内存电路-CN200410004285.2有效
发明人：林文钦;邓端理;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-02-12 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种磁阻式随机存取内存电路，包括下列组件，磁阻式记忆单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层；一限流装置，其第一极耦接于自由磁轴层；开关装置耦接于固定磁轴层的一端，并具有一控制闸；第一选取线耦接于限流装置的第二极；第一编程线耦接于固定磁轴层的另一端，用以于执行编程动作时提供编程电流以及于读取动作时提供读取电流；第二编程线耦接于开关装置；第二选取线耦接于控制闸，用以提供致能信号以导通开关装置
磁阻随机存取内存电路

[实用新型]磁阻式随机存取内存电路-CN200420049600.9无效
发明人：林文钦;邓端理;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-04-22 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种磁阻式随机存取内存电路，包括下列组件，磁阻式记忆单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层；一限流装置，其第一极耦接于自由磁轴层；开关装置耦接于固定磁轴层的一端，并具有一控制闸；第一选取线耦接于限流装置的第二极；第一编程线耦接于固定磁轴层的另一端，用以于执行编程动作时提供编程电流以及于读取动作时提供读取电流；第二编程线耦接于开关装置；第二选取线耦接于控制闸，用以提供致能信号以导通开关装置
磁阻随机存取内存电路

[发明专利]显示面板及显示装置-CN201810266833.0在审
发明人：黄北洲 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板及显示装置，显示面板，包括像素结构，包括多个像素组，像素组包括：第一开关，其第二端耦接第一主像素；第二开关，其第二端耦接第一子像素；第三开关，其第二端耦接第一子像素；第一电容，一端耦接第三开关的第一端，另一端耦接公共电极；第四开关，其第二端耦接第二主像素；第五开关，其第二端耦接第二子像素；第六开关，其第二端耦接第二子像素；第二电容，一端耦接第六开关的第一端，另一端耦接公共电极。第一，第二和第六开关耦接第n扫描线，第三，第四和第五开关耦接第n+1扫描线，第一，第二电容包括第一金属层，介质层和第二金属层。
耦接子像素显示面板电容公共电极显示装置第一端扫描线像素组主像素第二金属层第一金属层第一开关像素结构介质层申请

[实用新型]一种磁吸充电支架-CN201821382996.7有效
发明人：徐萍 -专利权人：徐萍
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁吸充电支架，其技术方案要点是，包括支架本体，支架本体包括底座、连接杆和第一固定盘，第一固定盘从内到外依次套接固定有第一导电层、第一绝缘层、第二导电层和磁铁层；第二固定盘，第二固定盘从内到外依次套接固定有第三导电层、第二绝缘层和第四导电层；其中，第一导电层和第三导电层贴合，第四导电层与磁铁层、第二导电层贴合；USB连接线的接头与车上的USB接口耦接，导线正极与第一导电层耦接，负极与第二导电层耦接；手机充电线的接头与手机的充电口耦接，导线正极与第三导电层耦接，负极与第四导电层耦接；本实用新型旨在提供一种磁吸充电支架，能够使手机充电更加便捷，同时在充电时，更好地对手机固定。
导电层耦接固定盘第二导电层第一导电层充电支架磁吸绝缘层本实用新型负极导线正极套接固定支架本体磁铁层手机贴合充电技术方案要点手机充电线充电口连接杆底座

[发明专利]磁随机存取存储器及其制造和驱动方法-CN03147175.7无效
发明人：柳寅儆;朴玩浚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-07-08 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：该磁随机存取存储器(MRAM)包括：与双极结晶体管(BJT)的发射极耦接的位线；与BJT耦接的磁性隧道结(MTJ)层；耦接MTJ层的字线；与BJT耦接以与MTJ层隔开的极板线；以及形成在组元之间的层间介电层MTJ层耦接到BJT的基极和集电极，极板线耦接集电极，且在MTJ层中储存的数据的读出操作中用于放大数据信号的放大单元耦接位线。因为位线由金属形成且采用BJT，由MOS晶体管的电阻导致的串联电阻效应和其它元件的寄生电阻可最小化，允许数据自MTJ层中准确读出。与采用MOS晶体管的MRAM相比，具有BJT的MRAM导致更高集成度且可使用具有低MR率的MTJ层。
随机存取存储器及其制造驱动方法

[其他]半导体封装件及功率模块-CN201790000891.8有效
发明人：林承园;全五燮;孙焌瑞;钟马尅;欧拉夫·兹施昌 -专利权人：快捷半导体公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：半导体封装件的实施方式可包括：第一基底，所述第一基底具有耦接在第一金属层与第二金属层之间的第一介电层；第二基底，所述第二基底具有耦接在第三金属层与第四金属层之间的第二介电层。第一管芯可与第一电间隔件耦接，所述第一电间隔件耦接在所述第一基底与所述第二基底之间的空间中并与所述第一基底和所述第二基底耦接，并且第二管芯可与第二电间隔件耦接，所述第二电间隔件耦接在所述第一基底与所述第二基底之间的空间中并与所述第一基底和所述第二基底耦接
基底耦接间隔件半导体封装件功率模块介电层金属层第二金属层第一金属层第二管管芯申请

[发明专利]显示装置-CN201911134692.8有效
发明人：方孝真 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：公开了一种显示装置，其包括散热层，该散热层被设置在显示面板的底面上并且被配置成在耦接至散热层的底面的引导面板中形成其中容纳有电路板的耦接槽，以通过设置在引导面板上的引导保持器将电路板附接至耦接槽中和从耦接槽中拆卸电路板
显示装置

[发明专利]三维芯片之不连续型态层识别编号检测器及其方法-CN201010231041.3有效
发明人：陈铭斌;张孟凡;吴威震 -专利权人：张孟凡
申请日： 2010-07-19 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明是一种三维芯片之不连续型态层识别编号检测器及其方法。所述检测器是一种用于N层堆栈组件之每一层之三维芯片检测器，包括：一除二电路，耦接一(N-1)讯号；一第一比较器，耦接除二电路，其中一输入A耦接一初始层数讯号，第一比较器之一输入B耦接除二电路之一输出；一第二比较器，藉由第二比较器之一输入A而耦接初始层数，一num耦接第二比较器之一输入B；一第一加减电路，藉由第一加减电路之一输入A而耦接num，藉由第一加减电路之一输入B而耦接第一比较器，并藉由第一加减电路之一输入“+/-”讯号而耦接第二比较器；以及一第二加减电路，藉由第二加减电路之一输入A而耦接第一比较器，藉由第二加减电路之一输入B而耦接num。
三维芯片连续型态层识别编号检测器及其方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器电路-CN200410000196.0有效
发明人：林文钦;邓端理;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-01-06 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种磁阻式随机存取存储器电路，包括下列组件：磁阻式存储单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。第一开关装置是耦接于固定磁轴层的一端，并具有第一控制闸。第二开关装置是耦接于自由磁轴层，并具有第二控制闸。位元线是耦接于第二开关装置，用以于读取动作时提供读取电流。第一编程线是耦接于固定磁轴层的另一端，用以于执行编程动作时提供编程电流。第二编程线是耦接于第一开关装置。字符线是耦接于第一控制闸以及第二控制闸，用以提供致能信号以导通第一开关装置以及第二开关装置。
磁阻随机存取存储器电路

[实用新型]磁阻式随机存取存储器电路-CN200420049602.8无效
发明人：林文钦;邓端理;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-04-22 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种磁阻式随机存取存储器电路，包括下列组件：磁阻式存储单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。第一开关装置是耦接于固定磁轴层的一端，并具有第一控制闸。第二开关装置是耦接于自由磁轴层，并具有第二控制闸。位元线是耦接于第二开关装置，用以于读取动作时提供读取电流。第一编程线是耦接于固定磁轴层的另一端，用以于执行编程动作时提供编程电流。第二编程线是耦接于第一开关装置。字符线是耦接于第一控制闸以及第二控制闸，用以提供致能信号以导通第一开关装置以及第二开关装置。
磁阻随机存取存储器电路

[发明专利]电路板-CN201010242441.4无效
发明人：罗世飘;白家南;许寿国 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2010-08-02 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种电路板包含一第一信号层、一第二信号层及一控制芯片，第一信号层设有耦接一第一电子元器件的第一对焊盘及耦接一第二电子元器件的第二对焊盘；第二信号层设有一第三至第八对焊盘，第三对焊盘与所述第二对焊盘对应耦接，第七对焊盘与第五对焊盘耦接，第六对焊盘与第一对焊盘对应耦接，第八对焊盘耦接一第三电子元器件；当将第三及第四对焊盘耦接时，控制芯片输出的信号对传输至第二电子元器件，当将第四及第五对焊盘耦接，且将第六及第七对焊盘耦接时，信号对传输至第一电子元器件，当将第四及第五对焊盘耦接，且将第七及第八对焊盘耦接时，信号对传输至第三电子元器件。
电路板

[发明专利]用于形成地板覆盖物的地板元件、地板覆盖物以及用于制造地板元件的方法-CN202180032068.6在审
发明人：克劳迪奥·卡塞利;拉胡尔·保特基 -专利权人：达陶有限责任公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： E04F15/08 文献下载
摘要：一种用于形成地板覆盖物的地板元件，该地板元件包括：包括陶瓷材料的装饰层、包括树脂材料的中间层以及布置在装饰层下方的支撑层，其中，支撑层包括设置有耦接元件的边缘，该耦接元件被配置成与相邻地板元件的耦接元件实现机械耦接
用于形成地板覆盖元件以及制造方法

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