|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 6995273个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]晶片分割方法-CN200510113805.8有效
-
永井祐介;饭冢健太吕
-
株式会社迪斯科
-
2005-10-12
-
2006-05-31
-
H01L21/301
- 一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线将晶片分割成独立芯片的方法，在被多条分割线划分成的多个区域上形成有功能元件，包括：变质层形成步骤，沿着分割线施加能穿过晶片的激光束，沿着分割线在晶片内部形成变质层；晶片支承步骤，在变质层形成步骤前或后，将晶片一侧放置在一被安装在一环形支架上并通过外部触发而收缩的支承带的表面上；晶片分割步骤，向已经过变质层形成步骤并放置在支承带上的晶片施加外力，将晶片沿着已形成变质层的分割线分割成独立芯片；芯片间隙形成步骤，通过向在环形支架的内周边和支承带上的贴附到已经经过晶片分割步骤的晶片上的区域之间的一收缩区域施加外部触发而使其收缩，扩大相邻芯片之间的间隙。
- 晶片分割方法
- [发明专利]晶片加工方法-CN201010246355.0无效
-
星野仁志;能丸圭司
-
株式会社迪思科
-
2010-08-04
-
2011-03-23
-
H01L33/00
- 提供一种晶片加工方法，在晶片的内部沿着第1间隔道和第2间隔道形成变质层，该晶片在蓝宝石基板的表面层叠有发光层，在由沿预定方向延伸的多个第1间隔道以及与第1间隔道交叉形成的多个第2间隔道所划分的多个区域中形成有光器件，该方法包括：第1变质层形成步骤，从蓝宝石基板的背面侧沿着第1间隔道照射激光，使会聚点位于蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部沿着第1间隔道形成连续的第1变质层；和第2变质层形成步骤，从蓝宝石基板的背面侧，沿着第2间隔道、但与第1间隔道的交叉部除外，照射激光，使会聚点位于蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部，沿着第2间隔道、但与第1间隔道的交叉部除外，形成第2变质层。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片加工方法-CN200510078996.9有效
-
永井祐介;小林贤史;中村胜
-
株式会社迪斯科
-
2005-06-22
-
2005-12-28
-
H01L21/30
- 一种晶片加工方法，用于将具有功能元件的晶片沿分划线分成单独的芯片，这些功能元件处于通过按照网格图案在正面上形成的分划线所分割的区域内，该方法包括：变质层形成步骤，用于通过施加能够沿分划线从晶片背面穿过晶片的激光束，在距离该晶片正面相当于芯片最终厚度的位置的背面一侧上形成变质层；划分步骤，用于通过对内部已沿分划线形成变质层的晶片施加外力，将晶片沿分划线分成单独的芯片；以及背面研磨步骤，用于将已分成单独芯片的晶片的背面研磨到芯片的最终厚度
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201510013400.0有效
-
广泽俊一郎
-
株式会社迪思科
-
2015-01-12
-
2019-07-02
-
H01L21/78
- 本发明提供晶片的加工方法，其不会使抗弯强度恶化并且能够形成较厚的厚度的芯片。在晶片上设定有交叉的多条分割预定线，晶片的加工方法的特征在于具备：槽形成步骤，从晶片的正面沿着分割预定线形成未达到完工厚度的深度的多个槽；保护带粘贴步骤，在晶片的正面粘贴保护带；激光加工步骤，将透过晶片的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部的比完工厚度靠背面侧的位置，朝向晶片的背面沿着分割预定线照射激光束，在晶片内部形成沿着分割预定线的变质层，并且形成从变质层朝向槽延伸的沿着分割预定线的裂纹层；和磨削步骤，利用磨削构件对晶片的背面进行磨削以使晶片变薄至完工厚度，并且，去除变质层，沿着分割预定线将晶片分割为芯片。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201010281074.9有效
-
前原纯
-
株式会社迪思科
-
2010-09-10
-
2011-04-20
-
H01L33/00
- 本发明提供一种晶片的加工方法，其能在不对形成于基板表面的器件层造成破坏的情况下在基板内部沿间隔道形成变质层。该晶片的加工方法在晶片内部沿间隔道形成变质层的晶片的加工方法，其包括：第一变质层形成工序，将聚光点定位于基板内部，从基板背面侧照射相对于基板具有透射性的波长的激光光线，沿间隔道形成第一变质层；以及第二变质层形成工序，将聚光点定位于第一变质层的上侧，从基板背面侧照射相对于基板具有透射性的波长的激光光线，沿间隔道以层叠于第一变质层的方式形成第二变质层，第一变质层形成工序中照射的激光光线的能量密度设定成比第二变质层形成工序中照射的激光光线的能量密度要低、且处于能在基板中加工出变质层的下限附近。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的分割方法-CN200610006434.8无效
-
小林贤史;中村胜;能丸圭司;渡边阳介;永井祐介
-
株式会社迪斯科
-
2006-01-20
-
2006-09-06
-
H01L21/78
- 本发明提供一种可以将晶片沿形成了变质层的预定分割线准确地进行分割，并且可以获得抗折强度高的芯片的晶片分割方法，该分割方法包括：变质层形成工序，沿该预定分割线照射对晶片来说具有透过性的激光束，并在晶片的内部沿该预定分割线形成变质层；晶片支承工序，在实施该变质层形成工序前或实施了该变质层形成工序后，在安装于环状的框架上的保护带的表面上粘贴晶片的一个面；以及晶片断裂工序，对实施了该变质层形成工序、并粘贴于该保护带上的晶片赋予外力，沿着形成了该变质层的该预定分割线将晶片断裂为各芯片，该变质层形成工序在晶片的厚度为t时，从晶片的表面和背面分别保留厚度为0.2t～0.3t的无变质区域来形成变质层。
- 晶片分割方法
- [发明专利]晶片加工方法-CN201210214937.X有效
-
关家一马
-
株式会社迪思科
-
2012-06-26
-
2017-05-17
-
H01L21/268
- 本发明提供一种晶片加工方法，在晶片内部形成变质层的情况下，防止在搬运时晶片以变质层为起点断裂，并且在晶片背面形成反射膜的情况下也能够利用激光工序的照射在晶片内部形成变质层。该晶片加工方法至少包括变质层形成工序，对于具有形成有多个器件的器件区域及围绕器件区域的外周剩余区域的晶片（W），以波长相对于晶片（W）具有透过性的激光光线在其内部沿分割预定线聚光并形成作为分割起点的变质层（32）；和搬运工序，将该晶片（W）搬运到下一工序，在变质层形成工序中，在晶片（W）的外周剩余区域未形成有变质层（32）而是形成外周加强部（W3），使得在搬运工序中晶片（W）不会以变质层（32）为起点发生断裂
- 晶片加工方法
- [发明专利]绝缘层形成方法-CN202010562416.8在审
-
松崎荣
-
株式会社迪思科
-
2020-06-18
-
2021-01-12
-
H01L21/768
- 提供绝缘层形成方法，在由热硬化树脂在晶片上形成绝缘层的情况下，不在第1布线层和第2布线层的连接部分形成氧化膜而形成绝缘层。绝缘层形成方法在上表面上形成有第1布线层的晶片的第1布线层上形成绝缘层，包含如下工序：在形成于晶片的上表面的第1布线层的上表面上和晶片的上表面上涂布感光性的热硬化树脂；对热硬化树脂的规定的区域照射光而使区域变质；在将用于使通过变质工序而变质的区域的变质树脂溶解的药液提供至变质树脂而使变质树脂溶解之后，将清洗水提供至晶片而将变质树脂去除；将实施了去除工序的晶片收纳于能够密闭的室中，使室密闭而使室内成为无氧；对收纳于成为无氧的室内的晶片进行加热而使热硬化树脂热硬化
- 绝缘形成方法
|
