专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种Ku频段收发共用线圆极化复用馈源网络-CN201620670985.3有效
  • 詹英;阮云国;李振生;张博;曹国光;邹火儿;杜彪;张文静 - 中国电子科技集团公司第五十四研究所
  • 2016-06-30 - 2017-03-15 - H01Q15/24
  • 本实用新型涉及一种Ku频段收发共用线圆极化复用馈源网络,由Ku频段收发四端口网络和Ku频段线圆极化切换网络复合而成。Ku频段收发四端口网络包括门扭式分波头、两个U形弯波导1、两个U形弯波导2、两个宽带波导魔T、两个波导负载、两个Z形弯波导1、一个+45°扭波导、一个‑45°扭波导、一个相位补偿波导、两个Z形弯波导2和两个收发频率双工器;Ku频段线圆极化切换网络包括四个波导开关、四个E面弯波导、两个U形弯波导3、两个U形弯波导4、两个EH双面弯波导、接收频段±45°移相器、发射频段±45°移相器和两个波导魔T。本实用新型采用波导开关作为线圆极化切换部件,不仅切换迅速,到位率高,而且保证了馈源网络的气密性。同时,本实用新型具有结构紧凑,免于调试,驻波、轴比、端口隔离度等电气性能优秀的特点。
  • 一种ku频段收发共用极化馈源网络
  • [实用新型]一种新型LED外延片-CN201921614038.2有效
  • 宁如光;张银桥;潘彬;王向武 - 南昌凯迅光电有限公司
  • 2019-09-25 - 2020-11-17 - H01L33/06
  • 本实用新型公开了一种新型LED外延片,包括GaAs衬底,其中:所述GaAs衬底上依次设有缓冲层、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层、n‑AlInP限制层、n‑AlGaInP波导层、复合MQW有源层、p‑AlGaInP波导层、p‑AlInP限制层和p‑GaP电流扩展层。本实用新型中复合MQW有源层采用两种材料构成的垒,通过组分的设计来提高垒限制电子的能力,从而提高电子与空穴对在量子阱中的复合几率,进而提高发光效率。
  • 一种新型led外延
  • [发明专利]基于超传输缝隙隔膜的尖锐弯折矩形波导-CN201610693433.9有效
  • 杨锐;胡博伟;王慧;高东兴;师阿元 - 西安电子科技大学
  • 2016-08-19 - 2019-05-07 - H01P3/123
  • 本发明提出了一种基于超传输缝隙隔膜的尖锐弯折矩形波导,用于解决现有技术中存在的波导结构复杂和体积大的技术问题,包括尖锐弯折矩形波导和超传输隔膜,其中,尖锐弯折矩形波导采用H面弯折波导,由两个对称的波导结构拼接而成,在拼接位置加载有超传输隔膜,其中波导结构的一端设置有连接法兰,其所在平面与波导横截面形成倾斜角,且倾斜于波导横截面的窄边方向;超传输隔膜的中心位置设置有不同形式的开口缝隙结构,开口缝隙结构采用C‑型单频谐振环或C‑型多频复合谐振环,其开口朝向超传输隔膜的宽边,能实现单频或多频带内电磁波的无反射传输。本发明实现了在任意角度弯折的矩形波导内电磁波的无反射传输,具有结构简单且体积小的特点。
  • 基于传输缝隙隔膜尖锐矩形波导
  • [发明专利]树脂光波导以及复合波导-CN201780052464.9有效
  • 大原盛辉;武信省太郎 - AGC株式会社
  • 2017-08-29 - 2020-12-01 - G02B6/122
  • 本发明的目的在于提供能够减少硅光波导和光纤的传送损失的树脂光波导。本发明涉及树脂光波导,该树脂光波导是具有芯和折射率比上述芯低的包层的树脂光波导,沿着光的传播方向包含上述芯的至少一部分露出的耦合部和上述芯的整周被上述包层覆盖的光波导部,上述耦合部的上述光波导部的一侧的端部中的上述芯的宽度大于上述耦合部的与上述光波导部相反侧的端部中的上述芯的宽度
  • 树脂波导以及复合
  • [发明专利]一种基于狭缝相变复合波导的全光相变多级存储器-CN202211555120.9在审
  • 吕业刚;蔡林莹;徐培鹏 - 宁波大学
  • 2022-12-06 - 2023-06-09 - H10N70/20
  • 本发明公开了一种基于狭缝相变复合波导的全光相变多级存储器,包括SiO2基底,特点是SiO2基底上设置有上下两条矩形直波导,两条矩形直波导之间设置有微环波导,微环波导与矩形直波导之间设有耦合间距,微环波导上设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生非晶态至晶态的可逆相变的第一相变狭缝结构,第一相变狭缝结构材料为Ge2Sb2Te5,上行矩形直波导的输出端与下行矩形直波导的输入端之间连接有U型反馈环波导,U型反馈环波导上设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生非晶态至晶态的可逆相变的第二相变狭缝结构
  • 一种基于狭缝相变复合波导多级存储器
  • [发明专利]一种双膜片复合式光学麦克风-CN202211099061.9在审
  • 王廷云;张小贝;魏鹤鸣;黄怿;张琦;邓传鲁;吴彰理 - 上海大学
  • 2022-09-07 - 2023-01-24 - H04R23/00
  • 本发明涉及一种双膜片复合式光学麦克风,包括封装套管、反射膜片、波导结构和单模光纤,封装套管的一端开口,封装套管的内部具有一横向延伸的空腔,空腔于封装套管的另一端设置有一通孔;反射膜片设置于封装套管的开口端;波导结构容置于封装套管的空腔内,波导结构连接所述反射膜片;单模光纤通过通孔容置于封装套管的空腔内,且单模光纤的一端连接波导结构。本发明采用单模光纤、波导结构和反射膜片构成双膜结构,在有声压作用时,反射膜片与波导结构同时形变且波导结构的折射率发生改变,以提高传感器声压灵敏度和频率响应范围。
  • 一种膜片复合光学麦克风

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