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- [发明专利]半导体装置-CN200880114751.9有效
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原雅史
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丰田自动车株式会社
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2008-11-05
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2010-09-29
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H01L29/739
- 提供一种在不增大通态电阻的条件下将外围区高耐压化的半导体装置。绝缘栅双极性晶体管具有体区、保护环与集电层。体区被形成在活性区中漂移层的表层。保护环形成在外围区中漂移区的表层且包围体区。集电层形成在漂移层的背面一侧并形成为横跨活性区与外围区。保护环的背面与漂移层的背面间的距离F大于体区的背面与漂移层的背面间的距离。外围区中集电层的厚度H薄于活性区中集电层的厚度D。通过这种结构,与在活性区中相比,在外围区中向较厚的半导体层中被注入更少的载流子。因此,该绝缘栅双极性晶体管中,与在活性区中相比,能够使被注入外围区中的载流子的密度更低。即,该绝缘栅双极性晶体管能够在不增大活性区通态电阻的条件下提高外围区的耐压。
- 半导体装置
- [实用新型]一种发动机电源驱动电路-CN201420411584.7有效
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不公告发明人
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重庆金佛果电子科技有限公司
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2014-07-24
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2014-12-17
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H02M1/08
- 本实用新型公开了一种发动机电源驱动电路,其包括:厚膜集成电路及其外围电路、功率放大电路及钳位限流电路;所述厚膜集成电路及其外围电路(1)采用ICBTM57962L芯片,所述M57962L包括光耦、接口、检测电路、定时复位电路及其门关断电路;所述厚膜集成电路及其外围电路包括电阻R1、发光二极管D1、选择开关OP1、电阻R2、反相器UB1及电容C3、电容C4,所述功率放大电路包括二极管D2、D3、D4、电阻R3、三极管Q1、电阻R4-R8,三极管Q2,所述钳位限流电路包括电阻R9、电容C5及限流二极管Z1、Z2及Z3;本实用新型减小了电路体积、成本小、结构紧凑、驱动效果好、电源利用率高。
- 一种发动机电源驱动电路
- [发明专利]一种掩膜只读存储器的制造方法-CN201210507597.X在审
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于涛
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上海宏力半导体制造有限公司
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2012-11-30
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2013-02-27
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H01L21/8246
- 本发明提供一种掩膜只读存储器的制造方法,包括:提供衬底,所述衬底上定义有存储单元区和外围电路区;在所述衬底上形成未经掺杂的栅极物质层;刻蚀所述栅极物质层,形成栅极;在外围电路区域进行浅掺杂离子注入;在所述栅极和电阻两侧形成侧墙;在外围电路区域进行重掺杂离子注入;在所述衬底上形成研磨截止层;在所述研磨截止层上形成介质层;研磨所述介质层,直至暴露出所述栅极;在所述栅极上利用自对准工艺形成金属硅化物;于存储单元区写入数据。对晶体管功函数和光刻工艺的特征尺寸无不良影响,并能在外围电路区形成电阻等器件,与逻辑工艺等有良好的兼容性。
- 一种只读存储器制造方法
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