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- [发明专利]晶片的加工方法-CN201010281074.9有效
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前原纯
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株式会社迪思科
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2010-09-10
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2011-04-20
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H01L33/00
- 本发明提供一种晶片的加工方法，其能在不对形成于基板表面的器件层造成破坏的情况下在基板内部沿间隔道形成变质层。该晶片的加工方法在晶片内部沿间隔道形成变质层的晶片的加工方法，其包括：第一变质层形成工序，将聚光点定位于基板内部，从基板背面侧照射相对于基板具有透射性的波长的激光光线，沿间隔道形成第一变质层；以及第二变质层形成工序，将聚光点定位于第一变质层的上侧，从基板背面侧照射相对于基板具有透射性的波长的激光光线，沿间隔道以层叠于第一变质层的方式形成第二变质层，第一变质层形成工序中照射的激光光线的能量密度设定成比第二变质层形成工序中照射的激光光线的能量密度要低、且处于能在基板中加工出变质层的下限附近。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的分割方法-CN200610006434.8无效
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小林贤史;中村胜;能丸圭司;渡边阳介;永井祐介
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株式会社迪斯科
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2006-01-20
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2006-09-06
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H01L21/78
- 本发明提供一种可以将晶片沿形成了变质层的预定分割线准确地进行分割，并且可以获得抗折强度高的芯片的晶片分割方法，该分割方法包括：变质层形成工序，沿该预定分割线照射对晶片来说具有透过性的激光束，并在晶片的内部沿该预定分割线形成变质层；晶片支承工序，在实施该变质层形成工序前或实施了该变质层形成工序后，在安装于环状的框架上的保护带的表面上粘贴晶片的一个面；以及晶片断裂工序，对实施了该变质层形成工序、并粘贴于该保护带上的晶片赋予外力，沿着形成了该变质层的该预定分割线将晶片断裂为各芯片，该变质层形成工序在晶片的厚度为t时，从晶片的表面和背面分别保留厚度为0.2t～0.3t的无变质区域来形成变质层。
- 晶片分割方法
- [发明专利]SiC芯片的制造方法-CN201980054946.7在审
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矢吹纪人;中岛祐治;坂口卓也;野上晓;北畠真
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东洋炭素株式会社
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2019-07-25
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2021-03-30
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H01L21/304
- 在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的SiC芯片(40)进行蚀刻量小于或等于10μm的蚀刻，以去除加工变质层，其中，在所述研磨工序中，一边使用氧化剂在SiC芯片(40)上产生反应生成物在研磨工序后的SiC芯片(40)上，起因于加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生内部应力，通过利用加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小SiC芯片(40)的内部应力。
- sic芯片制造方法
- [发明专利]晶片加工方法-CN201210214937.X有效
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关家一马
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株式会社迪思科
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2012-06-26
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2017-05-17
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H01L21/268
- 本发明提供一种晶片加工方法，在晶片内部形成变质层的情况下，防止在搬运时晶片以变质层为起点断裂，并且在晶片背面形成反射膜的情况下也能够利用激光工序的照射在晶片内部形成变质层。该晶片加工方法至少包括变质层形成工序，对于具有形成有多个器件的器件区域及围绕器件区域的外周剩余区域的晶片（W），以波长相对于晶片（W）具有透过性的激光光线在其内部沿分割预定线聚光并形成作为分割起点的变质层（32）；和搬运工序，将该晶片（W）搬运到下一工序，在变质层形成工序中，在晶片（W）的外周剩余区域未形成有变质层（32）而是形成外周加强部（W3），使得在搬运工序中晶片（W）不会以变质层（32）为起点发生断裂
- 晶片加工方法
- [发明专利]绝缘层形成方法-CN202010562416.8在审
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松崎荣
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株式会社迪思科
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2020-06-18
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2021-01-12
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H01L21/768
- 提供绝缘层形成方法，在由热硬化树脂在晶片上形成绝缘层的情况下，不在第1布线层和第2布线层的连接部分形成氧化膜而形成绝缘层。绝缘层形成方法在上表面上形成有第1布线层的晶片的第1布线层上形成绝缘层，包含如下工序：在形成于晶片的上表面的第1布线层的上表面上和晶片的上表面上涂布感光性的热硬化树脂；对热硬化树脂的规定的区域照射光而使区域变质；在将用于使通过变质工序而变质的区域的变质树脂溶解的药液提供至变质树脂而使变质树脂溶解之后，将清洗水提供至晶片而将变质树脂去除；将实施了去除工序的晶片收纳于能够密闭的室中，使室密闭而使室内成为无氧；对收纳于成为无氧的室内的晶片进行加热而使热硬化树脂热硬化
- 绝缘形成方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201110003502.6无效
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中村胜;汤平泰吉;小清水秀辉;竹下元;三原拓也
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株式会社迪思科
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2011-01-10
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2011-08-17
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B28D5/00
- 本发明提供一种晶片的加工方法，能够在不使一个个器件的周缘产生裂纹的情况下除去侧面的变质层。所述晶片的加工方法包含以下工序：晶片磨削工序，对晶片的背面进行磨削，使晶片的厚度形成为预定厚度；变质层形成工序，从晶片的背面侧沿间隔道照射相对于晶片具有透射性的激光光线，在晶片的内部沿间隔道形成距离晶片的表面如下深度的变质层，所述深度大于器件的完成厚度；晶片分割工序，对晶片施加外力，沿着形成有变质层的间隔道将晶片分割成一个个器件；以及变质层除去工序，对晶片的背面进行磨削，使晶片形成为器件的完成厚度，由此将变质层除去，变质层除去工序使用通过利用陶瓷结合剂固定粒径为
- 晶片加工方法
- [发明专利]异质结半导体器件及其制造方法-CN200610084553.5无效
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上村正哉
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索尼株式会社
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2006-05-25
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2006-11-29
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H01L29/737
- 提供一种改善导热性的具有变质缓冲层的异质结半导体器件及其制造方法。在半绝缘性衬底(1)上利用外延生长法形成变质缓冲层(2)，在其上依次叠层集电极层(3)、基极层(4)、发射极层(5)和发射极盖层(6)，并把集电极电极(7)与变质缓冲层(2)的上部层(2c)相接地设置。利用结晶生长过程中的掺杂法向变质缓冲层(2)导入与现有的副集电极层同等或大于或等于它的杂质，使变质缓冲层(2)能起到把集电极电流向集电极电极(7)引导的作用。由于省略了多由热电阻大的三元混合晶等形成的副集电极层，所以能够把在半导体器件内产生的热迅速地向衬底(1)散热。
- 异质结半导体器件及其制造方法
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