专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]掩膜组件及套准量测方法-CN201811379700.0在审
  • 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2018-11-20 - 2020-05-26 - G03F1/42
  • 本发明提供一种掩膜组件及套准量测方法,掩膜组件包括:第一掩膜、第二掩膜及第三掩膜,第一掩膜内形成有第一标记图形,第一标记图形包括第一主标记图形及第二主标记图形;第二掩膜内形成有第二标记图形,第二标记图形对应于第一标记图形的一侧,且与第一标记图形具有间距;第二标记图形包括第三主标记图形及第四主标记图形;第三掩膜内形成有第三标记图形,第三标记图形包括第五主标记图形、第六主标记图形、第七主标记图形及第八主标记图形。本发明的掩膜组件中的标记图形可以减小标记图形在晶圆上所占的面积;同时在光刻后进行套准量测时还可以显著降低所需量测的次数,提高套准量测的效率。
  • 组件套准量测方法
  • [实用新型]掩膜组件-CN201821905728.9有效
  • 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2018-11-20 - 2019-06-04 - G03F1/42
  • 本实用新型提供一种掩膜组件,掩膜组件包括:第一掩膜、第二掩膜及第三掩膜,第一掩膜内形成有第一标记图形,第一标记图形包括第一主标记图形及第二主标记图形;第二掩膜内形成有第二标记图形,第二标记图形对应于第一标记图形的一侧,且与第一标记图形具有间距;第二标记图形包括第三主标记图形及第四主标记图形;第三掩膜内形成有第三标记图形,第三标记图形包括第五主标记图形、第六主标记图形、第七主标记图形及第八主标记图形。本实用新型的掩膜组件中的标记图形可以减小标记图形在晶圆上所占的面积;同时在光刻后进行套准量测时还可以显著降低所需量测的次数,提高套准量测的效率。
  • 标记图形主标记掩膜掩膜组件量测本实用新型套准光刻减小晶圆
  • [发明专利]框架单元标记伪栅版图及其设计方法-CN202211331521.6在审
  • 刘思哲 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-10-28 - 2023-04-04 - H01L27/02
  • 本发明提供一种框架单元标记伪栅版图,包括框架图形,框架图形为单个shot中除芯片以外的剩余区域的图形;框架图形上设有标记图形标记图形用于定义出衬底切割道上用于对准和测量的图形标记图形间具有间隙,标记图形间插入有第一伪栅图形;设于标记图形内的第二伪栅图形,第二伪栅图形根据不同层次的标记图形设置不同的尺寸;设于标记图形上的假块标记层,假块标记层用于定义伪栅不形成的区域。本发明对原有框架单元标记伪栅版图进行伪栅图形添加处理,以达到测量或者对准的目的,解决了在先进技术节点工艺存在套准标记脱落的问题。
  • 框架单元标记版图及其设计方法
  • [发明专利]套刻标记和套刻误差测试方法-CN201910904325.5有效
  • 邹斌;张胜安 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2019-09-24 - 2022-09-27 - G03F9/00
  • 本发明涉及一种套刻标记和套刻误差测试方法,该套刻标记包括第一标记图形、第二标记图形和套刻点组。第一套刻标记包括第一标记图形,第二套刻标记包括第二标记图形,第一标记图形和第二标记图形交叠位置形成的多个套刻点构成套刻点组。通过对位于第一标记图形和/或第二标记图形外围的第一标记图形和/或第二标记图形的长度、位置的设置的规定,可以在无需设置边框的前提下,正确获取套刻标记的边界。因此本发明的套刻标记有效地避免了当第一标记图形和第二标记图形发生位置偏移时,对套刻标记的边界获取错误,从而实现对具有多层光罩的相邻层之间套刻精度的准确测试。
  • 标记误差测试方法
  • [发明专利]对准标记、对准标记的检测方法和对准标记检测装置-CN201410025187.0有效
  • 岳力挽;伍强 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-01-20 - 2017-11-03 - H01L23/544
  • 本发明提供了一种对准标记、对准标记的检测方法和对准标记检测装置,其中,所述对准标记的检测方法包括提供晶圆,所述晶圆上具有第一标记图形和第二标记图形,其中,所述第一标记图形包括沿第一方向平行分布的多个条状图形,所述第二标记图形包括沿第二方向平行分布的多个条状图形,所述第二方向垂直于所述第一方向;检测所述第一标记图形和所述第二标记图形,分别获得与所述第一标记图形和所述第二标记图形对应的第一电学信号和第二电学信号;根据所述第一电学信号和所述第二电学信号获得所述第一标记图形和所述第二标记图形的位置信息。本发明对准标记的检测方法的效率高。
  • 对准标记检测方法装置
  • [发明专利]一种掩模板及键合对准方法-CN201810739170.X有效
  • 任书铭 - 上海微电子装备(集团)股份有限公司
  • 2018-07-06 - 2021-04-02 - G03F9/00
  • 本发明公开了一种掩模板及键合对准方法,图形区包括至少四个掩模图形,每个掩模图形包括一个对位标记图形,任一对位标记图形为第一对位标记图形或第二对位标记图形,当掩模板沿水平镜像或垂直镜像翻转180度后,翻转后的第一对位标记图形与翻转前相对应的第二对位标记图形相对准,翻转后的第二对位标记图形与翻转前相对应的第一对位标记图形相对准;当掩模板沿掩模图形的一排布方向平移设定长度后,平移后的第一对位标记图形与平移前相对应的第二对位标记图形相对准,平移后的第二对位标记图形与平移前相对应的第一对位标记图形相对准本发明实施例能够兼容面对面型和背对面型键合的掩模板图形要求,无需采用两种掩模板,节省了成本和支出。
  • 一种模板对准方法
  • [发明专利]一种掩膜版的布局方法及装置、掩膜版-CN202010287352.5在审
  • 李静 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-04-13 - 2021-10-22 - G03F1/42
  • 本发明公开了一种掩膜版的布局方法及装置、掩膜版,其中,掩膜版的布局方法包括:在掩膜版上形成阵列排布的芯片图形;每相邻两个芯片图形之间形成有切割道,切割道用于设置标记图形标记图形至少包括第一标记图形;根据第一标记图形的量测对准需要,获取第一标记图形的分割单元的设定个数;将设定个数的分割单元依次设置于切割道上,使得第一标记图形未覆盖其他标记图形;设置第一标记图形单体替换至少两个相邻设置的分割单元,设置于切割道上;其中,第一标记图形单体与至少两个相邻设置的分割单元拼接形成的图形完全重合本发明提供的技术方案,可解决人工布局标记图形效率低,且精确度低的问题。
  • 一种掩膜版布局方法装置
  • [发明专利]掩膜版图和器件形成方法-CN202111562545.8在审
  • 俞宏俊 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-12-20 - 2023-06-23 - G03F1/42
  • 一种掩膜版图及器件形成方法,掩膜版图包括:第一子版图包括第一主图形区、以及凸出于第一主图形区且与第一主图形区相连接的标记区,第一主图形区中具有第一芯片图形标记区中具有第一拼接标记图形;第二子版图包括用于与第一主图形区实现拼接的第二主图形区,第二主图形区中具有第二芯片图形、以及位于第二芯片图形侧部的第二拼接标记图形,第二拼接标记图形设置于第二子版图中待与第一子版图进行拼接的一侧,且第二芯片图形用于与第一芯片图形进行拼接获得目标图形;其中,第一拼接标记图形和第二拼接标记图形被设置为:在将第一子版图和第二子版图进行拼接后,第一拼接标记图形和第二拼接标记图形之间实现对准。
  • 版图器件形成方法
  • [发明专利]半导体标记及其形成方法-CN202010325831.1在审
  • 张胜安 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-04-23 - 2021-10-26 - H01L23/544
  • 一种本发明的半导体标记及其形成方法,所述半导体标记包括:前层标记,所述前层标记包括第一图形和第二图形,所述第二图形位于相邻的所述第一图形之间,所述第一图形与所述第二图形的材料性质不同。由于本发明中半导体标记中的前层标记中第一图形和第二图形的材料性质不同,进行测量时,所述第一图形和第二图形对测量光的反射率是不同的,因而提高了测量时获得的第一图形和第二图形的图像对比度,使得第一图形和第二图形的位置和边界得以清楚的确认,从而使得前层标记的测量更加精确。
  • 半导体标记及其形成方法
  • [实用新型]基板与显示装置-CN201820632959.0有效
  • 黄永辉 - 张家港康得新光电材料有限公司
  • 2018-04-28 - 2018-11-13 - G02F1/1333
  • 该基板的一个表面包括标记抓取区域,标记抓取区域为一个相机一次可抓取的视野区域,且标记抓取区域中包括多个标记,各标记包括至少一个基本图形,基本图形包括直线或曲线,标记抓取区域中的待抓取的标记包括的基本图形与其他标记包括的基本图形不同该基板的标记抓取区域中的待抓取的标记的基本图形与其他标记的基本图形均不相同,例如当该标记包括多个基本图形时,其中的任何一个基本图形与其他标记的基本图形均不同。这样当相机抓取该标记时,就不会误抓到其他的标记,避免了误抓问题的出现,且保证了后续工艺的顺利进行,也保证了形成的器件具有良好的性能。
  • 抓取基本图形基板显示装置相机后续工艺视野区域保证申请
  • [发明专利]光刻对准方法及系统-CN202010468233.X有效
  • 冯耀斌 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-05-28 - 2021-06-01 - G03F7/20
  • 本发明提供了一种光刻对准方法及系统,方法如下:在有第一图形层的衬底上形成第二图形层,在光刻时获取第一图形层对准标记位置信息;量测第二图形层套刻偏差并计算第一、第二图形层的实际对准标记相对偏差;在第二图形层上形成第三图形层,在光刻时获取第二图形层的对准标记位置信息;将实际对准标记相对偏差代入第二图形层对准标记位置信息,得到第一图形层计算对准标记位置信息并根据计算对准标记位置信息完成第三图形层的对准。本发明通过获取第一、第二图形层的对准标记位置信息及套刻偏差,得到其实际对准标记相对偏差,并用于第三图形层对准。该方法有效消除了第三图形层对第一图形层间接对准的对准偏差,使对准更精确,提升了产品良率。
  • 光刻对准方法系统
  • [发明专利]对版标记、套刻对版标记的方法及其对准方法-CN202211080759.6在审
  • 朱肖肖;赵阳洋;赵子仪;王伟明;徐畅 - 雄安创新研究院
  • 2022-09-05 - 2022-12-16 - G03F9/00
  • 本发明提供一种对版标记、套刻对版标记的方法及其对准方法,其中,套刻标记包括:至少一第一细定位标记图形,设置在第一材料层上;第一细定位标记图形为梳齿状图形,其中,正中间的梳齿记为第一中间梳齿,第一中间梳齿的长度大于其它梳齿的长度;和至少一第二细定位标记图形,设置在第二材料层上;第二细定位标记图形为梳齿状图形,其中,正中间的梳齿记为第二中间梳齿,第二中间梳齿的长度大于其它梳齿的长度;套刻时,第一细定位标记图形与第二细定位标记图形的梳齿的开口方向相对设置,其中,第一细定位标记图形与第二细定位标记图形中的对应齿的宽度及间隔相同。本发明提供的套刻标记可以提高对准精度。
  • 标记方法及其对准
  • [发明专利]光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法和系统-CN201410229679.1有效
  • 张雷;王谨恒;陈洁;万金垠 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2014-05-27 - 2019-07-23 - G03F1/36
  • 本发明公开了一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法,包括步骤:获取半导体版图和标记层;获取半导体版图中与标记层有重叠区域的多边图形;对所述多边图形进行放大处理得到新的多边图形;将所述新的多边图形与所述标记层合成为一个新的标记层;在光学临近效应修正工艺中对被所述新的标记层覆盖的多边图形进行特殊处理。本发明还公开了一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的系统。上述光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法和系统,通过对获取的半导体版图中与标记层有重叠区域的多边图形进行放大处理后与标记层合成为一个新的标记层,能够避免出现标记层只覆盖多边图形部分区域的现象,不会增加系统的负担
  • 光学临近效应修正标记特殊处理图形方法系统

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