专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]传送控制装置、存储控制装置、以及具有上述传送控制装置的PLC-CN201080063389.4有效
  • 日置荣太郎 - 三菱电机株式会社
  • 2010-02-09 - 2012-10-24 - G06F13/38
  • 本发明的传送控制装置的特征在于,具有:数据存储存储,其写入数据;多个数据复制存储,其对写入至所述数据存储存储数据进行复制;非读出复制存储选择单元,其在所述多个数据复制存储中,选择1个没有进行数据读出数据复制存储存储复制单元,其将写入至所述数据存储存储中的数据,向所述非读出复制存储选择单元所选择的数据复制存储中复制;读出复制存储选择单元,其在所述多个数据复制存储中,对所述存储复制单元复制了数据数据复制存储进行选择;以及数据输出单元,其从所述读出复制存储选择单元所选择的数据复制存储读出数据,向传送单元输出。
  • 传送控制装置存储器以及具有上述plc
  • [发明专利]存储装置-CN201680089201.0有效
  • 荒屋朋子;本间充祥 - 铠侠股份有限公司
  • 2016-09-23 - 2023-08-22 - G11C16/06
  • 存储装置具备:第一存储单元和与第一存储单元相邻的第二存储单元;以及序列发生,在从第一存储单元读出数据的情况下,对第二存储单元进行第一读出,对第一存储单元进行第二读出,对第二存储单元的栅极施加与第二读出时不同的电压,并对第一存储单元进行第三读出,基于第一~第三读出的结果生成存储于第一存储单元的第一数据和用于对第一数据进行修正的第二数据
  • 存储装置
  • [发明专利]半导体集成电路和存储系统-CN202211102640.4在审
  • 田中笃志 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-09-09 - 2023-04-21 - G11C16/04
  • 实施方式提供了一种用于测试对象装置的廉价半导体集成电路和存储系统。半导体集成电路包括写入测试电路和读出测试电路。写入测试电路生成测试数据并将所生成的测试数据发送到外部存储设备,而不将测试数据储存在本地存储设备中。读出测试电路从外部存储设备接收所述外部存储设备通过读出测试数据而获得的读出数据,并且将接收到的读出数据与期待值进行比较,而不将读出数据或期待值储存在本地存储设备中。
  • 半导体集成电路存储器系统
  • [发明专利]利用硬件自动擦除存储中的纠错码差错的方法和装置-CN95193216.0无效
  • M·A·冈扎里斯;T·J·霍尔曼;P·F·施托尔特 - 英特尔公司
  • 1995-05-23 - 2004-04-21 - G06F11/10
  • 用于在检测到从存储读出数据的可校正差错时自动地擦除存储中的ECC差错的方法和装置。这是藉助于在存储控制(MC)中提供了:用于对存储的存取进行控制的存储控制逻辑、用于检测从存储读出数据的差错并校正在该读出数据中发现的任何可校正差错的ECC差错检测及校正单元、用于存储从ECC差错检测及校正单元输出(72,64)的被校正读出数据的第一数据缓冲以及其输入端与第一数据缓冲的输出端连接且其输出端与存储连接的回写通道等来完成的。一旦检测到从特定存储单元读出数据的可校正差错,ECC差错检测及校正单元就向存储控制逻辑指出在读出数据中存在可校正差错。存储控制逻辑然后专门对第一数据缓冲和回写通道进行控制,以便控制将被校正读出数据写到回写通道上并且随后写入存储
  • 利用硬件自动擦除存储器中的纠错码差错方法装置
  • [发明专利]行缓冲电路、图像处理装置、和图像形成装置-CN200910129764.X有效
  • 石仓知弥 - 夏普株式会社
  • 2009-03-26 - 2009-09-30 - H04N1/60
  • 本发明涉及行缓冲电路、图像处理装置、和图像形成装置。在进行对单端口存储写入数据的写入处理时,将由数据连接部连接的规定像素量的数据一并写入到单端口存储,在进行从单端口存储读出数据读出处理时,从单端口存储一并读出规定像素量的数据,在进行规定像素量的数据对单端口存储的写入处理后,在用于写入单端口存储的接下来的规定像素量的数据被输入前,进行从单端口存储读出数据读出处理。由此,可以提供一种能以高速进行读出动作和写入动作而不增大电路规模的行缓冲电路。
  • 缓冲器电路图像处理装置形成
  • [发明专利]行缓冲电路、图像处理装置、和图像形成装置-CN201110193811.4有效
  • 石仓知弥 - 夏普株式会社
  • 2009-03-26 - 2011-10-12 - H04N1/32
  • 本发明涉及行缓冲电路、图像处理装置、和图像形成装置。在进行对单端口存储写入数据的写入处理时,将由数据连接部连接的规定像素量的数据一并写入到单端口存储,在进行从单端口存储读出数据读出处理时,从单端口存储一并读出规定像素量的数据,在进行规定像素量的数据对单端口存储的写入处理后,在用于写入单端口存储的接下来的规定像素量的数据被输入前,进行从单端口存储读出数据读出处理。由此,可以提供一种能以高速进行读出动作和写入动作而不增大电路规模的行缓冲电路。
  • 缓冲器电路图像处理装置形成
  • [发明专利]存储测试电路和存储测试方法-CN200510079461.3无效
  • 薮田匡史 - 株式会社东芝
  • 2005-06-23 - 2006-01-18 - G11C29/00
  • 本发明提供缩短存储测试时间的存储测试电路和存储测试方法。存储测试电路备有生成期望值数据存储测试电路生成器、以可以并行传送来自多个存储存储读出数据的方式分别连接的捕获寄存;对每个捕获寄存比较多个捕获寄存的输出和期望值数据的比较电路;识别多个比较电路中检测出不一致的比较电路的识别电路;存储来自检测出不一致的存储存储读出数据和识别存储存储识别信息的读出寄存;和串行地读出检测出不一致的存储读出数据存储识别信息,与检测出不一致的存储的存取信息对应串行地输出的输出寄存
  • 存储器测试电路方法

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