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[实用新型]一种多糖提取浓缩罐-CN202320157558.5有效
发明人：王珊珊;付玉杰;王丹丹 -专利权人：沈阳工学院
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B01D1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多糖提取浓缩罐，具体涉及多糖浓缩技术领域，包括浓缩提取箱，所述浓缩提取箱的外部且靠近其底端位置处焊接有外围保温盖，在外围保温盖的内部插入有多个呈圆环等距分布排列的电阻加热棒，所述浓缩提取箱的上表面连通有导热保温组件本实用新型通过设置导热保温组件，通过给多个电阻加热棒实现加热，且由外围保温盖对多个电阻加热棒实现保温操作，通过给多个电阻加热棒实现加热，且由外围保温盖对多个电阻加热棒实现保温操作，有利于利用蒸汽对浓缩提取箱实现外部保温加热
一种多糖提取浓缩

[发明专利]一种闪速存储器形成方法-CN201110335194.7有效
发明人：曹子贵 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种闪速存储器形成方法，包括：形成存储单元和外围电路，所述外围电路包括电阻器，所述存储单元和电阻器同步形成。本发明的实施例在形成存储单元时，同步形成电阻器，从而减小了工艺难度，提高了工艺效率。
一种存储器形成方法

[发明专利]可变电阻式存储装置及其制造方法-CN202011420881.4有效
发明人：矢野胜 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可变电阻式存储装置及其制造方法。本发明的可变电阻式存储器，包含：多个支柱，沿着基板主表面的垂直方向延伸；多个位线，沿着水平方向延伸；以及存储单元，形成于多个支柱与多个位线的交叉处；其中，存储单元包含：栅极绝缘膜，形成于支柱的外围；半导体膜，形成于栅极绝缘膜的外围并提供沟道区域；以及可变电阻元件，形成于半导体膜的外围。可变电阻元件的外围的第一电极区域及与该第一电极区域对向的第二电极区域分别与邻接的一对位线电连接。
可变电阻存储装置及其制造方法

[发明专利]包括多个互连电阻层的集成电路电阻器件-CN201010128306.7有效
发明人：金钟源 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括多个互连电阻层的集成电路电阻器件。该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括单元区和外围电路区；第一电阻层和第二电阻层，所述第一电阻层和所述第二电阻层彼此间隔开并且顺序堆叠在外围电路区的半导体衬底上；第一插塞，所述第一插塞与第一电阻层连接；以及第二插塞，所述第二插塞与第一电阻层和第二电阻层共同连接。
包括互连电阻集成电路器件

[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法-CN202010565331.5在审
发明人：朴慧圣;裵珍宇;高荣浩;朴钟爀;尹普彦;蒋明在 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述半导体器件包括：基底，具有单元区域和外围区域；单元栅极结构，设置在单元区域上；第一杂质区域和第二杂质区域，在单元区域中分别布置在单元栅极结构的第一侧和第二侧上；位线结构，设置在单元栅极结构上并且连接到第一杂质区域；外围栅极结构，设置在外围区域上；外围盖层，设置在外围区域上，覆盖外围栅极结构，并且具有与位线结构的上端在基本上同一水平处的上表面；以及单元接触结构，设置在第二杂质区域上，并且具有导电阻挡件和位于导电阻挡件上的接触材料层，其中，导电阻挡件覆盖位线结构的上端。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种针对开关电容滤波器的相位补偿电路-CN201310004342.6无效
发明人：苏杨;刘尊建;曹彪;房建峰 -专利权人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
申请日： 2013-01-07 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H03H11/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种针对开关电容滤波器的相位补偿电路，其包括开关电容的滤波器芯片、连接在开关电容滤波器芯片外围的外围电路，所述的外围电路包括与连接在信号输入端与滤波器芯片二号引脚之间的第一电阻、连接在信号输出端与滤波器芯片十五号引脚之间的第二电阻，所述的第一电阻或第二电阻上并联有用于改变开关电容滤波器的相位值的电容。本发明通过在第一电阻或第二电阻上并联电容补偿开关电容滤波器的相位值，结构简单，可提高开关电容滤波器的相位一致性。
一种针对开关电容滤波器相位补偿电路

[实用新型]一种改良的非接触式位移传感器-CN200920041808.9无效
发明人：王磊 -专利权人：无锡市纳微电子有限公司
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：其包括基板、外围电路，其特征在于：所述基板上安装有均匀排布的巨磁电阻元件阵列，所述轨道结阵列上方安装有与巨磁电阻元件阵列平行的轨道，所述轨道上安装有激光光源，所述基板连接外围电路，所述巨磁电阻元件通过基板连接所述外围线路
一种改良接触位移传感器

[实用新型]一种降压稳压电路-CN201120263780.0有效
发明人：张君志 -专利权人：深圳市富满电子有限公司南山分公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种降压稳压电路，包括电压输入端、电压输出端、芯片外围电路元件，所述的芯片包括开关元件、控制开关元件截止或导通的触发器、比较器和基准电压源，基准电压源的基准电压输入到比较器的正端，比较器的信号输出端与振荡器的输出端分别连接在触发器的输入端，其特征在于：所述的芯片内还包括限流电阻Rsc、分压电阻R1、分压电阻R2和振荡器充放电电容CT；限流电阻Rsc、分压电阻R1、分压电阻R2以及振荡器充放电电容CT被整合到芯片内部，因此外围电路相应的减少了四个外围元件，使得电路的成本得以降低，并且使得芯片在市场上更加具有竞争力，而且外围元件的减少也可以使得制作PCB版的人工成本得以降低。
一种降压稳压电路

[实用新型]水冷电阻器-CN201620741044.4有效
发明人：鲍杰 -专利权人：蚌埠万科电子科技有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01C1/082 文献下载
摘要：本实用新型公开一种水冷电阻器，包括基体骨架，基体骨架的外围包覆绝缘层，绝缘层的外围上绕有电阻丝，电阻丝的外围涂覆耐高温绝缘涂料，耐高温绝缘涂料外部装有夹环电极，所述基体骨架为中空金属管，基体骨架的中空部为冷却水道利用水嘴根部的外螺纹配合螺母可直接安装在固定板上，省略了传统电阻上需另设固定支架，简化了安装方式。水嘴与电阻骨架呈90°设置，方便与水管的连接，避免通水软管折弯容易堵水，造成电阻失效的现象。本实用新型简化了电阻结构，提高了电阻的可靠性和安全性。
水冷电阻器

[发明专利]用于印刷电路板的层-层配准试样-CN201680055408.6有效
发明人： S·莫兰;M·C·弗雷达;K·塞特尔 -专利权人：甲骨文国际公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：公开了一种用于使用电阻测量来确定PCB的内部层的配准不良的方法和装置。在一个实施例中，一种方法包括测量包括至少一个印刷电路板PCB(15)的PCB面板(10)上的第一配准试样的第一中心端子和第一外围端子之间的第一电阻。该方法还包括测量第一配准试样的第一中心端子和第二外围端子之间的第二电阻，其中第一外围端子和第二外围端子与PCB的第一内部层相关联。然后计算第一电阻和第二电阻之间的差值。
用于印刷电路板层配准试样

[发明专利]一种自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条的装置-CN201911069415.3在审
发明人：郑荣;林日辉;邱文清 -专利权人：福建升腾资讯有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G06F1/18 文献下载
摘要：本发明提供了内存条技术领域的一种自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条的装置，包括一电源管理电路以及一外围供电电路；所述电源管理电路与外围供电电路连接；所述电源管理电路包括一电源管理芯片U27、一电阻R104、一电阻R469、一电阻R491、一电阻R494、一电阻R495、一电阻R109、一电容C399、一电容C389以及一电容C400；所述外围供电电路包括一电阻R103、一电阻R105、一电阻R86、一电阻R119、一电阻R52、一电阻R101、一电容C240、一电容C246、一MOS管Q21、一MOS管Q17、一MOS管Q25以及一二极管D15。
电阻电容内存条电源管理电路自适应匹配供电电路外围电源管理芯片供电电路连接二极管

[实用新型]一种自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条的装置-CN201921889010.X有效
发明人：郑荣;林日辉;邱文清 -专利权人：福建升腾资讯有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G06F1/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了内存条技术领域的一种自适应匹配LPDDR4内存条和DDR4内存条的装置，包括一电源管理电路以及一外围供电电路；所述电源管理电路与外围供电电路连接；所述电源管理电路包括一电源管理芯片U27、一电阻R104、一电阻R469、一电阻R491、一电阻R494、一电阻R495、一电阻R109、一电容C399、一电容C389以及一电容C400；所述外围供电电路包括一电阻R103、一电阻R105、一电阻R86、一电阻R119、一电阻R52、一电阻R101、一电容C240、一电容C246、一MOS管Q21、一MOS管Q17、一MOS管Q25以及一二极管D15。
一种自适应匹配 lpddr4 内存条 ddr4 装置

[实用新型]射频电极、射频治疗手柄及射频治疗装置-CN202021872184.8有效
发明人：雷晓兵;李亚楠;梁永生;丁毅;张苏娣 -专利权人：深圳半岛医疗有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： A61N1/32 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种射频电极、射频治疗手柄及射频治疗装置，该射频电极包括中心区和外围区，其中，外围区环绕中心区设置，中心区的电阻值大于外围区的电阻值。
射频电极治疗手柄装置

[发明专利]显示装置-CN201911343206.3在审
发明人：金书妍 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：所述显示装置包括：第一基底，包括显示区域和外围区域；端子部，设置在外围区域中；第二基底，设置在第一基底上；密封单元，位于第一基底与第二基底之间并围绕显示区域；以及第一电阻测量图案和第二电阻测量图案，第一电阻测量图案位于密封单元的上表面处，第二电阻测量图案位于密封单元的下表面处，其中，第一电阻测量图案和第二电阻测量图案中的每个电连接到端子部。
显示装置

[发明专利]断线修补线的电阻测量方法及断线修补线的电阻测量装置-CN201910330951.8有效
发明人：陈少甫 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种断线修补线的电阻测量方法及断线修补线的电阻测量装置。该断线修补线的电阻测量方法通过在显示面板的外围区中形成与断线处的一端连接的辅助图案，该辅助图案的结构与显示区中的子像素的结构相同，后续形成修补线连接断线处的两端，该修补线位于辅助图案中，使得位于显示面板的外围区中的修补线等同于位于显示面板的显示区中，测量位于外围区中的修补线的电阻值等同于测量位于显示区中的修补线的电阻值，从而有效监控修补线的电阻值，提高断线修补的成功率，进而提高显示面板良率。
断线修补电阻测量方法测量装置