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[发明专利]基于主机层和容器层的两层式容器集群弹性扩容方法-CN201810846155.5有效
发明人：彭扬;刘源;张睿 -专利权人：北京友普信息技术有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于主机层和容器层的两层式容器集群弹性扩容方法，涉及资源计算技术领域。该方法提出了一个云上容器集群资源可伸缩的调度方案，在对容器进行统一调度时，如果发现集群资源不足时，能够通过该方法的基于资源负载情况计算出扩充节点的个数，再通过调用云服务商的API进行节点的创建从而达到主机层的自动弹性伸缩，再结合RC本身对Pod个数的控制，从而实现在主机层和容器层的统一弹性伸缩，有利于容器集群的整体调度和管理。
基于主机容器两层式集群弹性扩容方法

[发明专利]掩膜层的刻蚀方法、刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法-CN201110391678.3有效
发明人：凯文皮尔斯 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种掩膜层的刻蚀方法，该掩膜层至少包括中间掩膜层与有机物掩膜层；该掩膜层采用等离子体干法刻蚀，刻蚀过程中施加等离子射频激励电压以产生等离子体；所述掩膜层的刻蚀包括步骤：首先以图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀下方的中间掩膜层，形成图形化的中间掩膜层；接着施加脉冲式偏置射频电压并以图形化的中间掩膜层为掩膜刻蚀下方的有机物掩膜层，形成图形化的有机物掩膜层；其中等离子射频激励电压的频率高于所述脉冲式偏置射频电压的频率。本发明还提供了掩膜层的刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法。采用本发明提供的技术方案，实现条件简单且成本低。
掩膜层刻蚀方法装置介质

[发明专利]吸附层块的输送方法、吸附层块输送用容器及吸附层块-CN201210445580.6无效
发明人：池上真一;后藤博树;森本启太 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： B01D53/06 文献下载
摘要：本发明提供一种吸附层块的输送方法、吸附层块输送用容器及吸附层块，其能够轻松地进行吸附层块相对于容器的取出放入。在容纳用于形成收容废气处理用的吸附材料的吸附塔的吸附层块（1）的容器（2）的底部内表面设置能够使吸附层块（1）的下端部滑动的滑动板（23），且能够沿水平方向取出放入所述吸附层块（1），一边使吸附层块（1）在该滑动板（23）上滑动，一边沿水平方向进行取出放入，能够在降低吸附层块（1）与容器（2）之间的摩擦的状态下，轻松地进行吸附层块（1）相对于容器（2）的取出放入。
吸附输送方法容器

[发明专利]平坦的金属层间介电层或内层介电层的制造方法-CN98121448.7无效
发明人：林庆福 -专利权人：世大积体电路股份有限公司
申请日： 1998-10-30 - 公布日： 2000-03-22 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种在一基底上的一下层金属内连线结构上方形成金属层间介电层或内层介电层的方法包括在该基底上形成一金属层;在金属层上形成一抗反射涂层;在抗反射涂层上形成一硬掩模;对金属层、抗反射涂层以及硬掩模构图,以形成该金属内连线结构;在该金属内连线结构上方形成一第一介电层在该第一介电层上进行一化学机械研磨步骤,直到裸露出该硬掩模;以及在该第一介电层以及该硬掩模上形成一第二介电层。
平坦金属层间介电层内层介电层制造方法

[实用新型]复合层、包含该复合层的铺贴结构及制作复合层的模板-CN202220991026.7有效
发明人：吴宵翔;吴昊;黄晨;闫张烨;郑克楠;刘芳芸;张与晨;杨帆;吕程;台巍 -专利权人：北京市住宅产业化集团股份有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： E04F13/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了复合层、包含该复合层的铺贴结构及制作复合层的模板,复合层呈回字形，面砖层与衬板层通过黏结层连接，衬板层包含多个衬板单元；铺贴结构呈回字形，其从内到外依次设置有结构层、保温层和复合层，结构层、保温层和复合层通过连接转换件连接；用于制作复合层的模板上设置的一对横向支撑板与一对纵向支撑板连接呈矩形；纵向支撑板远离模板支撑底板边缘的一侧设置有承插凸板，横向支撑板与纵向滑道滑动连接，纵向支撑板与横向滑道滑动连接
复合包含结构制作模板

[发明专利]气体扩散层，气体扩散层的布置结构和制造气体扩散层的方法-CN200680016000.4无效
发明人： A·赫尔博德;K·撒拉玛;D·赖贝尔;K－D·瓦格纳;A·波克;S·瓦格纳 -专利权人：卡尔弗罗伊登柏格两合公司
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种气体扩散层，该气体扩散层包括至少两个相互作用连接的功能区域(2a，2b)，其中第一功能区域(2a)具有多孔结构，而第二功能区域(2b)设计成稳定区。这种气体扩散层实现这样的目的，即，提供一种系统，该系统可以在优化燃料电池效率的情况下实现燃料电池毫无问题的运行。此外，本发明还涉及一种包含两个气体扩散层的布置结构和一种用于制造气体扩散层的方法，所述布置结构和方法也可实现所述目的。
气体扩散布置结构制造方法

[发明专利]传感器封装及包括所述传感器封装的传感器封装模块-CN201811441594.4有效
发明人：李镇宇 -专利权人：海成帝爱斯株式会社
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明提供一种传感器封装以及一种传感器封装模块。所述传感器封装包括：衬底，包括感测区域；端子部分，设置在所述衬底的所述感测区域的一侧上且包括连接到外部的至少一个端子；第一外壁，设置在所述衬底上且包括环绕所述感测区域的至少一些外侧部分的主壁；至少一条配线
传感器封装包括模块

[发明专利]封装可变长度分组的方法及相关数据分组封装器和去封装器-CN03136505.1无效
发明人：欧文·A·C·希克斯;埃德温·A·P·兰戈;蒂姆·吉塞尔因斯 -专利权人：阿尔卡塔尔公司
申请日： 2003-05-21 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H04L12/56 文献下载
摘要：通过将异步传输模式(ATM)兼容的、5个八位字节长分组报头(PACKET－HDR)附加到每个数据分组，封装可变长度数据分组。该分组报头的第五个八位字节构成报头错误校验字段(HEC)。
封装可变长度分组方法相关数据

[发明专利]封装的密封方法、电子器件模块的制造方法、密封装置和封装品-CN01117315.7无效
发明人：尼子淳;梅津一成;棚谷英雄 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2001-03-10 - 公布日： 2002-01-02 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：通过粘接构件固定贮存晶体振子的筐体和由激光可透过的材料构成的盖体,通过盖体向粘接构件照射激光而使粘接构件熔化,用粘接构件接合筐体和盖体。
封装密封方法电子器件模块制造装置

[发明专利]硅溶胶/硅丙纳米核壳复合乳液及其制备方法-CN201410488382.7在审
发明人：庞起;梁春杰;巫朝剑;窦玉忠;覃爱苗;张利芳 -专利权人：玉林师范学院
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： C08F292/00 文献下载
摘要：在壳层丙烯酸酯聚合反应时，引入乙(丙)烯基有机硅烷，使其与丙烯酸酯单体在新生复合乳胶粒壳层发生主链共聚，形成含有一定量疏水性高键能有机硅链段，得到硅溶胶/硅丙纳米核壳复合乳液。可广泛应用于高档建筑涂料、纺织品处理剂、粘合剂、电子封装材料、金属防护涂料等多种涂料领域。
硅溶胶纳米复合乳液及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸高导热金刚石/铜复合板箱型孔轧制的方法-CN201410431568.9在审
发明人：王开坤;付金龙;段凯悦;王淑娴 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：所述方法具体步骤如下：将表面镀铜的金刚石颗粒均匀地装入到外径为2.5-3.5mm的薄壁铜管内；将铜管堆垛在上下两层薄铜板之间成一束，并将两层铜板侧边焊接制成预制体；将制备好的预制体通过多道次的箱型孔冷轧制备的金刚石/铜复合板金刚石颗粒体积分数为55-65％，热导率可以达到400W/(m·K)以上，在电子封装领域具有广泛的应用前景。
一种尺寸导热金刚石复合板箱型孔轧制方法

[发明专利]基于1553B总线的控制计算机-CN201410853703.9在审
发明人：梅员;赵海波;邓洪峰 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：总线采用后走线方式连接A型连接器J1、B22型连接器J2、1553B的A通道和B通道接口，后走线通过B22型连接器J5和现场可编程门阵列FPGA完成1553B总线的起始位、校验位产生和指令应答1553B协议层的封装，1553B接口驱动电路和变压器电路完成1553B总线的物理层链接。
基于 1553 总线控制计算机

[发明专利]一种扇出型方片级半导体三维芯片封装工艺-CN201410351841.7在审
发明人：陈峰 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种扇出型方片级半导体三维芯片封装工艺，有效保证了加工尺寸最大化，提升了产能、降低了制作成本，抵消了由于材料之间性能差异造成的翘曲、涨缩等问题，降低了工艺制作的难度，步骤：承载片上制作对准标记；承载片上覆盖临时键合材料；在承载片上贴装芯片；涂覆第一类绝缘树脂覆盖芯片；第一类绝缘树脂上开窗露出焊盘；光刻胶显露出的图形区中形成电镀线路；保留电镀线路和电镀线路底部的种子层；第一类绝缘树脂覆盖电镀线路，在第一类绝缘树脂上贴装芯片；第一类绝缘树脂覆盖芯片形成焊盘；形成电镀线路；形成多层芯片堆积结构；在第二类绝缘树脂上形成焊盘；芯片的上面增加保护层，在焊盘上形成焊球；分割成多层堆积的芯片。
一种扇出型方片级半导体三维芯片封装工艺

[发明专利]一种改进的扇出型方片级三维半导体芯片封装工艺-CN201410351431.2在审
发明人：陈峰 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种改进的扇出型方片级三维半导体芯片封装工艺，保证了加工尺寸最大化，提升了产能、降低了制作成本、解决了制造过程中翘曲等因素的影响，其包括以下步骤：在承载片上制作对准标记；在承载片上覆盖临时键合材料，临时键合材料上贴合导热材料；导热材料上贴装芯片，芯片背面或导热材料上涂覆有粘结胶；在承载片上涂覆第一类绝缘树脂；在第一类绝缘树脂上开窗，形成导通孔；光刻胶显露出的图形区中形成电镀线路；去除种子层电镀线路和电镀线路底部以外的种子层
一种改进扇出型方片级三维半导体芯片封装工艺

[发明专利]具有多种电容量的电容器-CN201510257394.3在审
发明人：杜红炎;陈仁政;孙淑英 -专利权人：北京元六鸿远电子技术有限公司
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01G5/011 文献下载
摘要：本发明提供的一种具有多种电容量的电容器，包括电介质片、外电极和内电极，所述电介质片上印制有内电极，所述电介质片交互层叠设置，其中奇数层的电介质片为第一电介质片，偶数层的电介质片为第二电介质片，所述第一电介质片上的内电极和/或第二电介质片上的内电极至少分为不导通的两段电极，将所述第一电介质片和所述第二电介质片上的每段电极分别引出形成端电极，将所述端电极封装形成外电极。
具有多种容量电容器