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[发明专利]可变电阻元件-CN200810082835.0有效
发明人：吉田尚义;田中均;松冈大 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2008-02-28 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种能够使温度特性稳定化的可变电阻元件。在可变电阻元件(1)中，在可变电阻素体(3)内的以ZnO为主要成份的粒子(20)的粒子内部(21)中存在着Ca，粒子边界(22)中也存在着Ca。据此，在可变电阻素体(3)中，以ZnO为主要成份的粒子(20)的粒子内部(21)的氧缺陷被Ca取代，陶瓷组织变成致密的结构。另外，在粒子(20)的粒子边界(22)中，例如烧成助剂Si等具有使可变电阻元件(1)的温度特性的稳定性下降的倾向的元素的存在比例得到降低。其结果，在可变电阻元件(1)中，使得温度特性稳定化，并且能够减小相对于温度的变化的电容以及tanδ的变化。
可变电阻元件

[发明专利]可变电阻元件-CN200610164345.6无效
发明人：斋藤洋;松冈大;相马出;曾根英明 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-12-14 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：本发明的可变电阻元件具有可变电阻素体、多个内部电极对、连接导体和多个端子电极。可变电阻素体具有相互面对的第一和第二主面；各内部电极对具有第一和第二内部电极。第一内部电极和第二内部电极以其至少一部分之间相互面对的方式配置在可变电阻素体内；连接导体配置在第一主面上，电连接多个内部电极对中的规定的内部电极对的第一内部电极之间；端子电极配置在第二主面上，设置成与多个内部电极对的各第二内部电极对应
可变电阻元件

[发明专利]可变电阻元件-CN202010884663.X在审
发明人：河合宏树;小松克伊;大坊忠臣;德平弘毅;吉川将寿;伊藤雄一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：实施方式的可变电阻元件具备积层体，所述积层体配置在第1电极与第2电极之间，且包含可变电阻层(5)与含硫族元素层。
可变电阻元件

[发明专利]可变电阻元件-CN200710089153.8有效
发明人：斋藤洋;田中均;沼田真;佐藤弘幸;武内吾郎 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-03-20 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：本发明提供的层叠型片状可变电阻(V1)具备可变电阻素体(10)、第1和第2内部电极(12、14)、热传导体(16)、第1和第2外部电极(18、20)。可变电阻素体(10)具有第1和第2外表面(22、24)。第1和第2内部电极(12、14)以至少其一部分之间相互相对的方式配置在可变电阻素体(10)内。热传导体(16)的一端面(16a)露出于第1外表面(22)，另一端面(16b)露出于第2外表面(24)，以从第1外表面(22)向第2外表面(24)的方向延伸的方式形成在可变电阻素体(10)内。
可变电阻元件

[发明专利]用于读磁性存储介质的读出机构、存储设备和方法-CN200710104744.8无效
发明人： I·E·伊本;L·L·特雷特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-04-25 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： G11B5/02 文献下载
摘要：一种用于读磁性存储介质的读出机构，包括第一和第二可变电阻元件以及读出元件。每个第一和第二可变电阻元件具有可变电阻。每个读出元件具有至少依赖于当前正在被读的介质的部分的电阻。每个读出元件的第一端和第二端分别电连接到对应的第一和第二可变电阻元件。对于每个读出元件，读出元件电连接到的第一可变电阻元件的可变电阻等于读出元件电连接到的第二可变电阻元件的可变电阻，使得在每个读出元件处的中点电压相等。对于每个读出元件，选择读出元件电连接到的第一和第二可变电阻元件的可变电阻，从而使得期望的电流流过读出元件。
用于磁性存储介质读出机构设备方法

[发明专利]温度控制系统及方法-CN201811300603.8有效
发明人：张芳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：本发明提供的温度控制系统和温度控制方法，包括可变电阻元件和控制模块，可变电阻元件与加热元件串联，控制模块用于根据加热元件的阻值变化调节可变电阻元件的阻值大小，以使加热元件的阻值与可变电阻元件的阻值之和维持在预定阻值通过设置可变电阻元件，即便加热元件的阻值因温度的变化而变化，也能够通过调节可变电阻元件的阻值使得加热元件与可变电阻元件的阻值之和保持不变，进而，由于在控制系统中控制对象的温度是恒定的，减小温控过长中电阻值的波动
温度控制系统方法

[发明专利]汽车电池可变电阻保护元件及制备方法-CN202210580587.2在审
发明人：宋汉冲;陈克光 -专利权人：东莞市仕易陶瓷科技有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： B29C67/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种汽车电池可变电阻保护元件及制备方法，其中汽车电池可变电阻保护元件包括可变电阻基体，内含金属离子介质，该可变电阻基体为蜂窝状，至少一组内部电极，置于可变电阻基体的内部，至少一组外部电极，置于可变电阻基体的外部与内部电极对应设置；所述可变电阻基体由无机树脂与陶瓷材料混合后加入金属离子介质烧结后由模具压制而成。一种汽车电池可变电阻保护元件的制备方法，包括如下步骤：将无机树脂、陶瓷材料、金属离子混合后烧结熔融由模具压制而成。本发明通过对汽车电池加入可变电阻保护元件，当温度变化、压力变化以及湿度变化时，电阻率降低，可以明显形成阻断，保护汽车电池。
汽车电池可变电阻保护元件制备方法

[发明专利]发光装置-CN201310018363.3有效
发明人：杨立诚 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开一种发光装置，其包括基板及发光元件。基板包括第一可变电阻部、第二可变电阻部、绝缘部及承载部。绝缘部位于第一可变电阻部与第二可变电阻部之间。承载部受该绝缘部所环绕，且发光元件设于承载部上。第一可变电阻部、第二可变电阻部及绝缘部贯穿基板。
发光装置

[发明专利]电阻可变型存储器及其写入方法-CN201410352443.7有效
发明人：矢野胜 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够进行可靠性高的设置及重设的写入的电阻可变型存储器及其写入方法。本发明的电阻可变型存储器包括：存储器阵列，包含将可逆性且非易失性的可变电阻元件与选择用晶体管串联连接在位线(BL)与源极线(SL)之间而成的存储元件；行选择部，选择行方向的选择用晶体管；列选择部，选择列方向的可变电阻元件；及控制部，控制可变电阻元件的写入。控制部对所选择的位线及源极线施加用来重设可变电阻元件的偏压电压，且对所选择的选择用晶体管的栅极施加电压逐渐增加的脉冲。防止经重设的可变电阻元件中流通过剩的电流。通过抑制经重设的可变电阻元件的过剩电流，可抑制可变电阻元件劣化的速度，而且使可变电阻元件的设置变得容易。
电阻变型存储器及其写入方法

[发明专利]传感器和包括其的显示装置-CN201810105416.8有效
发明人：洪元基;李太熙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F3/045 文献下载
摘要：所述显示装置包括：显示面板；可变电阻元件，布置在显示面板上；第一驱动布线和第一感测布线，连接到可变电阻元件，可变电阻元件设置在第一驱动布线和第一感测布线之间；第二驱动布线和第二感测布线，连接到可变电阻元件，可变电阻元件设置在第二驱动布线和第二感测布线之间。可变电阻元件中的第一驱动布线与第一感测布线之间的第一电流路径与可变电阻元件中的第二驱动布线与第二感测布线之间的第二电流路径不同。
传感器包括显示装置

[发明专利]可变电阻存储器件-CN201310192818.3有效
发明人：朴南均 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种可变电阻存储器件包括多个列选择开关；多个可变电阻存储器单元，所述多个可变电阻存储器单元被配置成层叠并且通过多个列选择开关来选择；以及位线，所述位线与多个可变电阻存储器单元连接。多个可变电阻存储器单元中的每个包括双向阈值开关OTS元件以及与OTS元件并联连接的可变电阻器，所述OTS元件通过被布置成层叠的多个字线选择性地驱动。
可变电阻存储器件

[发明专利]可变电阻存储器件-CN201810078207.9有效
发明人：朴南均 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种可变电阻存储器件包括：多个列选择开关；多个可变电阻存储器单元，所述多个可变电阻存储器单元被配置成层叠并且通过多个列选择开关来选择；以及位线，所述位线与多个可变电阻存储器单元连接。多个可变电阻存储器单元中的每个包括双向阈值开关OTS元件以及与OTS元件并联连接的可变电阻器，所述OTS元件通过被布置成层叠的多个字线选择性地驱动。
可变电阻存储器件

[发明专利]发光装置-CN200610074400.2无效
发明人：金泽实雄;下条信荣;松冈大;须藤公夫;沼田真;斋藤洋 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-04-14 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置，其具备半导体发光元件和层叠型片状可变电阻。层叠型片状可变电阻具有，配置了可变电阻部的层压体和在层压体的外表面上配置的多个外部电极。可变电阻部具有以ZnO为主要成分且表现电压非直线特性的可变电阻层，和以夹着该可变电阻层的方式配置的多个内部电极。多个外部电极分别连接于多个内部电极中的对应的内部电极。半导体发光元件配置在层叠型片状可变电阻上。半导体发光元件以并联连接于可变电阻部的方式，连接于多个外部电极中的对应的外部电极。
发光装置

[发明专利]半导体存储装置及半导体装置-CN201210375954.1有效
发明人：名仓满;粟屋信义;石原数也;世古明义 -专利权人：夏普株式会社;尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置，能够使向可变电阻元件的电压施加极性不同的2种写入工作后的各验证工作分别低功耗且高速地执行。写入电路（22）构成为能分别执行设定工作和重置工作，设定工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻低电阻化，重置工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻高电阻化，读出电路（21）构成为能够分别执行第1读出工作和第2读出工作，第1读出工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态，第2读出工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态。
半导体存储装置

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN200780003089.5有效
发明人：细井康成;粟屋信义;井上公 -专利权人：夏普株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2007-01-09 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供一种非易失性半导体存储装置，能进行针对电阻特性根据电压施加而变化的可变电阻元件的稳定高速的切换动作。用于向可变电阻元件施加电压的负载电路以能与可变电阻元件串联电连接的方式设置，以负载电路的负载电阻特性可在两种不同特性间切换的方式构成，在可变电阻元件的电阻特性从低电阻状态转移到高电阻状态的情况和从高电阻状态转移到低电阻状态的情况下，选择性地切换负载电路的两种负载电阻特性，根据施加到可变电阻元件和负载电路的串联电路上的改写用电压，对可变电阻元件施加从两种电阻特性的一种向另一种转移所需的电压，可变电阻元件的电阻特性从一种转移到另一种后，施加到可变电阻元件上的电压成为不能根据选择的负载电阻特性从另一种电阻特性向一种电阻特性返回的电压。
非易失性半导体存储装置

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