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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶片的分割方法-CN200510008081.0有效
发明人：永井佑介;中村胜;小林贤史 -专利权人：株式会社迪斯科
申请日： 2005-02-16 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供晶片的分割方法，包括：保护部件粘合工序，在晶片的表面粘合保护部件；研磨工序，研磨在表面粘合了保护部件的晶片的背面；变质层形成工序，从晶片的背面侧沿分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线，在晶片的内部沿分割预定线形成变质层；粘接片粘合工序，在晶片的背面粘合粘接片；框架保持工序，将晶片的粘接片侧，粘合在安装于环状框架的切片胶带上；分割工序，沿晶片的形成了变质层的分割预定线赋予外力，分割成单个芯片；扩张工序，将粘合了晶片的切片胶带扩张
晶片分割方法

[实用新型]一种抗皱折的食品铝箔袋-CN202022930005.8有效
发明人：周广明;徐胜;陆珍存 -专利权人：江苏华东包装科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B65D30/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种抗皱折的食品铝箔袋，包括袋体，所述袋体四周密封，所述袋体两侧设置有撕开口，所述袋体由两层抗皱折铝膜热压形成。在铝箔层外侧增加了硅胶层，使袋体具有良好的抗皱折性能，从而防止袋体因铝箔层皱折产生的破损漏气，进而防止食品变质；袋体内部四角位置热封形成圆角，进一步防止袋体边角位置破损漏气，进而导致食品变质。
一种抗皱食品铝箔

[发明专利]一种固废加以处理和利用的废铝镁碳砖变质层制作耐火原料方法-CN202111212353.4在审
发明人：李自刚;李志强;李济华;彭从华;李安刚 -专利权人：河南竹林庆州耐火材料有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明提供一种固废加以处理和利用的废铝镁碳砖变质层制作耐火原料方法。所述固废加以处理和利用的废铝镁碳砖变质层制作耐火原料方法包括：包括以下步骤：(1).准备原料：废铝镁碳砖；(2).将废铝镁碳砖上的变质层剥离出，再通过破碎机进行破碎和筛选处理，从而得到≤50mm的颗粒。本发明提供的固废加以处理和利用的废铝镁碳砖变质层制作耐火原料方法操作简单，成本低，可以来对废弃的耐火材料进行二次利用，进而可以达到降低成本、保护环境和节约资源，并且可以利用得到的铝镁碳再生料细粉为主料，
一种加以处理利用废铝镁碳砖变质制作耐火原料方法

[发明专利]返工处理方法-CN200610116882.3有效
发明人：李建茹;宋铭峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种返工处理方法，其中，所述光致抗蚀剂层位于介质层表面；所述返工处理方法包括：确定需返工的光致抗蚀剂层；灰化处理需返工的光致抗蚀剂层；进行介质层表面剥除步骤；重新涂覆并图案化光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层进行检测；对检测不合格的光致抗蚀剂层重复上述步骤；获得检测合格的光致抗蚀剂层。通过在移除光致抗蚀剂层后，增加一介质层表层剥除步骤，可去除介质表面变质的薄层，在光致抗蚀剂层返工后获得性质均匀的介质层表面，继而保证在后续刻蚀过程中介质层表面的刻蚀速率不被改变，进而不再形成刻蚀开路缺陷
返工处理方法

[发明专利]沉积金属氧化物材料的方法-CN200880022712.6有效
发明人： J·毛拉;K·哈克内 -专利权人： BENEQ有限公司
申请日： 2008-07-02 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善由原子层沉积(ALD)或ALD类工艺形成的金属氧化物涂层的均匀性的方法。使用金属卤化物和含氧前体(优选水)的交替脉冲以及必要时的净化来形成层。含氧前体脉冲之后的变质剂脉冲的引入对层的均匀性有积极影响，通常表现为梯度，特别是在紧密排列基板的应用中。特别地，层的厚度均匀性得到改善。根据本发明，具有一到三个碳原子的醇类可以用作变质剂。
沉积金属氧化物材料方法

[发明专利]变质基板体系、其制备方法以及III-氮化物半导体器件-CN201210012118.7无效
发明人：斯图尔特·爱德华·胡帕;瓦莱里·贝里曼-博斯奎特 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-01-16 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种层压基板体系，所述层压基板体系含有变质过渡区(2)，所述变质过渡区(2)由多个交替的AlxGa1-xN(5)和支撑基板材料(4)(或者与支撑基板具有相同的一般化学组成的材料)层制成。在层压基板体系之上形成具有低位错密度的III-氮化物半导体器件(2)。变质过渡区的多个层(4，5)形成超晶格结构，该超晶格结构的晶格常数和结构沿其生长方向从支撑基板(1)的(在支撑基板附近的)晶格常数和结构变化为器件(3)的(器件附近的)晶格常数和结构。
变质体系制备方法以及 iii 氮化物半导体器件

[发明专利]一种果蔬的保鲜方法-CN201611061516.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：马永新
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： A23B7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种果蔬的保鲜方法，其特征在于包括以下步骤①在定量的沸水中，加入蔗糖酯、聚乙烯醇、单甘酯、山梨酸钾、羟基苯甲酸丙酯，搅拌使之溶解；②掺入淀粉搅拌均匀，冷却，形成溶液A；③将果蔬浸入到溶液A 中10‑20分钟，蘸上一层薄薄的涂料后，取出晾干即成。本发明在果蔬表面形成一层被膜，可适当堵塞开孔部，抑制呼吸作用，减少营养消耗，抑制水分散发，抑制微生物侵入，防止腐败变质。
一种保鲜方法

[发明专利]SiC芯片的制造方法-CN201980054946.7在审
发明人：矢吹纪人;中岛祐治;坂口卓也;野上晓;北畠真 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的SiC芯片(40)进行蚀刻量小于或等于10μm的蚀刻，以去除加工变质层，其中，在所述研磨工序中，一边使用氧化剂在SiC芯片(40)上产生反应生成物在研磨工序后的SiC芯片(40)上，起因于加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生内部应力，通过利用加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小SiC芯片(40)的内部应力。
sic 芯片制造方法

[发明专利]半导体装置及蚀刻方法-CN202080093564.8在审
发明人：平田瑛子;深沢正永 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：该蚀刻方法包括：通过使用第一气体的等离子体将第一聚合膜接合至绝缘膜上，该绝缘膜设置在包含硅的半导体层上；使用第二气体的等离子体，在移除第一聚合膜的同时，通过氧化绝缘膜的上表面形成变质层；通过使用第三气体的等离子体将第二聚合膜接合至变质层上；以及通过使用第四气体的等离子体移除第二聚合膜和变质层。
半导体装置蚀刻方法

[发明专利]激光加工装置-CN201110035671.8有效
发明人：星野仁志;上野宽海;能丸圭司 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2011-02-10 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：激光加工装置，在利用多个聚光点照射脉冲激光线形成多个变质层时，将以变质层为基点传播的裂缝引导至变质层之间。聚光器对脉冲激光线振荡单元振荡产生的脉冲激光线进行会聚而照射到保持在卡盘台上的被加工物，聚光器将脉冲激光线振荡单元振荡产生的脉冲激光线会聚到沿保持在卡盘台上的被加工物的厚度方向错开的多个聚光点，脉冲激光线振荡单元振荡产生的脉冲激光线的脉宽被设定得比由多个聚光点形成的变质层的生成时间短
激光加工装置

[发明专利]光学元件的制造方法-CN201980048212.8有效
发明人：野濑卓;广濑生典 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C03B23/00 文献下载
摘要：在光学元件的制造方法中，通过对预成型件进行加热，使预成型件的包含表面的区域变质，由此形成保护层，对形成有保护层的预成型件进行压制成型，由此形成光学元件形状的成型体。
光学元件制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法和制造装置、计算机存储介质以及存储有处理方案的存储介质-CN200710139703.2有效
发明人：丸山智久;出道仁彦;吹野康彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，在包括对金属膜进行湿式蚀刻的工序和随后对该金属膜进行干式蚀刻的工序的情况下，能够减轻因在湿式蚀刻工序中在金属膜上形成的变质层的残渣引起的对后续工序带来的恶性影响以及对设备特性带来的恶性影响接着，对形成为台阶状的抗蚀剂掩模(107)进行灰化至途中，然后进行除去变质层(108)的变质层除去工序。此后，对金属膜(106)等进行干式蚀刻。
半导体装置制造方法计算机存储介质以及处理方案

[发明专利]半导体装置的制造方法和制造装置-CN201010165751.0无效
发明人：丸山智久;出道仁彦;吹野康彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，在包括对金属膜进行湿式蚀刻的工序和随后对该金属膜进行干式蚀刻的工序的情况下，能够减轻因在湿式蚀刻工序中在金属膜上形成的变质层的残渣引起的对后续工序带来的恶性影响以及对设备特性带来的恶性影响接着，对形成为台阶状的抗蚀剂掩模(107)进行灰化至途中，然后进行除去变质层(108)的变质层除去工序。此后，对金属膜(106)等进行干式蚀刻。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种抛光碳化硅衬底变质层厚度和光学常数椭偏检测方法-CN201910086651.X有效
发明人：崔长彩;杨栖凤;陆静;胡中伟;黄辉;徐西鹏 -专利权人：华侨大学
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明提供了一种抛光碳化硅衬底变质层厚度和光学常数椭偏检测方法，主要是提供后续椭偏数据的分析方法，包括碳化硅衬底椭偏测量、碳化硅衬底基底折射率分析、碳化硅衬底变质层光学常数分析、碳化硅衬底变质层厚度分析碳化硅衬底变质层光学常数分析部分包括变质层分析过程、色散模型参数的选择。碳化硅衬底变质层厚度分析部分包括厚度分析过程。本发明不仅可以实现抛光碳化硅衬底变质层厚度的测量，同时可以获取变质层以及基底层的光学常数。该方法不仅适用抛光碳化硅衬底，也适用其他抛光衬底片表面变质层的检测。
一种抛光碳化硅衬底变质厚度光学常数检测方法

[实用新型]高阻隔热收缩薄膜-CN201920856938.1有效
发明人：杨世京 -专利权人：中塑新材料科技(杭州)有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： B32B3/28 文献下载
摘要：本实用新型提供的高阻隔热收缩薄膜，包括表层、防晒层、抗压层、阻隔层、防变质层、防水透气保护层和连接层，所述表层、防晒层、抗压层、阻隔层、防变质层、防水透气保护层由上到下依次平行设置，相邻两层之间由连接层连接，所述防变质层包括硅胶保护层，所述硅胶保护层中设有与所述防水透气保护层接触的防腐剂。防变质层中设有硅胶保护层，硅胶保护层用于存储与防水透气保护层接触的防腐剂，防变质层下面设有防水透气保护层，能够透过商品中的气体被防腐剂吸收，保护防腐剂不与商品接触，使防腐剂达到防止商品变质的同时又不污染商品的目的
防水透气防腐剂保护层防变质硅胶保护层防晒层抗压层连接层阻隔层本实用新型热收缩薄膜平行设置由上到下高阻隔两层变质存储吸收污染

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