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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种锑化物晶体生长装置及生长方法-CN201911081896.X有效
发明人：狄聚青;朱刘;刘运连;易明辉;黄幸慰;薛帅;崔博;方义林 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑化物晶体生长装置及生长方法。本发明通过将高纯原料置于船形石英坩埚内，船形石英坩埚的一端的籽晶槽内装有籽晶，升温使高纯原料反应并熔化成锑化物熔体，熔体与籽晶接触后开始晶体生长，一次晶体生长之后，通过多次单晶区熔进行提纯，降温冷却后得到锑化物晶体该生长方法工序简单、效率高，且得到的锑化物晶体结晶性能良好，无开裂，无气泡、夹杂等缺陷，单晶重复率较高，成晶率达到90％～100％。
一种锑化物晶体生长装置生长方法

[发明专利]一种长波长锑化物半导体激光器结构-CN201110108055.0无效
发明人：李占国;尤明慧;刘国军;高欣;李林;李辉;芦鹏;王勇;邹永刚;乔忠良;李梅;曲轶;薄报学 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明是一种长波长锑化物半导体激光器结构，属于半导体激光器新型材料的外延结构领域。本发明针对锑化物激随波长增加，功率、效率等变差的问题和缺点，提出一种长波长锑化物半导体激光器结构，该激光器结构能够减小因自由载流子吸收等引起的激光器功率和效率变差的问题。该激光器结构具有光模损耗小，空穴限制强，内损耗小，量子阱激光器结构效率高等特点，可以改善锑化物激光器的功率、效率等性能。
一种波长锑化物半导体激光器结构

[发明专利](2‑(取代苯基)茚基)‑二(3,5‑二(三氟甲基))苯基膦配体及其制备方法-CN201710384037.2在审
发明人：肖斌;周巧兰;徐梦雨 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C07F9/50 文献下载
摘要：本发明涉及大位阻缺电子有机膦配体，更具体地涉及具有下式表示的结构的(2‑(取代苯基)茚基)‑二(3,5‑二(三氟甲基))苯基膦配体化合物及其合成方法。本发明的大位阻缺电子有机膦配体化合物可修饰位点多，可合成结构丰富，性质稳定在空气中可以稳定地存在，原料易得，操作简便，并且可以用作钯催化剂领域的重要配体。
取代苯基茚基甲基膦配体及其制备方法

[发明专利]C-大位阻P-手性源性有机磷化合物-CN201980019961.8在审
发明人：热罗姆·巴雅尔多纳;安托南·雅耶;西尔万·朱热 -专利权人：勃艮第大学
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C07F9/46 文献下载
摘要：本发明涉及有机磷化学领域，尤其是大位阻有机磷化合物的化学领域。本发明提供了合成式(I)化合物的方法。该方法特别用于获得手性大位阻磷化合物。
大位阻手性有机磷化合物

[发明专利]一种含氟大位阻α-二亚胺镍（Ⅱ）配合物、制备方法及应用-CN202010951929.8在审
发明人：屠嵩涛;李栋;王兴仁;汪文睿;傅勇;杨柳;任广毅 -专利权人：中国石化扬子石油化工有限公司;中国石油化工股份有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C07F15/04 文献下载
摘要：本发明属于烯烃聚合技术领域，具体涉及一种含氟大位阻α‑二亚胺镍(II)配合物、制备方法及应用。本发明合成的新的含氟大位阻α‑二亚胺镍(II)配合物可用于乙烯聚合中具有极好的效果，具有较高的活性和热稳定性，可降低聚乙烯的支化度，得到高分子量的聚乙烯，增强聚乙烯的可塑性和弹性。
一种含氟大位阻亚胺配合制备方法应用

[发明专利]表面处理的氧化锆纳米粉体、氧化锆分散液及应用-CN202210485112.5在审
发明人：宋锡滨;马海洋;艾辽东;奚洪亮 -专利权人：山东国瓷功能材料股份有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C01G25/02 文献下载
摘要：该表面处理的氧化锆粉体表面含有表面处理剂；所述表面处理剂具有R‑Y结构；其中，R基团包括大位阻基团，Y基团包括能与氧化锆作用的基团。通过表面处理剂向氧化锆表面引入大位阻基团，利用其空间位阻作用抑制氧化锆粒子的团聚，使得表面处理的氧化锆粉体分散性好且抑团聚效果好。
表面处理氧化锆纳米分散应用

[发明专利]感测放大电路结构及存储器-CN202310251701.1有效
发明人：白文琦 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本公开涉及一种感测放大电路结构及存储器，感测放大电路结构包括：第一N型晶体管连接位线、第一电源节点和互补放大位线；第二N型晶体管连接互补位线、第一电源节点和放大位线；第一P型晶体管连接放大位线、第二电源节点和互补放大位线；第二P型晶体管连接互补放大位线、第二电源节点和放大位线；其中，第一隔离晶体管连接位线和放大位线；第二隔离晶体管连接互补位线和互补放大位线；第一隔离晶体管和第二隔离晶体管的栅极氧化层厚度大于第一N型晶体管和第二N型晶体管的栅极氧化层厚度。
放大电路结构存储器

[发明专利]一种交联型聚合物及基于其的阴离子交换膜-CN202010361320.5有效
发明人：魏海兵;余晟;江涛;王子豪;徐赫;丁运生 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C08G61/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种交联型聚合物及基于其的阴离子交换膜，该聚合物的功能离子基元为含有金刚烷大位阻基团的咪唑鎓盐。本发明的阴离子交换膜具有离子电导率高、抗溶胀性能好和耐碱性好等诸多优势。
一种交联聚合物基于阴离子交换

[发明专利]利用酰胺萃取剂位阻效应分步回收溶液中钒铬的萃取溶剂及萃取方法-CN202211572817.7在审
发明人：魏琦峰;应子文;吴迪;魏澜;任秀莲 -专利权人：山东金鸾科技开发有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C22B3/28 文献下载
摘要：本发明公开利用酰胺萃取剂位阻效应分步回收溶液中钒铬的萃取溶剂及萃取方法，其中萃取溶剂由萃取溶剂A和萃取溶剂B组成；萃取溶剂A由大位阻酰胺萃取剂和稀释剂A混合组成；萃取溶剂B由小位阻酰胺萃取剂和稀释剂B混合组成；大位阻酰胺萃取剂和小位阻酰胺萃取剂均为烷基取代酰胺萃取剂；稀释剂A和稀释剂B均为惰性有机溶剂。利用该萃取溶剂中酰胺萃取剂位阻效应分步回收溶液中钒铬，分别得到高纯度的含铬反萃液和含钒反萃液，具有萃取率高、分离系数高、产品纯度高、萃取动力学快、萃取溶剂再生性好且绿色无害等优点。
利用萃取剂位阻效应分步回收溶液中钒铬溶剂方法

[发明专利]立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法-CN201510763100.4有效
发明人：潘东;赵建华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种立式III‑V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法，包括：步骤(a)：在半导体衬底上制备用于催化纳米线生长的多个金属催化剂颗粒；步骤(b)：在半导体衬底上利用金属催化剂颗粒催化生长III‑V族半导体纳米线，该金属催化剂颗粒位于III‑V族半导体纳米线的顶端；步骤(c)：在III‑V族半导体纳米线的轴向上外延立式III‑V族锑化物半导体单晶薄膜，完成制备。本发明很容易实现立式III‑V族锑化物半导体单晶薄膜的大批量生产，可以大大节约III‑V族锑化物半导体单晶薄膜的生产成本。
半导体单晶薄膜锑化物金属催化剂颗粒制备半导体纳米线衬底半导体催化纳米生长催化生产成本节约生产

[发明专利]一种锑化物半导体器件及其制备方法-CN202210318438.9在审
发明人：董海云;倪健;薛聪 -专利权人：埃特曼（北京）半导体技术有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，具体公开了一种锑化物半导体器件及其制备方法，由下至上依次包括硅基衬底、图形化缓冲层、三维柱状缓冲层及锑化物结构层；所述图形化缓冲层包括图形化排列的凸起基座，所述三维柱状缓冲层的柱状结构依托所述凸起基座生长；所述柱状结构在所述三维柱状缓冲层的顶部互相连接形成二维结晶面，所述锑化物结构层生长于所述二维结晶面上。本发明的二维结晶面上具有规律的凸起和凹陷，可以有效缓解晶格失配应力、热应力，并缓解锑化物生长在硅基衬底上的反相畴缺陷问题，得到有源区结晶质量高的锑化物半导体器件，且本发明中的缓冲层结构组分简单，在MOCVD
一种锑化物半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种以三芳胺为端基的大位阻烷氧基取代共轭化合物及其应用-CN201811429343.4有效
发明人：欧亚平 -专利权人：衡阳师范学院
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C07C217/86 文献下载
摘要：一种以三芳胺为端基的大位阻烷氧基取代共轭化合物，涉及有机合成领域，其结构式I如下所示：一种三芳胺大位阻烷氧基取代共轭化合物及其应用

[发明专利]一种氨基酸脱氢酶及其应用-CN201910820939.5有效
发明人：王世珍;刘凯泷;韩雨珑 -专利权人：厦门大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C12N9/06 文献下载
摘要：本发明通过对获得自海洋菌株Bacillus nanhaiensis的苯丙氨酸脱氢酶的分子改造，使其底物结合口袋发生了重塑，不仅可以容纳这些大位阻底物，同时拉近了底物与辅酶之间的距离，使其获得对大位阻底物的催化活性，拓展了其催化功能用于生物合成系列具有大位阻疏水侧链的非天然氨基酸。
一种氨基酸脱氢酶及其应用

[发明专利]一种改进的佛尔酮合成方法-CN202110644121.X有效
发明人：王毅;冯光军;何汉江;马小平;王震;崔磊;赵佳宁;王小伟 -专利权人：西安瑞联新材料股份有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C07C45/65 文献下载
摘要：本发明提供一种改进的佛尔酮合成方法，包括以下步骤：选用市场可大量购买且更便宜的2,2,6,6‑四甲基‑4‑哌啶酮制备1‑亚硝基2,2,6,6‑四甲基‑4‑哌啶酮，然后在大位阻碱催化剂作用下进行反应，得到佛尔酮；其中，大位阻碱催化剂选用异丙醇钾、异丙醇钠、叔丁醇钾、叔丁醇钠、正丁醇钾、正丁醇钠、异丁醇钾、异丁醇钠、正戊醇钾、正戊醇钠、异戊醇钾、异戊醇钠中的任意一种。该方法通过采用大位阻碱作为催化剂，改善了反应，避免了大量杂质的产生，且大大提高了产物佛尔酮的纯度和收率，使主含量从50％提高到90％，收率从44％提高到80％。
一种改进佛尔酮合成方法

[发明专利]一种水相反应合成大位阻氯乙酰胺化合物的方法-CN201210375053.2有效
发明人：林双政;宁斌科;卫天琪;李勇智;王安勇;张媛媛;王列平;王月梅;张晓光 -专利权人：西安近代化学研究所
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： C07C231/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种水相氯乙酰化反应合成大位阻氯乙酰胺化合物的方法。以无机碱为缚酸剂，在有机溶剂促进下，仲胺化合物和氯乙酰氯在水中反应合成相应的大位阻氯乙酰胺化合物。
一种相反合成大位阻氯乙酰化合物方法

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