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[发明专利]原子尺度应变计算方法和原子尺度应变计算装置-CN201910793669.3有效
发明人：陈劲松;翟煜;刘悦;范同祥 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G01B15/06 文献下载
摘要：一种原子尺度应变计算方法和一种原子尺度应变计算装置，所述原子尺度应变计算方法包括：提供分析对象的电镜照片；定位待分析区域内各原子位置；根据晶体结构特征，将原子划分为不同的特征层；对不同特征层内原子分别进行应变计算所述原子尺度应变计算方法能够适用于各种晶格结构，提高应变计算的准确性。
原子尺度应变计算方法计算装置

[发明专利]一种针对器件微放电抑制的多尺度关联分析方法-CN202110201212.6有效
发明人：李永东;彭敏;王大威;曹猛;林舒 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对器件微放电抑制的多尺度关联分析方法，该方法涉及原子至纳米尺度、微米尺度和毫米至厘米尺度三个尺度，主要包括各个尺度上的参数计算和各尺度间的关联逻辑。原子至纳米尺度即材料化学组分与原子几何结构层面，表面微观结构层面属于微米尺度，而微波器件层面属于毫米至厘米尺度。该方法是一种从材料到表面再到器件的关联分析与设计方法。
一种针对器件放电抑制尺度关联分析方法

[发明专利]替位式掺杂原子尺度三极管-CN201710298592.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：邵诗婷
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种替位式掺杂原子尺度三极管、制备方法和应用领域。该原子尺度三极管是在半导体性质的碳基材料(半导体碳纳米管或半导体石墨烯纳米带)上，采用SPM和单离子注入技术替位式掺杂三族和五族元素，形成大小为原子尺度的三极管，可用于在原子尺度上制备大规模集成电路。
三极管原子尺度掺杂原子尺度大规模集成电路半导体碳纳米管制备方法和应用半导体石墨半导体性质碳基材料单离子纳米带族元素可用制备掺杂

[发明专利]替位式掺杂原子尺度二极管-CN201710298636.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：邵诗婷
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种替位式掺杂原子尺度二极管、制备方法和应用领域。该原子尺度二极管是在半导体性质的碳基材料(半导体碳纳米管或半导体石墨烯纳米带)上，采用SPM和单离子注入技术替位式掺杂三族和五族元素，形成大小为原子尺度的二极管，可用于在原子尺度上制备大规模集成电路。
二极管原子尺度掺杂原子尺度半导体碳纳米管大规模集成电路制备方法和应用半导体石墨半导体性质碳基材料单离子纳米带族元素可用制备掺杂

[发明专利]收窄的替位式掺杂原子尺度导线-CN201710298595.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：邵诗婷
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种收窄的替位式掺杂原子尺度导线、制备方法和应用领域。该原子尺度导线是在金属性质的碳基材料(金属性质的碳纳米管或金属性质的石墨烯纳米带)上，采用SPM和单离子注入技术替位式掺杂金属原子，形成宽度为原子量级的导线，可用于连接原子尺度的电子器件，作为原子量级线程的大规模集成电路的互连
金属性质掺杂原子原子尺度原子量级收窄尺度大规模集成电路制备方法和应用掺杂金属电子器件碳基材料碳纳米管单离子纳米带石墨烯互连可用线程制备集成电路

[发明专利]一种原子尺度石墨烯沟槽的制备方法-CN201210213139.5有效
发明人：魏子钧;叶天扬;李晨;傅云义;黄如;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子尺度石墨烯沟槽的制备方法，该方法首先制备石墨烯，并将其放置在耐高温衬底上或者悬空；然后在石墨烯表面淀积单个金属原子或由若干原子组成的金属原子簇；单金属原子或原子簇金属在设定温度400℃～800℃和Ar/H2氛围下刻蚀石墨烯，形成原子尺度石墨烯沟槽，随后自然冷却至室温后取出，并保存在干燥、真空或超净环境内。本发明刻蚀形成的石墨烯槽具有原子尺度平整的边缘，而且边缘手性一致，减小了边缘缺陷对石墨烯性能的影响。
一种原子尺度石墨沟槽制备方法

[发明专利]基于级联原子库的海洋目标辨识探测方法-CN201510591770.2有效
发明人：孙海信;孙伟涛;齐洁;周小平;曹政 -专利权人：厦门大学
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：基于级联原子库的海洋目标辨识探测方法，涉及海洋目标辨识探测。通过水下声信号本身及其回波信号的相关性建立过完备原子库，并根据其呈现的多分量辐射源信号的形式，选择时间尺度原子和时频原子组成级联原子库，将待识别信号自适应分解在原子库上，得到信号的最稀疏表示；通过建立时间尺度原子库并结合radon变换来处理水下信号并进行时间尺度原子参数t₀估计；在估计出t₀值的基础上，建立级联原子库，根据t₀的估计可以抽取出这一确定的行，将接收的信号分解到这一确定的行上，找出最大匹配值，进而可以直接提取出时频尺度原子参数k；利用级联原子库准确地提取出水下目标信号的主要特征，为最终的信号识别奠定坚实的基础，提高可靠性。
基于级联原子海洋目标辨识探测方法

[发明专利]替位式掺杂原子尺度导线-CN201710298639.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：邵诗婷
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种替位式掺杂原子尺度导线、制备方法和应用领域。该原子尺度导线是在半导体性质的碳基材料(半导体碳纳米管或半导体石墨烯纳米带)上，采用SPM和单离子注入技术替位式掺杂三族、四族、或五族元素，形成宽度为原子量级的导线，可用于连接原子尺度的电子器件，作为原子量级线程的大规模集成电路的互连
掺杂原子原子尺度原子量级尺度大规模集成电路半导体碳纳米管制备方法和应用半导体石墨半导体性质电子器件碳基材料单离子纳米带族元素互连可用线程制备集成电路掺杂

[发明专利]原子层工艺打印机-CN202080041444.3在审
发明人：马克西姆·普拉霍纽克;奥勒·汉森;博伊森·安雅;托马斯·林泽维修斯;伊万·昆德拉塔;卡罗尔·弗勒利希;朱利恩·巴赫曼 -专利权人：丹麦技术大学;斯洛伐克科学院;埃尔朗根-纽伦堡弗里德希-亚历山大大学
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B29C64/159 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在选择区域中以原子尺度进行材料沉积、蚀刻和/或清洁的原子层工艺打印机。本发明进一步涉及一种使用所述原子层工艺打印机在选择区域中以原子尺度进行材料沉积、蚀刻和/或清洁的方法。
原子工艺打印机

[发明专利]一种亚稳β钛合金的成分设计方法-CN201910643057.6有效
发明人：寇宏超;王晓丹;王毅;邹程雄;唐斌;樊江昆;赖敏杰;李金山 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C22C14/00 文献下载
摘要：第一性原理是从原子层次进行合金设计，获得宏观上高性能的材料，但是从原子尺度直接到宏观尺度，跨度太大，导致模拟或计算结果与实际情况相差较大。故本发明同时还采用了Mo当量、d电子理论、屈服强度校核的方法。其中基于Mo当量和d电子理论的成分校核主要是基于相稳定性，这一尺度在第一性原理的原子尺度到屈服强度测试的宏观尺度之间起到了承上启下的作用。这种有效的尺度跨越，实现了原子尺度到宏观尺寸的有效跨越，提高了该设计方法的准确性，同时实现了新型材料研发成本的降低和研发效率的提高。
一种钛合金成分设计方法

[发明专利]一种大尺度超滑器件的制备方法-CN202010474494.2在审
发明人：郑泉水;邓杨 -专利权人：深圳清华大学研究院;清华大学
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺度超滑器件的制备方法，包括提供具有原子级光滑平整的表面的第一基底；提供第二基底，利用化学气相沉积技术在第二基底上生长大尺度石墨烯薄膜，并将该大尺度石墨烯薄膜转移至第一基底原子级光滑平整的表面上；利用压力使该大尺度石墨烯薄膜与第一基底原子级平整的表面紧密贴合，由此制备得到大尺度超滑器件。该方法具有工艺简单、经济高效以及可重复性好等优点，利用该方法制备出的大尺度超滑器件具有大面积、摩擦系数低以及耐磨性好等优点，能够解决目前结构超滑仅限于微纳尺度难以在实际机械运动部件上应用的问题，具有巨大的工程应用价值
一种尺度器件制备方法

[发明专利]一种面向原子及近原子尺度功能结构器件的制造方法-CN202210864922.1在审
发明人：张宏刚;房丰洲;刘海滨;赵永娟 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向原子及近原子尺度功能结构器件的制造方法。本发明的一种制造方法，顺序包括电子束光刻、原子层沉积、电铸、模具脱模、金属薄膜腐蚀、纳米压印、聚合物功能器件的脱模步骤；本发明的另一种制造方法，顺序包括光刻、原子层沉积、选择性刻蚀、除胶、硅刻蚀、侧墙刻蚀、原子层沉积、电铸、模具脱模、腐蚀、纳米压印、聚合物功能器件的脱模步骤。本发明结合电子束光刻对纳米级结构的极限加工能力、原子层沉积技术的原子级厚度可控沉积与电铸技术原子顺序电沉积的优势，通过多种微纳制造技术的叠加，突破现存半导体加工技术的极限，在纳米结构的基础上实现更小尺度结构的精准制造，也就是面向原子及近原子尺度功能结构器件的制造。
一种面向原子尺度功能结构器件制造方法

[发明专利]模拟纳米晶金属累积离位损伤的方法-CN201910276042.0有效
发明人：李祥艳;吴学邦;许依春;张艳革;尤玉伟;孔祥山;刘伟;王先平;刘长松;方前锋 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种模拟纳米晶金属累积离位损伤的方法，步骤包括基本原子过程MD参数化；基本原子过程OKMC速率列表创建；OKMC调用相应速率，选择、执行事件；表征OKMC粗粒化结构；采样不同剂量下的微结构，并用MD弛豫之；将观察到的原子过程速率化；更新基本原子过程，重新运行OKMC模块。本发明优点在于通过结合原子尺度MD模拟方法和粗粒化OKMC方法，既考虑了基本原子过程，又能实现大尺度模拟，可与实验剂量率相比拟，同时考虑了基本过程累积作用下可能出现的新原子过程；同现有的模拟方法相比，避免了因MD时间尺度有限带来的辐照剂量率异常高的问题，又避免了OKMC在结构弛豫上的不足，兼顾了MD在结构弛豫和OKMC在长时间尺度模拟上的综合优势。
模拟纳米金属累积损伤方法

[发明专利]基于铯喷泉钟和氢原子钟组的地方原子时生成方法-CN202010539925.9有效
发明人：王晓斌;史丰丰;李兆南;付桂涛;李强;邱震;王丰;赵润;潘红芳;徐世依;王俊达;彭钰莹 -专利权人：中国人民解放军61081部队
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G04F5/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于铯喷泉钟和氢原子钟组的地方原子时生成方法，用以解决现有技术中由于对氢原子钟频率漂移计算误差而导致的地方原子时标长期稳定度及准确度不高的问题。所述地方原子时生成方法采集各台原子钟与主钟的钟差数据和主钟相对于铯喷泉钟的频率差值；再读取钟差数据与频率差值，基于时间尺度算法计算各台原子钟相对于铯喷泉钟的频率差值，计算各台原子钟的非相关频率漂移，并进一步计算基于铯喷泉钟的时间尺度及地方原子时本发明采用非相关抵偿，计算结果中不存在频率漂移，结合氢原子钟短期稳定度与铯原子喷泉钟长期稳定度的双重优点，使生成的时间尺度同时具备短期稳定度与长期稳定度。
基于喷泉氢原子地方子时生成方法

[发明专利]一种原子尺度MD-KMC并行模拟统一建模方法及系统-CN202310147863.0在审
发明人：胡长军;储根深;何远杰;陈丹丹;白鹤;任帅 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本发明公开一种原子尺度MD‑KMC并行模拟统一建模方法及系统，所述方法包括：建立原子尺度统一架构；基于所述原子尺度统一架构的分子动力学模拟；基于所述原子尺度统一架构的动力学蒙特卡洛模拟。
一种原子尺度 md kmc 并行模拟统一建模方法系统

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