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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图像检测装置-CN200810144154.2无效
发明人：冈田美广 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2008-07-29 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：传感器面板包括：半导体层，该半导体层形成于由具有光线透射特性的构件形成的基板上，并响应辐射到该半导体层的X－射线产生电荷；以及各自包含两对电极的多个积聚部分，其中每对电极都彼此相面对设置，所述积聚部分形成于半导体层和基板之间，以将产生的电荷积聚到半导体层作为构成图像的像素的信息。积聚部分的各电极都形成为使得具有至少预定强度的光线从灯辐射到形成积聚部分的半导体层的区域。
图像检测装置

[发明专利]具有多重蚀刻结构的太阳能电池晶片及其制造方法-CN200710136611.9无效
发明人：向国成;张峰豪;陈彦彰;曹哲彰 -专利权人：科冠能源科技股份有限公司
申请日： 2007-07-18 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种具有多重蚀刻结构的太阳能电池晶片及其制造方法，在第一掺杂型半导体衬底上，使用各向同性蚀刻溶液来蚀刻，使其表面上可形成多个微型山脉的蚀刻结构，之后，再使用各向异性蚀刻溶液来蚀刻，使第一掺杂型半导体衬底表面的微型山脉上之后，进行掺杂工艺，以在第一掺杂型半导体衬底上，形成第二掺杂型半导体层，再形成分别连接第一掺杂型半导体衬底与第二掺杂型半导体层的多个电输出电极。
具有多重蚀刻结构太阳能电池晶片及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610156240.6无效
发明人：岛贯好彦 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明避免了半导体器件中的引线连接故障。一种半导体器件包括：具有沿其主表面周边设置成一行的多个接合导线的封装基片、安装在封装基片主表面上的那行接合导线内侧的半导体芯片、用于使半导体芯片的焊盘与基片的接合导线相连的引线、用于树脂密封半导体芯片和多个引线的密封体每个引线形成的环的顶部设置在引线连接部的外部，以便使引线长度在接合导线与半导体芯片焊盘之间的连接中增大。结果，引线具有稳定的环形形状，并且能够避免引线连接故障。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN200610160942.1无效
发明人：渡部义昭;日野智公;小林俊雅;成井启修 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-12-01 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件具有高反射率，并且在反光层和半导体层之间具有高电接触属性。该半导体发光器件是通过顺序层叠半导体层、基底层和反光层形成的。半导体层是通过顺序层叠缓冲层、GaN层、n型接触层、n型覆层、有源层、p型覆层和p型接触层形成的。
半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610135634.3无效
发明人：小川久;内藤康志;工藤千秋 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有被FUSI化了的栅电极的半导体装置，可以有效地形成应力膜，可以提高半导体装置的电气特性。半导体装置具备：形成于半导体基板(1)上的具有被镍完全硅化物化了的完全硅化物栅电极(24A)的n型MIS晶体管(100A)、具有被镍完全硅化物化了的完全硅化物栅电极(24B)的p型MIS晶体管(100B在半导体基板(1)上，以至少将完全硅化物栅电极(24B)覆盖的方式形成有作为使该半导体基板(1)的完全硅化物栅电极(24A)的下侧部分的沟道区域产生应力应变的应力膜的第二基底绝缘膜(17)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其形成方法-CN200610094197.5无效
发明人：王志豪;王大维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-06-27 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其形成方法，可减少栅极间隔物下的凹陷。上述的半导体元件包括一栅极结构于基板上、一侧壁间隔物于栅极结构的侧壁、一小于30埃的凹陷区域于侧壁间隔物下、以及至少部分位于基板中且邻接凹陷区域的硅合金区域。硅合金区域的厚度实质上大于30纳米。上述的半导体元件较佳为p型金属氧化物半导体元件。上述半导体形成方法可减少金属氧化物半导体元件的接面深度，可改善短沟道效应并增加元件驱动电流。
半导体元件及其形成方法

[发明专利]光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法-CN200510090641.1无效
发明人：李桂荣;郑厚植;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-08-18 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别是半导体低维量子结构中量子点的光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法。通过选择光激发下电容—电压测量，利用低维半导体结构内部两层之间电子态隧穿耦合引起的光电容特征结构，来确定量子点电荷密度。对半导体量子点器件的研制、开发和应用具有重要意义。对于含量子点的半导体多层异质结构，在选择光激发条件下，通过常规电容—电压测量，利用量子点和另一限制层(量子阱、量子线或量子点)之间的量子态隧穿耦合引起的电容谱特征结构，可以很容易得到量子点的电荷密度。
电容确定半导体量子点电荷密度方法

[发明专利]半导体激光器模块-CN200810003029.X无效
发明人：伊藤彰浩;栗原佑介;清水淳一;山田英行 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2008-01-10 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种插座式半导体激光器模块(TOSA)包括半导体激光器、透镜和光纤插芯。该光纤插芯具有倾斜的切割面，从半导体激光器发出并穿过透镜的发射光入射到该倾斜的切割面。半导体激光器还包括固定的光衰减器，其布置在半导体激光器发射光的路径上，并且具有相对半导体激光器的光轴倾斜的入射面。通过这样的配置，能抑制近端反射和由与光纤插芯连接的光纤软线的偏心距所导致的耦合起伏。
半导体激光器模块

[发明专利]封装半导体元件方法、制作引线框架方法及半导体封装产品-CN200710301163.3无效
发明人：陈南璋;林泓均 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种封装半导体元件方法、制作引线框架方法及半导体封装产品，该封装半导体元件方法包含：将半导体元件安置于引线框架的芯片垫座的主要部分之上，该芯片垫座另有一个以上的次要部分与一个以上的分隔部分，该次要部分与该主要部分透过该分隔部分连接；将半导体元件的一组信号线分别连接到该引线框架的多个导脚；对该半导体元件与该引线框架进行模包装，其中该芯片垫座的底面曝露在模包装外；以及从芯片垫座的底面对该分隔部分进行分离蚀刻，使该主要部分与该次要部分电性分离
封装半导体元件方法制作引线框架产品

[发明专利]半导体器件-CN200810089775.5无效
发明人：炭田昌哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-08-02 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：根据本发明的半导体器件包括：具有预定功能的第一半导体集成电路(11)，该第一半导体集成电路输出所需的输出信号；第二半导体集成电路(12)，其中提供有多个用于根据具有不同定时的多个栅极信号独立地来回转换导通状态和非导通状态的MOS元件(PMOS晶体管或NMOS晶体管)，并且该多个MOS元件并联连接到该第一半导体集成电路的输出或输入；脉冲产生电路(13)，用于产生和输出多个栅极信号φi(i＝1，2，3)，每个栅极信号具有关于该第二半导体集成电路中的多个
半导体器件

[发明专利]半导体晶片激光刻蚀开沟方法-CN200810018637.8无效
发明人：吴念博 -专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
申请日： 2008-03-03 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种半导体晶片激光刻蚀开沟方法，其特征在于：利用激光束垂直辐射半导体晶片表面，伴随激光束与半导体晶片之间的相对移动，在移动路径上激光束以熔化并蒸发的方式刻蚀辐射区表层的材料，以此在半导体晶片表面形成沟槽本发明涉及半导体制造技术，该方法不仅环保高效，同时克服了以往利用湿法或干法刻蚀进行开沟所存在的不足，提高了开沟精度、稳定性和一致性，降低了成本，丰富了半导体晶片表面刻蚀开沟的加工工艺。
半导体晶片激光刻蚀方法

[发明专利]处理半导体晶片的激光束处理设备、方法及半导体晶片-CN200510099670.4无效
发明人：木田刚 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-09-02 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：在处理半导体晶片(SW)的激光束处理设备中，激光束生成器系统(60，68)生成激光束，并且移动系统(12，78，80)相对于激光束相对地移动半导体晶片，从而沿划线用激光束照射半导体晶片，以沿划线从半导体晶片部分地去除多层布线结构照射控制系统控制沿划线用激光束照射半导体晶片，从而将对准标记保留在划线上。其中半导体晶片(SW)具有在其上形成的多层布线结构(MWS)、在其上定义的划线(FSL_m，SSL_n)、以及在划线中的任何一条划线上形成的至少一个对准标记(AM
处理半导体晶片激光束设备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510090348.5无效
发明人：土屋义规;西山彰 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-08-12 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括：具有隔离区域的半导体衬底；p型MIS晶体管，包括形成于所述半导体衬底中的一对源极/漏极区域，形成于所述半导体衬底上的栅极绝缘膜，和形成于所述栅极绝缘膜上的栅电极，并至少在所述栅电极/栅极绝缘膜的界面上具有第一金属层；以及n型MIS晶体管，包括形成于所述半导体衬底中的一对源极/漏极区域，形成于所述半导体衬底上的栅极绝缘膜，和形成于所述栅极绝缘膜上的栅电极，并至少在所述栅电极/栅极绝缘膜的界面上具有所述第一金属的硼化物层
半导体器件及其制造方法

[发明专利]固体摄像装置用半导体元件和采用该元件的固体摄像装置-CN200510004807.3无效
发明人：小沢浩二;宫沢洋一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：其解决方式是提供一种固体摄像装置用半导体元件(10)，其具有半导体元件本体(12)(半导体芯片)，其中该半导体元件本体(12)具备具有摄像元件部(11)的摄像区域(14)和具有电极(13)的连接区域(15)，在半导体元件本体(12)的摄像区域(14)上接合有覆盖着所述摄像区域的透明树脂层(17)。固体摄像装置用半导体元件(10)通过接合在安装基板上构成固体摄像装置。
固体摄像装置半导体元件采用

[发明专利]半导体晶片,生产半导体晶片的装置及方法-CN200510009403.3无效
发明人：格奥尔格·皮奇;米夏埃多·克斯坦;维尔纳·布拉哈 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2005-02-05 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产半导体晶片的方法，包括双面磨削半导体晶片，其中，在半导体晶片的两侧采用磨具同时先粗磨削，然后精磨削其中，在粗磨削与精磨削之间的半导体晶片仍然被夹持在磨床上，并且在从粗磨削过渡到精磨削过程中本发明还涉及进行该生产方法的装置及所生产的半导体晶片，所生产的半导体晶片的前表面在2毫米×2毫米区域的测量窗中具有少于16纳米的局部平坦值，在10毫米×10毫米区域的测量窗中具有少于40纳米的局部平坦值
半导体晶片生产装置方法

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