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[发明专利]一种稀土掺杂铪基铁电材料、制备方法及半导体器件-CN201910675057.4在审
发明人：张青竹;张兆浩;魏千惠;屠海令;殷华湘;魏峰;赵鸿滨;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种稀土掺杂铪基铁电材料，包括铪基铁电材料，铪基铁电材料中掺杂有稀土元素，掺杂的稀土元素与铪基铁电材料中铪元素原子比例介于(0.1~0.9):1。本发明还提供一种稀土掺杂铪基铁电材料的制备方法，包括：将含有稀土元素的物质掺杂至铪基铁电材料中，形成稀土掺杂的铪基铁电材料；在惰性气体中对稀土掺杂的铪基铁电材料进行退火，得到经退火处理后的稀土掺杂的铪基铁电材料本发明制备的稀土掺杂的铪基铁电材料，使得材料的非对称性增加，可以使负电容材料更薄，具有很强的负电容特性；同时，利用稀土掺杂的铪基铁电材料制备的半导体器件，具有很高的电畴和反转速度，抗疲劳和可靠性更高。
铁电材料铪基稀土掺杂稀土元素制备半导体器件退火电容材料电容特性惰性气体非对称性退火处理物质掺杂掺杂的抗疲劳铪元素电畴反转掺杂

[发明专利]一种硅基光电子异质集成互连模组-CN202011577275.3有效
发明人：薛海韵;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基光电子异质集成互连模组结构，包括：载片；第一电芯片；所述第一电芯片正装贴片埋入在所属载片中；第一硅基光芯片，所述第一硅基光芯片正装贴片埋入在所属载片中，所述第一硅基光芯片的厚度大于所述第一电芯片的厚度；第一电互联结构，所述第一电互联结构电连接所述第一硅基光芯片至所述第一电芯片；第二电芯片；所述第二电芯片正装贴片埋入在所属载片中；第二硅基光芯片，所述第二硅基光芯片正装贴片埋入在所属载片中，所述第二硅基光芯片的厚度大于所述第二电芯片的厚度；第二电互联结构，所述第二电互联结构电连接所述第二硅基光芯片至所述第二电芯片；以及光互连结构，所述光互联结构形成所述第一硅基光芯片至所述第二硅基光芯片的光信号互联通路。
一种光电子集成互连模组

[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法-CN202310104007.7在审
发明人：廖敏;罗梓綦;曾斌建;郑帅至;彭强祥 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜电容技术领域。本发明提供了一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法，在衬底一面顺次沉积第一金属层、氧化铪基铁电薄膜、第二金属层，得到金属‑铁电‑金属结构的铁电电容；对金属‑铁电‑金属结构的铁电电容进行热处理后，顺次进行刻蚀第二金属层、在氧化铪基铁电薄膜上沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层，得到金属‑铁电‑金属结构的氧化铪基铁电薄膜电容。本发明氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法相较于传统的金属后退火(PMA)处理，通过沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层可进一步提高氧化铪基铁电薄膜电容的极化强度，进一步优化氧化铪基薄膜的铁电性能
一种氧化铪基铁电薄膜电容性能优化方法

[发明专利]一种硅基光计算异质集成模组-CN202011577277.2有效
发明人：薛海韵;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基光计算异质集成模组结构，包括：载片；硅基光芯片，所述硅基光芯片正装贴片埋入设置在所述载片中；电芯片，所述电芯片正装贴片埋入设置在所述载片中，所述硅基光芯片的厚度大于所述电芯片的厚度；以及电互联结构，所述电互联结构电连接所述硅基光芯片至所述电芯片。
一种硅基光计算集成模组

[发明专利]提高铪基铁电器件耐久性的方法及铪基铁电器件-CN202211021475.X在审
发明人：李秀妍;陈丹旸;司梦维 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高铪基铁电器件耐久性的方法及铪基铁电器件，该方法包括：在衬底上制备铪基薄膜；在所述铪基薄膜上形成金属电极，形成铪基器件；对所述铪基薄膜进行热退火使其结晶具有反铁电特性，得到铪基反铁电薄膜，形成铪基铁电器件；对所述铪基反铁电薄膜施加电场循环，使所述铪基反铁电薄膜在获得剩余极化强度的同时提高耐久性。本发明通过加以电场循环使铪基反铁电薄膜获得剩余极化强度，使其满足剩余极化强度的同时获得更好的耐久性。
提高铪基铁电器件耐久性方法

[发明专利]氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法-CN202010941513.8有效
发明人：廖敏;戴思维;郇延伟;刘晨;曾斌建;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明申请公开一种氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法。氧化铪基铁电薄膜包括多个纳米铁电畴，和包围在每个纳米铁电畴周围的相结构，以使得多个纳米铁电畴之间呈弥散分布，形成多相共存结构；相结构为顺电相、非铁电相和反铁电相。基于本发明实施例，本发明的氧化铪基铁电薄膜为多相共存结构，其呈弥散布置的多个数量的纳米铁电畴有利于降低氧化铪基铁电薄膜的极化翻转势垒，从而减小了其矫顽场电压。另一方面，基于本发明实施例的氧化铪基铁电薄膜，仅需一个稍小的外加驱动电压就能达到相对大的剩余极化值，可以减小器件工作电压，避免氧化铪基铁电薄膜在高循环电场中过早的出现硬击穿现象，有效地提高氧化铪基铁电薄膜的抗疲劳性能
氧化铪基铁电薄膜制备方法

[发明专利]基于铪基铁电电容的非易失性SRAM单元-CN202111239678.1在审
发明人：张跃军;李憬;戴晟;傅晟杰 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铪基铁电电容的非易失性SRAM单元，包括6T SRAM和非易失存储模块，非易失存储模块包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容，为4T2C结构，非易失存储模块中，采用第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容这一对铪基铁电电容作为非易失存储器件，形成互补双边结构，断电前将6T SRAM中的数据保存在第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容中，然后完全关断本发明电路，节省了待机功耗，第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容形成的互补双边结构可以提高数据恢复率和抵抗工艺变化的可靠性；优点是具有较高的数据恢复率和良好的抵抗工艺变化的可靠性。
基于铪基铁电电容非易失性 sram 单元

[发明专利]卡扣配合断路器和负载中心系统-CN201780042847.8有效
发明人： M·卡莫;J·伯格霍夫;A·凯维洛斯;T·林奇;N·古戴恩;S·唐麦尔 -专利权人：立维腾制造有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H02B1/056 文献下载
摘要：一种断路器和面板系统，包括面板，所述面板包括具有多个基盘电连接件的基盘。断路器包括具有多个断路器电连接件的壳体，所述多个断路器电连接件布置成当断路器联接到基盘时接触基盘电连接件。断路器能够经由枢转接头与基盘可旋转地联接，用于根据预定电连接件联接顺序使所述多个基盘电连接件与所述多个断路器电连接件相接合。壳体和基盘中的一个包括突起部，壳体和基盘中的另一个包括对应凹陷部，所述突起部和所述凹陷部在相互接合时将壳体保持在基盘上，以防止断路器相对于基盘反向旋转运动。
配合断路器负载中心系统

[发明专利]介电薄膜、其制作方法及导电插塞-CN202310645608.9有效
发明人：薛翔;张伟;汪民武;林智伟;郭廷晃 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：本发明提供了介电薄膜、其制作方法及导电插塞。该介电薄膜包括非硅基介电膜和掺杂至非硅基介电膜中的氟自由基。其中，由于膜层的介电性与形成膜层的材料的极性有关，即材料的极性越大，膜层的介电常数越小，基于此，在低介电常数的非硅基介电膜中掺杂低极性基团的氟自由基之后，该氟自由基能够增加膜层材料的疏水性，从而减少了膜层材料与空气中的潮气的反应，进而减少了羟基基团等高极性基团的形成，且氟自由基本身为低极性基团，因此，氟自由基对非硅基介电膜的介电性的影响较小，从而能够使得介电薄膜达到理论上的最小k值。
薄膜制作方法导电

[发明专利]一种通过等离子体技术增强氧化铪(HfO2-CN202011325193.X在审
发明人：燕少安;龚俊;罗鹏宏;唐明华;郑学军 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过等离子体技术增强氧化铪(HfO2)基铁电薄膜铁电性能的方法，具体方法步骤包括：预先对衬底进行等离子体清洗；配制HfO2基铁电薄膜的前驱体溶液；在所述衬底上沉积HfO2基铁电薄膜；对所述HfO2基铁电薄膜进行退火处理；对所述HfO2基铁电薄膜进行等离子体处理；在所述HfO2基铁电薄膜上沉积顶电极。本发明通过等离子技术改善衬底与HfO2基铁电薄膜界面的质量、降低HfO2基铁电薄膜中的氧空位浓度，从而显著提高HfO2基铁电薄膜材料的极化强度。
一种通过等离子体技术增强氧化 hfo base sub

[发明专利]一种HfO2-CN202310088121.5在审
发明人：郑帅至;裴碧波;曾斌健;廖敏 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种HfO2基铁电存储器的编程操作方法，包括：给HfO2基铁电存储器施加第一编程电压脉冲，使所述HfO2基铁电存储器以第一存储模式工作，给所述HfO2基铁电存储器施加第二编程电压脉冲，使HfO2基铁电存储器可以继续以第二存储模式工作本发明所述的HfO2基铁电存储器的编程操作方法可以有效的增加HfO2基铁电存储器的存储次数，提高HfO2基铁电存储器的存储性能，并且将所述HfO2基铁电存储器可以具备多次可编程、单次可编程两种不同的编程特性。
一种 hfo base sub

[发明专利]电池-CN201710868860.0有效
发明人：孙翔;姜占锋;姚云江;田野 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池，包括：基体，所述基体具有相对设置的第一发电基面和第二发电基面，其中，在所述第一发电基面和所述第二发电基面中，仅所述第二发电基面设有正电极和负电极；正极扩散片层，所述正极扩散片层设在所述正电极和所述第二发电基面之间；负极扩散片层，所述负极扩散片层设在所述负电极和所述第二发电基面之间。
电池

[发明专利]基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及其制备方法-CN202210917511.4在审
发明人：姜杰;冯凯明;张彪 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及制备方法，其制备方法包括：提供缓冲层；在缓冲层表面形成氧化铪基铁电薄膜，得到稳定的氧化铪基铁电薄膜结构；其中，缓冲层的材质为二维材料，缓冲层与氧化铪基铁电薄膜之间通过范德华力作用连接本发明的氧化铪基铁电薄膜结构的制备方法采用超薄的二维材料作为缓冲层，相比于传统硅基板与铁电薄膜化学键合，本发明是以范德华力作用连接，采用二维的缓冲层与氧化铪基铁电薄膜范德华力作用结合，以形成范德华异质界面，使得氧化铪基铁电薄膜与二维材料缓冲层之间裸露出来，增大薄膜的表面能，促进向铁电相的转变，并且以无应力状态保证氧化铪基铁电薄膜的自由生长和结晶。
基于范德华力作氧化铪基铁电薄膜结构及其制备方法

[发明专利]介电薄膜、相关制品和方法-CN201010508361.9无效
发明人： X·房;D·Q·谭;曹阳;Q·陈;P·C·欧文 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C08L3/18 文献下载
摘要：本发明描述一种具有氰基树脂介电薄膜的制品。所述氰基树脂介电薄膜包括韧性材料的纳米结构。本发明还描述一种形成这类氰基树脂介电薄膜的方法。本发明提供一种具有氰基树脂介电薄膜的电容器。
薄膜相关制品方法

[发明专利]一种使镍基合金电渣锭的铝钛分布均匀的方法-CN202110547614.1在审
发明人：王春光;魏志刚;李永友;臧晓飞;蒋威;吕小敏;王方军 -专利权人：重庆材料研究院有限公司;中国机械设备工程股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C22B9/18 文献下载
摘要：本发明属于镍基合金领域，具体涉及一种使镍基合金电渣锭的铝钛分布均匀的方法，包括以下步骤：1）真空条件下将镍基金属原料熔化，精炼后浇铸成真空感应铸锭；2）将真空感应铸锭作为电极进行第一次电渣重熔，得到镍基合金电渣锭；3）将镍基合金电渣锭锻造为镍基合金电极棒，在镍基合金电极棒顶部和底部分别做标记；4）将镍基合金电极棒作为电极，顶部起弧进行第二次电渣重熔，得到铝钛分布均匀的镍基合金电渣锭。本发明在不改变当前生产设备的条件下，利用已掌握烧损规律控制易产生烧损的铝、钛元素的含量分布，得到成分均匀一致的镍基合金电渣锭，为后续产品性能一致性提供保障，提高镍基合金电渣锭长度方向成分的一致性。
一种使镍基合金电渣锭分布均匀方法

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