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[发明专利]一种乳房假体外壳材料、制备方法及应用-CN202010021332.3有效
发明人：王文才;罗瑞霞;张立群;周鑫鑫;熊志星 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： A61L27/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种乳房假体外壳材料、制备方法及应用。所述材料是由包括以下组分的原料硫化后制得：聚氨酯、含硅聚氨酯、硅橡胶、白炭黑和硫化剂；各组分按重量份数计，聚氨酯和硅橡胶100重量份；含硅聚氨酯4～8重量份；白炭黑12～20重量份；聚氨酯和硅橡胶的用量比为制备方法包括：所述组分按所述用量共混硫化后制得所述乳房假体外壳材料。本发明采用含硅聚氨酯做相容剂，将外壳材料制备成聚氨酯/含硅聚氨酯/硅橡胶的复合材料，有效解决了聚氨酯与硅橡胶相容性差的情况。复合材料的乳房假体外壳，强度更大，防渗性更好。
一种乳房体外材料制备方法应用

[发明专利]一类含硅快速图形化嵌段共聚物的制备和应用方法-CN202110575506.5在审
发明人：邓海;周家诺 -专利权人：上海雅天微电纳刻材料科技有限公司;复旦大学
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C08F293/00 文献下载
摘要：本发明涉高分子材料技术领域，具体涉及一种组装尺寸和组装形貌高度可控且PDI较小的含硅快速图形化嵌段共聚物，以及该含硅快速图形化嵌段共聚物的制备方法和作为复合图形化材料的应用。本发明设计合成了一类同时具有超高分辨率、高刻蚀对比度且可在低温下快速自组装的含硅DSA快速图形化嵌段共聚物，所述含硅快速图形化嵌段共聚物不仅能够在80℃下仅通过1min退火就能形成稳定的超高纳米结构，且由于含硅组分的存在，所述含硅快速图形化嵌段共聚物还具有较高的抗刻蚀选择性。
一类快速图形化嵌段共聚物制备应用方法

[发明专利]聚(1，2-亚乙基桥接氯硅氮烷)的制备方法-CN89108965.9无效
发明人：提罗·瓦斯;马塞路斯·皮尤克特;马丁·布鲁克 -专利权人：赫彻斯特股份公司
申请日： 1989-12-02 - 公布日： 1996-10-30 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及新的聚(1，2-亚乙基桥接氯硅氮烷)，其制备、其加工成含氮化硅的陶瓷材料，以及涉及这种材料本身。本发明的聚氯硅氮烷可通过与氨反应转化成聚硅氮烷，它们可被热解成含氮化硅的陶瓷材料。
乙基桥接氯硅氮烷制备方法

[发明专利]一种高稳定性生物乙醇制乙烯催化剂及制备和应用-CN201811066337.7有效
发明人：王峰;李书双 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： B01J29/03 文献下载
摘要：它是在含硅介孔分子筛的制备过程中原位引入制备含硅杂多酸(盐)的原料，使含硅杂多酸(盐)与含硅介孔分子筛材料原位同步生成，由于二者原料均含有硅酸根组份，通过硅氧四面体的连接，所生成的含硅杂多酸(盐)会被“锚定”在含硅介孔分子筛材料骨架中。不仅可以有效避免杂多酸(盐)活性组份在反应过程中的流失，还可以进一步提升含硅介孔分子筛的水热稳定性。该制备方法操作简单，易于放大。
一种稳定性生物乙醇乙烯催化剂制备应用

[发明专利]用于薄SOI整合的MOS晶体管及其制造方法-CN200880024931.8无效
发明人： J·A·雅各布尼;K·迈特拉 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一个范例方法包含以下步骤：提供覆盖在埋植绝缘层(104)上的硅层(106)以及外延生长覆盖在该硅层上的含硅材料层(108)。在该含硅材料层内蚀刻沟槽(112)而使该硅层曝露。利用该栅极堆栈作为注入掩膜而将导电率决定类型的离子(142)注入在该含硅材料层内。
用于 soi 整合 mos 晶体管及其制造方法

[发明专利]低硅球化剂的生产及其应用-CN201110438707.7有效
发明人：刘年路;刘昌晨 -专利权人：天津市万路科技有限公司;刘年路;刘昌晨
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C22C33/10 文献下载
摘要：一种关于生产球墨铸铁的低硅球化剂的球化处理方法，其特征是利用方形钢管在其内部将含有化学成分是含硅量为10～20％余量为镁的镁硅合金12～15％，其总含硅量为15～25％，含Ca1～2％，含RE0.5～1％，余量为Fe的的粉状材料及含镁量≤5％的稀土硅铁合金分层压入，制成整体球化剂；其方形钢管内压入的材料是：含硅量为10～20％余量为镁的镁硅合金粉，其含硅量在50～60％的硅铁粉，其中的含钙量以硅铁中的含钙量带入或以硅钙合金的方式加入，稀土成分以含镁量≤5％的稀土硅铁合金的方式加入；其制作方法为：先将方形钢管内所需的镁硅合金粉、硅铁粉及铁粉按比例机械混合均匀，采用压力机将其压实在方形钢管内；配合球化处理装置，采用冲入包内法进行球化处理
低硅球化剂生产及其应用

[发明专利]耐高温含硅芳炔树脂泡沫材料及其制备方法-CN201410325911.1有效
发明人：邓诗峰;李登同;杜磊;周燕;魏杨;戴丹维;程利;蒋孝杰 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C08L65/00 文献下载
摘要：本发明涉及耐高温含硅芳炔树脂泡沫材料及其制备方法，其含硅芳炔树脂是一种近年发展起来的有机无机杂化材料，它具有优良的介电性能、机械性能和高温陶瓷化性能，可作为耐高温烧蚀防热材料、耐高温透波材料以及耐高温陶瓷的前驱体，在电子、信息、航空航天领域得以应用；本发明公开了含硅芳炔树脂泡沫的制备方法，该方法是先将含硅芳炔树脂基体经预聚后加入发泡剂和助发泡剂，再进行高温固化，即可制得发泡树脂，该泡沫按质量份计是由以下组份经发泡固化所得含硅芳炔树脂该方法所制备泡沫材料具有耐热性能好，导热系数低，吸水率小，压缩强度大，介电性能优异等特点。
耐高温含硅芳炔树脂泡沫材料及其制备方法

[发明专利]聚硅氮烷的制备方法-CN88108250.3无效
发明人：迪罗·威斯;汉斯-杰尔·克来诺;玛塞鲁斯·波克特;马丁·布吕克 -专利权人：赫彻斯特股份公司
申请日： 1988-12-02 - 公布日： 1993-06-30 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及新型聚硅氮烷、其制备方法、将其进一步加工成含四氯化三硅的陶瓷材料的方法和该陶瓷材料本身。为了制备该聚硅氮烷，用结构式为RSiC12-NR1-SiCl2R的Si，Si1-二有机基-N-烷基-四氯-二硅氮烷与氨反应。然后可将该聚硅氮烷热解为含四氮化三硅的陶瓷材料。本发明的聚硅氮烷溶于通常的质子惰性溶剂。
聚硅氮烷制备方法

[发明专利]环己基LED封装材料及其制备方法-CN201910535803.X有效
发明人：易太生;柯明新;杨晖宇 -专利权人：矽时代材料科技股份有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种环己基LED封装材料，包含以下重量份的成分：含乙烯基和环己基的硅聚合物100份、含硅氢键和环己基的硅聚合物100～1000份。该材料为高折光指数(折光率≥1.51)的有机硅材料，具有高透明度、耐高温黄变、及优良的耐紫外老化等特点，是理想的LED封装材料。同时，本发明还公开一种所述环己基LED封装材料的制备方法。
环己基 led 封装材料及其制备方法

[发明专利]负极材料及包含其的电化学装置和电子装置-CN201911115652.9有效
发明人：陈志焕;姜道义;崔航;谢远森 -专利权人：宁德新能源科技有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请涉及负极材料及包含其的电化学装置和电子装置。本申请负极材料包括含硅颗粒，所述含硅颗粒包括硅复合物基体和聚合物层，所述聚合物层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，并且所述聚合物层包含碳材料。本申请负极材料具有良好的循环性能，同时由该负极材料制备的电池具有较好的倍率性能和较低的膨胀率。
负极材料包含电化学装置电子

[发明专利]负极材料及包含其的电化学装置和电子装置-CN202110593040.1有效
发明人：陈志焕;姜道义;崔航;谢远森 -专利权人：宁德新能源科技有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请涉及负极材料及包含其的电化学装置和电子装置。本申请负极材料包括含硅颗粒，所述含硅颗粒包括硅复合物基体和聚合物层，所述聚合物层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，并且所述聚合物层包含碳材料。本申请负极材料具有良好的循环性能，同时由该负极材料制备的电池具有较好的倍率性能和较低的膨胀率。
负极材料包含电化学装置电子

[发明专利]一种预锂化含硅负极及其制备方法-CN202110476929.1在审
发明人：张文;屠芳芳;陈冬;刘桃松;张焱;杨东辉;胡雨萌;党志敏 -专利权人：浙江南都电源动力股份有限公司;杭州南都动力科技有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明涉及一种预锂化含硅负极及其制备方法，锂离子电池，包括负极集流体、负载在所述负极集流体上的硅负极材料和负载在所述硅负极材料表面的功能涂层，将所述含硅负极进行预锂化；所述功能涂层隔绝金属锂与硅负极材料接触本发明的功能涂层提升电子电导率主要提升的是硅负极与金属锂接触面的电导率，采用的预锂化方法是将锂箔通过机械辊压的方式覆在负极表面，是两种固体材料之间物理方式的接触，很难保证每个部分都能紧密均匀接触，因而在其表面涂布一层导电涂层，起到隔绝含硅负极与金属锂反应，避免预锂化时金属锂损失和热失控，提升电子电导率的作用。
一种预锂化含硅负极及其制备方法

[发明专利]硅碳负极材料及其制备方法和应用-CN202310615699.1在审
发明人：田新;江宏富;张建立;姚倩楠;蒋文武 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了硅碳负极材料及其制备方法和应用，该方法包括：将分散剂、有机硅烷和硅混合，得到含硅浆料；对含硅浆料进行研磨处理，得到纳米硅浆料；将纳米硅浆料与有机碳源混合并进行干燥处理，得到复合粉体；对复合粉体进行第一煅烧处理，在纳米硅表面形成含碳的第一包覆层；将具有第一包覆层的纳米硅和含碳有机气体混合后进行第二煅烧处理，在第一包覆层上形成含碳的第二包覆层；将具有两层包覆层的纳米硅与石墨和有机碳源混合，进行第三煅烧处理，以便得到硅碳负极材料该方法生产工艺简单，制得的纳米硅氧含量较低、导电率较高，而且对纳米硅碳包覆均匀、致密、完整，有利于提高电池的首次效率、能量密度、倍率性能和循环稳定性。
负极材料及其制备方法应用

[发明专利]多晶硅薄膜层淀积方法-CN201310202352.0有效
发明人：许忠义 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：一种多晶硅薄膜层淀积方法，包括：提供基底，同一所述基底表面形成有不同材料层，各材料层位于不同区域，或者，至少两个所述基底表面形成有不同的材料层；将所述基底放入反应腔；往所述反应腔内通入预淀积气体，进行预淀积，在所述基底上形成第一多晶硅薄膜层；其中所述预淀积气体包括稀释气体和含硅气体，所述含硅气体的体积比为1%-50%，所述预淀积气体的流速为100-1000sccm；往所述反应腔内通入主淀积气体，进行主淀积，在所述第一多晶硅薄膜层上形成第二多晶硅薄膜层，所述主淀积气体为含硅气体或包括含硅气体与稀释气体。通过该多晶硅薄膜层淀积方法，可以得到厚度精确和厚度均一的多晶硅薄膜层。
多晶薄膜层淀积方法

[发明专利]石墨包覆含金属颗粒硅纳米片快充负极材料及方法和电池-CN202111500111.5有效
发明人：汪雷;陈静;祝洪良 -专利权人：海宁硅泰科技有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨包覆含金属颗粒硅纳米片快充负极材料及方法和电池。制备方法是将硅化钙和还原剂在无水金属氯化物溶液中混合形成浆料，将浆料于搅拌条件下充分反应，得到沉淀物A；将沉淀物A清洗后冷冻干燥，得到含金属颗粒硅纳米片；将含金属颗粒硅纳米片依次经化学气相沉积和热处理后，得到石墨包覆含金属颗粒硅纳米片快充负极材料。本发明工艺简单，不需要严格的无氧条件便可制备硅纳米片，适用于工业化生产。该材料制备的锂离子电池具有快充性能好、高稳定性和倍率性能优异等优势。
石墨包覆含金属颗粒纳米片快充负极材料方法电池