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[发明专利]硅碳负极材料及其制备方法和应用以及锂离子电池-CN202010513230.3有效
发明人：孙赛;张丝雨;高焕新;张同宝 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池领域，公开了硅碳负极材料及其制备方法和应用以及锂离子电池，所述硅碳负极材料包括含碳物质和依次包覆在所述含碳物质外表面的含硅材料层和无定型碳层。硅碳负极材料的制备方法包括：(1)将含碳物质与链状聚合物溶液混合，然后向其中加入硅源，将得到的混合物进行分离，得到固体物质；(2)将所述固体物质与碳源前驱体共混，然后进行焙烧。本发明所提供的硅碳负极材料可以改善纳米硅分散性，缓解硅的体积膨胀，提升材料的循环稳定性，应用于锂离子电池中可以提高锂电池的能量密度。
负极材料及其制备方法应用以及锂离子电池

[发明专利]一种炭硅材料及碳硅炭材料的制备方法-CN202111260902.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：周花姐
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种炭硅材料及碳硅炭材料的制备方法，包括多孔炭、含硅气体；将多孔炭置于容器内、对多孔炭经加热，将多孔炭加热到能使含硅气体产生分解出硅离子、氢离子或/和氯离子的温度；待容器中多孔炭加工到所需温度、将含硅气体送入到容器内，硅类气体分解的硅离子重新成核生长结合或混合于多孔炭的表面或/和孔洞之中，与多孔炭形成炭硅复合或/和混合材料。采用本发明制备的材料在应用于锂离子电池负极材料中、可以约束硅的膨胀开裂问题，同时也为硅的膨胀提供空间间隙，达到硅材料有效应用于锂离子电池负极材料。
一种材料碳硅炭制备方法

[发明专利]硅负极材料、二次电池和装置-CN202210339938.0在审
发明人：曾士哲 -专利权人：蔚来汽车科技（安徽）有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种硅负极材料以及包括该硅负极材料的二次电池和装置。本申请的硅负极材料包括含硅基体、金属层以及位于所述含硅基体和所述金属层之间的连接层，其中，所述连接层包括衍生自硅烷偶联剂的残基基团，所述金属层包括金属银和选自铜、镍、铁、锌、和钨中的至少一种金属。本申请的硅负极材料通过在金属层和含硅基体之间增加硅烷偶联剂连接层，能够有效提高包含该硅负极材料的二次电池的倍率性能和循环性能。
负极材料二次电池装置

[发明专利]Si/SiOx/C三元复合材料及其制备方法-CN202211123089.1在审
发明人：崔玉省;管佳瑜;周海;周少雄;张广强 -专利权人：常州创明超电材料科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种Si/SiOx/C三元复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：调节含硅原料的pH值使含硅原料酸化，并在酸化后的含硅原料中加入乙醇；在含硅原料中加入水对含硅原料进行水解，得到含硅原料的溶胶；将所述含硅原料的溶胶加入到多孔炭颗粒中，使溶胶被多孔炭充分吸收；加热所述多孔炭颗粒使得多孔炭孔中的溶胶形成凝胶；对多孔炭进行升温处理，使得碳原子还原孔中的硅氧聚合物；其中多孔炭的吸附过程与含硅原料的水解过程也可以倒置；采用上述方法制备的三元复合材料，多孔炭的孔内部吸附有硅氧聚合物凝胶，多孔炭具有微孔结构；该复合材料用于锂电池负极，能够大幅提高倍率性能和容量，并能够延长电池寿命、提高电池安全性。
si siox 三元复合材料及其制备方法

[发明专利]聚合的氢化硫代硅氮烷制备方法-CN88108793.9无效
发明人：蒂洛·法斯;汉斯·耶里·克莱耐;马塞鲁斯·波克特;马丁·布吕克 -专利权人：赫彻斯特股份公司
申请日： 1988-12-21 - 公布日： 1992-11-18 - 主分类号： C08G77/60 文献下载
摘要：聚合的氢化硫代硅氮烷及其制备方法，可由其制备的含四氮化三硅的陶瓷材料及其制备方法。本发明涉及新的聚合的氢化硫贷硅氮烷及其制备方法，并涉及将其转化成含四氮化三硅的陶瓷材料及这种材料本身。为了制备聚合物的氢化硫代硅氮烷，将低聚氢化烷基硅氮烷(RSiHNH)n与元素硫在醚溶剂中反应。然后，将聚合的氢化硫代硅氮烷热解，形成含四氮化三硅的陶瓷材料。
聚合氢化硫代硅氮烷制备方法

[发明专利]硅负极及其制备方法和包括该硅负极的锂离子二次电池-CN200810179247.9有效
发明人：章斌;梁桂海 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01M4/02 文献下载
摘要：锂离子二次电池的硅负极，所述硅负极包括导电基体和附着于该导电基体表面的材料层，其中，所述材料层包括含硅的材料层和氮化钛层，所述含硅的材料层附着在导电基体上，氮化钛层附着在所述含硅的材料层上。本发明还提供了该硅负极的制备方法以及包括该硅负极的锂离子二次电池。采用本发明的硅负极制备得到的电池具有较高的放电比容量、首次充放电效率和良好的循环性能。本发明提供的硅负极能够实现锂离子电池的商业化应用，且成本低。
负极及其制备方法包括锂离子二次电池

[发明专利]一种含硅复合材料及其制备方法和用途-CN200610170387.0有效
发明人：梁善火;沈菊林;肖峰 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2006-12-29 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： C08L101/12 文献下载
摘要：一种含硅复合材料，其中，该材料含有硅粒子、石墨粒子和和导电聚合物，所述导电聚合物包覆在石墨粒子的表面上，所述硅粒子至少部分附着在导电聚合物表面上。根据本发明提供的含硅复合材料以导电聚合物为包覆材料，无需将聚合物进一步转变成“硬碳”即可使该含硅复合材料具有优异的导电性，同时还能避免硅粒子之间的团聚，用作锂离子电池负极活性材料时可以使钾离子电池具有高的可逆容量和良好的循环性能，因而可用作钾离子电池负极活性材料。本发明提供的含硅复合材料的制备方法因为无需将聚合物进一步转变成“硬碳”即可使该含硅复合材料具有优异的导电性，由此简化了生产工艺，还解决了由现有技术中的高温炭化处理带来的巨大能耗问题。
一种复合材料及其制备方法用途

[发明专利]用于化学蚀刻硅的方法-CN201780037704.8有效
发明人： G·巴贾杰;R·帕蒂尔;P·古拉迪雅;R·J·维瑟 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本文提供了用于化学蚀刻硅的改进方法。在一些实施例中，蚀刻硅材料的方法包括以下步骤：(a)将硅材料暴露于含卤素气体；(b)从半导体处理腔室排出含卤素气体；(c)将硅材料暴露于胺蒸气以蚀刻硅材料的单层；(d)从半导体处理腔室排出胺蒸气；(e)任选地重复(a)‑(d)，以将硅材料蚀刻至预定厚度。
用于化学蚀刻方法

[发明专利]一种功率型LED封装用的有机硅材料及其制备方法-CN201310188543.6有效
发明人：易太生;李伟瑞;董睿智;丁钦;松·柯 -专利权人：广东信翼新材料股份有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： C08L83/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率型LED封装用的有机硅材料，由以下组分制得，含乙烯基和钛元素的硅聚合物、含硅氢键和钛元素的硅聚合物、固化催化剂和抑制剂。另外提供了一种功率型LED封装用的有机硅材料的制备方法，并公开了含乙烯基和钛元素的硅聚合物、含硅氢键和钛元素的硅聚合物的具体的制备过程。本发明提供的有机硅材料具有较高的折光率（折光率达到1.53-1.65），高透明度、优良的耐紫外老化和热老化能力等特点，是功率型LED的理想封装材料。
一种功率 led 封装有机硅材料及其制备方法

[发明专利]一种含硫聚硅氧烷/聚甲基丙烯酸甲酯光散射复合材料的制备方法-CN201910654973.X有效
发明人：姜彦;蒋鲸喆;李建平;陈玉瑛;张洪文 -专利权人：常州大学
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C08F283/12 文献下载
摘要：本发明属于光散射复合材料领域，特别涉及一种含硫聚硅氧烷/聚甲基丙烯酸甲酯光散射复合材料的制备方法：使用γ‑巯丙基三甲氧基硅烷对聚硅氧烷进行改性得到不同种类含硫聚硅氧烷，然后通过自由基聚合将含硫聚硅氧烷引入甲基丙烯酸甲酯中制备得到光散射材料制得的材料对光的散射较为均匀，同时透光率下降的也不多。通过加入不同量的含硫聚硅氧烷可以制备出雾度可调控的光散射材料。
一种含硫聚硅氧烷甲基丙烯酸甲酯光散射复合材料制备方法

[发明专利]提高含硅芳炔树脂基复合材料力学性能的方法-CN201510408385.X在审
发明人：黄发荣;袁荞龙;杨丽;章婷婷;张涛;刘志华;杜磊 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： C08L83/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高含硅芳炔树脂基复合材料力学性能的方法，具体步骤为：将含炔丙基醚的苯并噁嗪与含硅芳炔树脂(PSA)在溶剂中混合均匀，通过浸渍法制得碳纤维与改性含硅芳炔树脂PSA的预浸料；将碳纤维与改性含硅芳炔树脂的预浸料叠加后，经热压成型制备得到碳纤维增强改性含硅芳炔树脂复合材料。本发明制备的炔丙基醚型苯并噁嗪改性含硅芳炔树脂加工窗口宽，可在120～260℃固化成型，且固化时不释放出小分子物质，固化后改性含硅芳炔树脂的玻璃化转变温度仍大于500℃，热稳定性影响不大，PSA树脂改性后力学性能得以提高碳纤维增强的改性PSA基复合材料的层间剪切强度明显提高，可望用作耐高温轻质结构材料。
提高含硅芳炔树脂复合材料力学性能方法

[发明专利]环状硅氧烷化合物、含硅膜形成材料及其用途-CN200680003726.4有效
发明人：原大治;高森真由美 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2006-01-17 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本发明目的在于提供新型的含硅膜形成材料，尤其是含有适用于PECVD装置的环状硅氧烷化合物的低介电常数绝缘膜用材料，并提供使用该材料的含硅膜及含这些膜的半导体器件。本发明涉及含有下述通式(1)(式中，A表示含有选自氧原子、硼原子及氮原子中至少一种的基团，n表示1或2、x表示2～10的整数)所示环状硅氧烷化合物的含硅膜形成材料及其用途等。
环状硅氧烷化合物含硅膜形成材料及其用途

[发明专利]磷掺杂软碳包覆硅基锂离子负极材料及其制备方法和应用-CN202010543295.2有效
发明人：潘明军;刘柏男;罗飞 -专利权人：溧阳天目先导电池材料科技有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷掺杂软碳包覆硅基锂离子负极材料及其制备方法和应用。以含磷气源或者高沸点含磷化合物为掺杂材料，将掺杂材料的蒸气与预先加热好的硅源蒸气在1200℃‑1700℃进行气相混合反应1‑24小时，得到磷掺杂氧化亚硅材料；其中，所述硅源蒸气为硅蒸气与二氧化硅蒸气的混合蒸气；所述含磷气源为在常温下为气态的含磷化合物，所述高沸点含磷化合物为在常温下为液态或固态的含磷化合物；将磷掺杂氧化亚硅材料冷却至室温并出料破碎筛分；将破碎筛分后的物料进行飞行时间二次离子质谱分析测试，确认磷掺在氧化亚硅中的掺杂均匀性是否满足预设条件；将掺杂均匀性满足预设条件的物料进行碳包覆，即得磷掺杂硅基锂离子电池负极材料。
掺杂软碳包覆硅基锂离子负极材料及其制备方法应用

[发明专利]半导体元件及其形成方法-CN202110396400.9在审
发明人：黄振浩;卢皓彦;许隨赢;李玥瑩;吴建瑩;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体元件及其形成方法，在半导体基板的硅层中形成至少一个掺杂硅区域，并且在硅层上方形成氧化硅层。含锗材料部形成在半导体基板中，以提供p‑n结或p‑i‑n结。p‑n结或p‑i‑n结具有含锗材料部和至少一个掺杂硅区域之一。在含锗材料部上方形成不含锗的覆盖材料层。在氧化硅层和覆盖材料层上方形成第一介电材料层。第一介电材料层包括凸台区域。凸台区域从含锗材料部抬升一个覆盖材料层的厚度。覆盖材料层可以是硅覆盖层，或者可以随后被去除以形成空腔。含锗材料部的暗电流减少了。
半导体元件及其形成方法

[发明专利]含硅负极片、其制备方法以及由其制作的锂离子二次电池-CN202010668673.X在审
发明人：朱继涛;王晓明;刘勇标;黄士斌;徐强 -专利权人：江苏卓高新材料科技有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明涉及一种含硅负极片、其制备方法以及由其制作的锂离子二次电池。所述含硅负极片包含：1)集流体；2)多孔复合层，其位于所述集流体上；以及3)含硅负极材料层，其位于所述多孔复合层上，所述多孔复合层可以设置在集流体的一侧或两侧上，在多孔复合层上设置含硅负极材料层。本发明的含硅负极片中的含硅负极材料与集流体之间的粘接力得到改善，由此，由其制备的锂离子二次电池具有较高的能量密度和较好的循环性能，很好地满足工业化的应用。
负极制备方法以及制作锂离子二次电池