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[发明专利]半导体器件耐压结构-CN201510713750.8有效
发明人：顾炎;宋华;张森 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件耐压结构，该半导体器件耐压结构包括用于布置高压互联线的高压互联区域，且该高压互联区域下方依次为金属层、介质层、场氧化层、漂移区除有源区之外的区域，该半导体器件耐压结构还包括若干导体场板、若干半绝缘电阻场板。其中，导体场板位于半绝缘电阻场板的上方，且导体场板处于介质层中。所有半绝缘电阻场板均与场氧化层相邻。导体场板与半绝缘电阻场板构成若干电容器，且任一电容器至少能与另一电容器传送能量。
半导体器件耐压结构

[发明专利]具有半绝缘场板的功率半导体器件-CN201410814788.X在审
发明人：单建安;伊夫蒂哈尔·阿迈德;伍震威 -专利权人：港科半导体有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件，其包括形成在半导体衬底的第一衬底表面上的第一金属电极和第二金属电极、将所述第一金属电极和所述第二金属电极进行互连的半绝缘场板、以及在所述第一金属电极和所述第二金属电极之间以及在所述场板和所述半导体衬底之间延伸的绝缘氧化层，其中所述半绝缘场板为氮化钛(TiN)场板。
具有绝缘功率半导体器件

[发明专利]一种场真立体显示装置-CN201610179290.X在审
发明人：许家琪 -专利权人：许家琪
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： G02B27/22 文献下载
摘要：一种场真立体显示装置，包括屏幕、半反半透板和框架，所述屏幕安装在所述框架上并与服务器连接，所述半反半透板倾斜地安装在所述屏幕的显示面上，所述屏幕有多层，每层上均安装若干个所述半反半透板，所述屏幕与所述半反半透板共同组成一个立体像素矩阵本发明所提供的场真立体显示装置，通过将屏幕和半反半透板搭成立体像素矩阵，实现多层的深度图像，从而能够对距离和位置没有限制的无憾角观看，同时满足可靠性高、寿命长、噪声小的需要。
一种立体显示装置

[实用新型]一种场真立体显示装置-CN201620237425.9有效
发明人：许家琪 -专利权人：许家琪
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： G02B27/22 文献下载
摘要：一种场真立体显示装置，包括屏幕、半反半透板和框架，所述屏幕安装在所述框架上并与服务器连接，所述半反半透板倾斜地安装在所述屏幕的显示面上，所述屏幕有多层，每层上均安装若干个所述半反半透板，所述屏幕与所述半反半透板共同组成一个立体像素矩阵本实用新型所提供的场真立体显示装置，通过将屏幕和半反半透板搭成立体像素矩阵，实现多层的深度图像，从而能够对距离和位置没有限制的无憾角观看，同时满足可靠性高、寿命长、噪声小的需要。
一种立体显示装置

[发明专利]沟槽栅极沟槽场板半垂直半横向MOSFET-CN201911111690.7在审
发明人： M·丹尼森;S·彭德哈卡尔;G·马图尔 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开沟槽栅极沟槽场板半垂直半横向MOSFET。
沟槽栅极场板半垂直横向 mosfet

[发明专利]沟槽栅极沟槽场板半垂直半横向MOSFET-CN201480065667.8有效
发明人： M·丹尼森;S·彭德哈卡尔;G·马图尔 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：在描述的示例中，半导体器件(100)具有带有深沟槽结构(104)的垂直漏极延伸MOS晶体管(110)以限定垂直漂移区(108)和至少一个垂直漏极接触区(106)，所述垂直漏极接触区(106)通过深沟槽结构(104)的至少一个实例与垂直漂移区(108)分开。掺杂剂被植入至垂直漏极接触区(106)，并且半导体器件(100)被退火，使得植入的掺杂剂扩散接近深沟槽结构(104)的底部。垂直漏极接触区(106)在介入中间的深沟槽结构(104)的底部处电接触至最近的垂直漂移区(108)。至少一个栅极(114)、主体区(118)和源极区(120)形成在漂移区(108)之上且在半导体器件(100)的衬底(102)的顶部表面处或接近半导体器件(100)的衬底(102)的顶部表面处。深沟槽结构(104)被隔开以形成漂移区(108)的RESURF区域。
沟槽栅极场板半垂直横向 mosfet

[发明专利]质子交换膜燃料电池双极板多道蛇行流场结构-CN200910045410.7有效
发明人：麦建明;彭林法;来新民;倪军;林忠钦 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2009-01-15 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种燃料电池技术领域的质子交换膜燃料电池双极板多道蛇行流场结构，包括在单一次冲压中同时形成的两侧流场，均为多道蛇行流场，在两侧流场的气体出入口附近设置半高脊和半深槽，正面流场的半高脊对应着反面流场的半深槽，反面流场的半高脊对应着正面流场的半深槽，其中：半高脊为脊的一部分，其高度小于脊且大于0，布置在气体出入口附近的气体流道之间，相邻流道通过半高脊的上部和膜电极组件之间的空隙连通；半深槽为流道的一部分，其深度小于流道且大于0，半深槽所在流道通过半深槽和膜电极组件之间的空隙连通。本发明省去了冷却液流场，极大简化了金属双极板的结构，使用多道蛇行流场，有效避免了排水困难的问题。
质子交换燃料电池极板多道蛇行结构

[发明专利]多晶硅场限环-CN201310177855.7有效
发明人：苏少爽 -专利权人：江西创成半导体有限责任公司
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：一种多晶硅场限环，在制作高压器件场限环终端时采用半绝缘多晶硅掺杂替代传统的单晶硅掺杂以改善高压器件的耐压特性。该多晶硅场限环特点在于：制作高压器件场限环终端时采用了半绝缘多晶硅掺杂。该多晶硅场限环的实现要点包括：1)采用半绝缘多晶硅制作高压器件场限环的终端结构；2)制作高压器件场限环中半绝缘多晶硅掺杂的元素及其浓度，所述掺杂的元素包括：为使耐压特性改善在多晶硅中掺加氧、氮、磷等；3)制作高压器件场限环终端时采用了半绝缘多晶硅的制作工艺流程，所述半绝缘多晶硅的制作工艺流程包括刻蚀、多晶硅淀积、及后续的保护层。
多晶硅场限环

[实用新型]一种明暗场兼容光源及检测装置-CN202223290056.4有效
发明人：周杰 -专利权人：广东奥普特科技股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G03B15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种明暗场兼容光源及检测装置，明暗场兼容光源，其特征在于，包括发光单元和半透半反单元，半透半反单元的一侧设置有明场光斑工位，半透半反单元的另一侧设置有暗场光斑工位；发光单元发出的光线射入半透半反单元，半透半反单元包括射向明场光斑工位的明场光轴和射向暗场光斑工位的暗场光轴；明场光轴与竖直方向的夹角小于暗场光轴与竖直方向的夹角。通过上述设置，使得发光单元发出的一部分光线能以高角度形成明场光斑，另一部分光线能以低角度形成暗场光斑；由此，本实用新型的明暗场兼容光源，能够同时发出暗场光斑与明场光斑，并且仅需使用一个发光单元，节省了物料成本
一种明暗兼容光源检测装置

[实用新型]一种流场板及半透膜组件结构-CN200720075001.8有效
发明人：王涛;王乐;郭振波;张新荣;张伟;刘向 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2007-09-25 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种流场板结构及半透膜组件，可适用于燃料电池、水电解器及一体式再生燃料电池。流场板由板框和中间多孔导电板组合而成，一侧与燃料电池或水电解器的膜电极接触，一侧与半透膜组件接触。半透膜组件由半透膜、保护边框、多孔支撑板压合而成。使用本实用新型结构，燃料电池可实现反应气体内增湿；而水电解器可无需水泵即可实现注水。
一种流场板半透膜组件结构

[实用新型]一种同轴视觉打标装置-CN201920729049.9有效
发明人：肖成柱;洪汉明;邓其 -专利权人：深圳市睿达科技有限公司
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种同轴视觉打标装置，包括用于照射打标工件的光源、振镜、位于振镜下方的场镜、半反半透镜片、CCD模组和连接壳体；光源固定安装在连接壳体的下方，振镜和场镜均固定安装在连接壳体上；半反半透镜片和CCD模组均固定安装在连接壳体内，且半反半透镜片与连接壳体成角度，CCD模组朝向半反半透镜片；光源、振镜、场镜均同轴，场镜朝向半反半透镜片；位于振镜上方的外部激光器发射激光依次经过振镜、场镜、半反半透镜片照射到打标工件上；打标工件上反射的光经过半反半透镜片入射到CCD模组。
一种同轴视觉装置

[发明专利]用于功率半导体装置的场板结构及其制造方法-CN201480002396.1有效
发明人：单建安;伊夫蒂哈尔.艾哈迈德;伍震威 -专利权人：伍震威
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：提供位于在功率半导体装置的表面处的金属电极（21、22、23）之间的薄半绝缘场板（32、33、34）结构。所述薄半绝缘场板（32、33、34）通过在金属化之前进行沉积并且在所述金属化之后进行退火而形成。可以用于横向功率半导体装置和垂直功率半导体装置中。
用于功率半导体装置板结及其制造方法

[发明专利]一种基于偏振型半透半反镜的光场显示装置-CN202210955574.9在审
发明人：吕国强;诸黎明;庞煜剑;冯奇斌;王梓 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G02B30/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于偏振型半透半反镜的光场显示装置，属于三维显示技术领域。包括偏振型半透半反镜、第一光场调制阵列、第二光场调制阵列和计算机；偏振型半透半反镜呈45度角位于第一光场调制阵列和第二光场调制阵列之间，叠加两个光场调制阵列的光线。第一光场调制阵列由第一直显层、三个偏振片、两个液晶层形成S偏振光；第二光场调制阵列由第二直显层、另三个偏振片、另两个液晶层形成P偏振光。光场优化操作是：计算机将光场图像迭代分解得到六幅图案，其中两幅图像代表第一直显层和第二直显层的发光强度，另外四幅图像代四个液晶层上像素的透过率值，将六幅图像分别传送至两个显层和四个液晶层，通过协同工作再现原输入的光场图像
一种基于偏振型半透半反镜显示装置

[实用新型]一种含碳浆料氧化液制氢用电解器-CN201721406758.0有效
发明人：隋升;孙志刚;柳杨;冯亮杰;曹孟常;邢涛;向康;杨宏泉;郭强;蒋超 -专利权人：中石化宁波工程有限公司;上海交通大学;中石化炼化工程(集团)股份有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： C25B1/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种含碳浆料氧化液制氢用电解器，包括制氢单元(10)，其特征在于所述制氢单元(10)沿反应液的流向包括依次密封连接的阳极板(5)、流场板(4)、半膜电极(3)、疏水碳纸和集气板(1)；其中，所述流场板(4)上设有反应液流道(41)，所述反应液流道(41)的入口连接反应液源，所述反应液流道(41)的出口连接界外，并且所述反应液流道(41)贯通所述流场板(4)；所述集气板(1)上设有气体流道(11)，所述气体流道(11)连通集气管(6)；所述集气板(1)、半膜电极(3)、流场板(4)和阳极板(5)依次电连接；所述集气板(1)通过负极集电板(71)连接电源负极，所述阳极板(5)通过正极集电板
反应液流集气板流场板阳极板含碳浆料连接电源气体流道制氢单元膜电极氧化液解器制氢正极本实用新型负极集电板正极集电板负极出口连接密封连接入口连接疏水碳纸电连接集气管连通贯通

[实用新型]一种多波段共轴自准直校准光路结构-CN201520948659.X有效
发明人：蔡珂珺;刘效东;高雪军;李刚;陈巍;郭明 -专利权人：江苏北方湖光光电有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： G02B27/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多波段共轴自准直校准光路结构，主反射镜、次反射镜、场镜、分光镜、半反半透镜、白光分划板、白光光源和探测器组成白光光路结构，白光分划板位于物镜焦平面，白光光源均匀照射到白光分划板上，通过半反半透镜、分光镜、场镜、次反射镜和主反射镜成自准直像，自准直像的中心和探测器的中心调校一致；主反射镜、次反射镜、场镜、分光镜、红外分划板和热源组成红外光路结构，热源均匀照射到红外分划板上，通过分光镜、场镜、次反射镜和主反射镜成自准直像，红外分划板上的分划中心与白光分划板上的分划中心调校一致。
一种波段校准结构

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