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[发明专利]介质多层滤光器-CN200610169017.5有效
发明人：寺田佳之 -专利权人：株式会社村上开明堂
申请日： 2006-12-07 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：提供产生减小入射角相关性的作用并具有宽反射带的介质多层滤光器、如IR截止滤光器和红光反射二向色滤光器。第一介质多层薄膜30在透明衬底28的正面形成，以及第二介质多层薄膜32在透明衬底28的背面形成。第一介质多层薄膜30的反射带的宽度W1设置成比第二介质多层薄膜32的反射带的宽度W2更窄。第二介质多层薄膜32的反射带的较短波长侧边沿的半值波长E2_L设置在第一介质多层薄膜30的反射带的较短波长侧边沿处的半值波长E1_L与较长波长侧边沿处的半值波长E1
介质多层滤光

[发明专利]高导电性无机、金属掺杂多层结构透明导电薄膜的制备方法-CN201310515806.X有效
发明人：郭晓阳;刘星元 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2013-10-28 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01B1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种高导电性无机、金属掺杂多层结构透明导电薄膜的制备方法。本发明采用无机半导体材料和金属材料的混合物作为介质层制备的介质/金属/介质多层结构透明导电薄膜。通过改变无机半导体材料和金属材料的混合比例实现对介质/金属/介质多层结构透明导电薄膜功函数的有效调节，解决了一种无机半导体材料作为介质层的多层结构透明导电薄膜功函数单一的问题，大大增加了介质层材料的选择范围本发明的高导电性无机、金属掺杂多层结构透明导电薄膜具有较高的可见光透过率以及较低的面电阻；由于其表面功函数可调，因此可满足更多光电器件对透明电极的要求，更有利于介质/金属/介质多层结构透明导电薄膜在不同结构光电器件中的应用
导电性无机金属掺杂多层结构透明导电薄膜制备方法

[发明专利]基于空气耦合超声的薄膜面密度测量方法及测量系统-CN201910681242.4在审
发明人：米源;吴大伟;李晓牛;刘威;曹腾;张园豪;陈韦岑 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G01N29/11 文献下载
摘要：本发明公开一种基于空气耦合超声的薄膜面密度测量方法及测量系统，其中方法包括测量激励信号在空气中传播得到的第一衰减信号的能量；测量所述激励信号经过多层介质薄膜后得到的第二衰减信号的能量，多层介质薄膜位于空气耦合超声换能器的信号发射换能器和信号接收换能器之间；根据第一衰减信号和第二衰减信号的能量差异，计算多层介质薄膜的测量位置聚焦点处的面密度值；变换空气耦合超声换能器的位置，重复执行上述步骤，得到多层介质薄膜不同测量位置聚焦点处的面密度值，通过取平均值得到多层介质薄膜的面密度利用本发明基于空气耦合超声手段测量多层弹性介质薄膜面密度，有利于实现涂炭铝箔表面碳层涂覆质量的无损、快速评价，提高制备质量和制备效率。
多层介质薄膜空气耦合衰减信号薄膜面超声超声换能器测量位置测量系统激励信号密度测量测量换能器聚焦点制备弹性介质快速评价铝箔表面能量差异信号发射信号接收重复执行多层碳层涂覆无损传播

[发明专利]介质谐振器装置-CN97114194.0无效
发明人：日高青路;松井则文;久保田和彦;伊势智之 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 1997-12-11 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： H01P7/10 文献下载
摘要：一种介质谐振器装置有一个介质体。各电极分别形成在介质体的上下表面上。介质谐振器装置垂直于介质体上下表面谐振。介质体上的各电极是通过交替层叠薄膜电极层和薄膜介质层而形成的一多层薄膜电极。把多层薄膜电极层夹在其中的各薄膜介质层用作一介质谐振器。多层薄膜电极起到多个介质谐振器的一层叠结构的作用。因此，电流分布在多个薄膜电极层上，由此可减轻介质体表面上的电流集中。
介质谐振器装置

[发明专利]一种基于多层结构设计的PVDF/PI复合电介质薄膜的储能性能优化方法-CN202211438200.6在审
发明人：张月;何鑫;迟庆国 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B29D7/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多层结构设计的PVDF/PI复合电介质薄膜的储能性能优化方法，属于电介质储能材料技术领域，此发明是为了解决现阶段介质击穿强度偏低、储能密度较低的问题。本发明采用溶液流延法、以及热压等工艺，以PVDF作为极化层、PI作为绝缘层制备多层电介质薄膜。其中一种复合多层薄膜结构顶层、底层材料为PVDF，中间层材料为PI，另外一种复合多层薄膜作反对称结构。上述两种薄膜通过进行高温热压等处理，制备致密均匀的复合多层薄膜。本发明提供的复合介质兼具优异的储能密度和效率、具有良好的介电常数，击穿场强620 kV/mm、储能密度为14.6 J/cm3、效率为62.2%。本发明提高了聚合物基复合介质的介电性能、储能性能，在电介质储能领域具有广阔的应用前景。
一种基于多层结构设计 pvdf pi 复合电介质薄膜性能优化方法

[发明专利]基于滤光器的光谱分析模组及分析方法-CN202010994723.3在审
发明人：孙志军 -专利权人：厦门脉驰科技有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明公开基于滤光器的光谱分析模组和分析方法，滤光器阵列中的各个滤光器单元设有衬底，衬底上面有多层介质薄膜结构和金属图案层，多层介质薄膜结构设有至少2层介质薄膜层，其中至少有一层相较其它层具有更高的折射率；金属图案层是呈一维或二维周期性排布的块状金属薄膜结构单元构成的阵列结构，多层介质薄膜结构中与金属图案层最相邻的介质薄膜层在多层介质薄膜结构中具有较低的折射率；采用上述方案后本发明制备工艺简单、滤光器具有带宽很窄的透射通带
基于滤光光谱分析模组分析方法

[实用新型]一种基于滤光器的光谱分析模组-CN202022081158.X有效
发明人：孙志军 -专利权人：厦门脉驰科技有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于滤光器的光谱分析模组，滤光器阵列中的各个滤光器单元设有衬底，衬底上面有多层介质薄膜结构和金属图案层，多层介质薄膜结构设有至少2层介质薄膜层，其中至少有一层相较其它层具有更高的折射率；金属图案层是呈一维或二维周期性排布的块状金属薄膜结构单元构成的阵列结构，多层介质薄膜结构中与金属图案层最相邻的介质薄膜层在多层介质薄膜结构中具有较低的折射率；采用上述方案后本实用新型制备工艺简单、滤光器具有带宽很窄的透射通带
一种基于滤光光谱分析模组

[发明专利]金属介质周期薄膜构成的全角度透射滤光片-CN200810060305.6无效
发明人：张锦龙;刘旭;郭婷;沈伟东 -专利权人：浙江大学
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属介质周期薄膜构成的全角度透射滤光片。它包括玻璃基板、介质薄膜、金属薄膜，在玻璃基板上间隔设有多层介质薄膜和多层金属薄膜，其中第一层和最后一层均为介质薄膜，介质薄膜厚度为55～80nm、金属薄膜厚度为25～45nm，第一层和最后一层介质薄膜的厚度为介质薄膜厚度的二分之一本发明采用传统的多层薄膜构建新型全角度透射滤光片，利用能带理论中的平色散等频线的概念拓宽了滤光片的入射角范围，使一维金属介质周期结构薄膜滤光片具备全角度的特性。
金属介质周期薄膜构成角度透射滤光

[实用新型]GaN电子器件-CN201520910457.6有效
发明人：周华芳 -专利权人：成都嘉石科技有限公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种GaN电子器件，其包括由下自上依次形成的SiC衬底层、GaN缓冲层、GaN通道层、AlN空间层、AlGaN势垒层、GaN帽层和多层介质膜，GaN帽层上形成有栅极、源极和漏极，栅极位于源极和漏极之间，栅极嵌入多层介质膜与GaN帽层接触，多层介质膜覆盖至少部分源极和漏极，其中，多层介质膜为三层结构或双层结构，三层结构为由下自上的SiN薄膜、SiO₂薄膜和SiN薄膜，两层SiN薄膜均具有张应力，SiO₂薄膜具有压应力，双层结构为两层SiN薄膜，两层SiN薄膜均具有张应力。
gan 电子器件

[发明专利]集成多层光学薄膜的超导TES单光子探测器和制备方法-CN201911334712.6有效
发明人：张文;李佩展;耿悦;钟家强;王争;史生才 -专利权人：中国科学院紫金山天文台
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10N60/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成多层光学薄膜的超导TES单光子探测器，包括依次层叠的介质基板、第一多层光学薄膜、第二多层光学薄膜，第一多层光学薄膜、第二多层光学薄膜构成用以吸收光子信号的光学腔体；所述第一多层光学薄膜包括交替层叠的两层金膜和两层钛膜，由下至上分别被定义成第一薄膜、第二薄膜、第三薄膜、第四薄膜，其中附着在介质基板表面的第一薄膜为钛膜，通过调节第二薄膜和第三薄膜的相对厚度以调整单光子探测器的临界温度。
集成多层光学薄膜超导 tes 光子探测器制备方法

[发明专利]干涉光调制器及显示装置-CN201010126163.6有效
发明人：郑炳昊;奥利格·普鲁德尼科夫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：该显示装置包括金属薄膜以及与金属薄膜间隔开的电介质多层薄膜。显示装置可以通过改变金属薄膜与电介质多层薄膜之间的间隔来实现颜色，并可以通过施加电压到每个各自的子像素来实现黑色。
干涉调制器显示装置

[发明专利]用于图像芯片的光学滤波器-CN201210265348.4有效
发明人：顾培夫;艾曼灵;金波;陶占辉;李冰霞 -专利权人：杭州科汀光学技术有限公司
申请日： 2012-07-28 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于图像芯片的光学滤波器，它包括基板和镀在该基板上的滤波多层膜，滤波多层膜是由电介质薄膜和金属薄膜交替组成的5层以上的奇数层膜，且滤波多层膜的两端均为电介质薄膜；电介质薄膜在可见光区中心波长的折射率大于2.3，金属薄膜在可见光区中心波长的实部折射率小于0.1、虚部折射率大于3.0。由于这种电介质薄膜和金属薄膜交替组成的滤波多层膜可使光线入射角引起的透射-截止过渡区的波长漂移减小，因此可以不必使用特殊的蓝玻璃基板或蓝塑料基板来制造图像芯片的滤波器，而代之以普通的透明光学玻璃或光学塑料
用于图像芯片光学滤波器

[发明专利]多层薄膜结构和使用多层薄膜结构的相移器件-CN201910378158.5在审
发明人：李政烨;金容诚;金材官;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：提供了一种多层薄膜结构和使用多层薄膜结构的相移器件。多层薄膜结构包括交替堆叠的至少一个结晶防止层和至少一个电介质层。至少一个结晶防止层包括非晶材料，并且至少一个结晶防止层的厚度小于至少一个电介质层的厚度。
多层薄膜结构使用相移器件

[发明专利]一种高灵敏度表面等离子体共振传感器-CN201010210397.9无效
发明人：郑铮;姜宇;卞宇生;刘娅;朱劲松 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2010-06-28 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种高灵敏度表面等离子体共振传感器，该传感器依次由透明电介质基底(2)、低折射率介质薄层(3)和高折射率介质薄层(4)交替组成的多层介质层以及金属薄膜层(5)组成，传感器的透明电介质基底的一侧与耦合棱镜(1)相临，金属薄膜层的一侧与被测样品(6)相临，多层介质层中的低折射率介质薄层和高折射率介质薄层的总层数为奇数，且各层厚度均不相等，与透明电介质基底和金属薄膜层相临的都是多层介质层中的低折射率介质薄层该传感器相比于传统基于单层金属薄膜层的表面等离子体共振传感器，其灵敏度显著提升，同时多层介质层结构相对简单，总厚度较小，易于加工并降低了成本，因此具有较强的实用价值。
一种灵敏度表面等离子体共振传感器

[实用新型]一种用于图像芯片的光学滤波器-CN201220370077.4有效
发明人：顾培夫;艾曼灵;金波;陶占辉;李冰霞 -专利权人：杭州科汀光学技术有限公司
申请日： 2012-07-28 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：它包括基板和镀在该基板上的滤波多层膜，所述滤波多层膜为5层以上的奇数层膜，所述滤波多层膜由在可见光区的中心波长的折射率大于2.3的电介质薄膜和在可见光区的中心波长的实部折射率小于0.1、虚部折射率大于3.0的金属薄膜交替组成，且滤波多层膜两端的最外层膜均为所述电介质薄膜。由于这种电介质薄膜和金属薄膜交替组成的滤波多层膜可使光线入射角引起的透射-截止过渡区的波长漂移减小，因此可以不必使用特殊的蓝玻璃基板或蓝塑料基板来制造图像芯片的滤波器。
一种用于图像芯片光学滤波器

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