“单晶炉勾形”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1768818个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]单晶炉勾形磁场装置-CN201020107968.1有效
发明人：焦尚彬;刘丁;李琦;蒋剑;袁文愈 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种单晶炉勾形磁场装置，包括屏蔽护罩，屏蔽护罩的一侧设置有水路，水路的外部设置有水路护罩，屏蔽护罩的下方设置有升降机构，升降机构的一侧设置有用于驱动升降机构的升降电机，屏蔽护罩内平行设置有上层线圈和下层线圈本实用新型磁场装置，不仅能产生满足大直径单晶炉生产极大规模集成电路单晶所用的磁感应强度，而且能有效带走线圈产生热量，降低线圈温度，从而减小线圈电阻，降低系统功率；同时连接和安装方便。
单晶炉勾形磁场装置

[发明专利]单晶炉的磁屏蔽体结构-CN201410134617.2无效
发明人：安涛;高勇 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：单晶炉的磁屏蔽体结构，包括设置在单晶炉炉体外的勾形磁场装置，勾形磁场装置包括套设在单晶炉炉体外的筒状的磁屏蔽体和设置在磁屏蔽体内的两个螺线管线圈，磁屏蔽体的内侧壁上设有第一导磁环。
单晶炉屏蔽结构

[实用新型]一种硅单晶生长用勾形电磁场装置-CN200920107968.9无效
发明人：张鸣剑;李润源;付宗义 -专利权人：北京京仪世纪自动化设备有限公司
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种硅单晶生长用勾形电磁场装置，在单晶炉的外围设有上下分离的两组导电线圈，所述两组导电线圈结构相同，分别接通大小相等，方向相反的电流。两组导电线圈通电后可以产生两组磁场，单晶炉处于两组磁场之中，两组磁场可以有效地抑制单晶炉中单晶硅生长时的热对流作用，使单晶硅杂质含量均匀分布，显著改善晶体质量，实现单晶硅的等效微重力生长。
一种硅单晶生长用勾形电磁场装置

[实用新型]单晶炉勾形磁场一线测温装置-CN201120016493.X有效
发明人：焦尚彬;刘丁;赵跃;吕剑;陈海霸 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉勾形磁场一线测温装置，包括四路温度测量线路，每一路温度测量线路包括上线圈测量线路和下线圈测量线路，上线圈测量线路包括11个测点，下线圈测量线路包括16个测点，每个测点上连接有一个数字温度传感器，每个数字温度传感器串联后与微处理器连接，微处理器与单晶炉磁场控制系统进行双向通信。本实用新型单晶炉勾形磁场一线测温装置，采用一线式总线数字温度传感器组建磁场测温网络，无需考虑信号调理，测温精度高，连接线缆少，安装方便，成本低廉，结构简单。
单晶炉勾形磁场一线测温装置

[实用新型]单晶炉勾形磁场升降装置-CN201020278758.9有效
发明人：焦尚彬;赵建峰;张阳;王庆;蒋剑;吴世海 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2010-08-02 - 公布日： 2011-03-09 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种单晶炉勾形磁场升降装置，包括互成90°角沿磁场圆周方向均匀布置的梯形丝杠a、梯形丝杠b、梯形丝杠c及梯形丝杠d，梯形丝杠a、梯形丝杠b、梯形丝杠c及梯形丝杠d的底部与蜗轮蜗杆减速机相连接本实用新型单晶炉勾形磁场升降装置，不仅能满足大直径单晶炉勾形磁场的灵活可靠运动及精确定位，而且结构简单，尺寸小，传动效率高，同时连接和安装方便。
单晶炉勾形磁场升降装置

[实用新型]单晶炉勾形电磁场装置-CN200720032811.5无效
发明人：安涛;高勇;李守智;李波 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉勾形电磁场装置，包括在炉腔体外周设置的屏蔽体，屏蔽体的内侧上、下端分别安装有线圈a和线圈b，线圈a与线圈b是螺旋管直流线圈，他们的匝数、线圈半径、纵向和轴向层数、导线面积以及线包的绕制方法完全相同本实用新型与单晶炉配套安装，在直拉法生长晶体过程中，通过调整线圈的电流来改变单晶炉坩埚内的磁场磁力线分布，有效抑制了单晶炉坩埚内的影响晶体质量的各种熔体对流，从而提高了生长晶体的质量。
单晶炉勾形电磁场装置

[实用新型]勾型磁场单晶炉用炉室抓取提升旋转装置-CN201020250519.2有效
发明人：杨润;蒋剑;吴世海 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2011-03-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种勾型磁场单晶炉用炉室抓取提升旋转装置，包括竖直设立的油缸，油缸的活塞杆上安装有支臂，支臂能够转动到主炉室的上方，支臂包括对称的多根悬臂构成，每个悬臂的外端头设置有一个气缸和抓取摇臂，抓取摇臂的中部铰接在悬臂中，气缸与抓取摇臂的一端连接，抓取摇臂的另一端为勾形爪。本实用新型装置很好的满足了勾型磁场晶体生长设备的炉室开合需求。
磁场单晶炉用炉室抓取提升旋转装置

[发明专利]一种提高CZ法高阻半导体单晶轴向电阻率均一性的方法-CN202210632269.6在审
发明人：孔凯斌;王彦君;孙晨光;周宏邦;王淼;娄中士;侯明超;贾海洋;张强;刘伟;王立刚 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种提高CZ法高阻半导体单晶轴向电阻率均一性的方法，在单晶拉制过程中，通入掺杂气体，进行气相掺杂，通过控制掺杂气体的掺杂效率和勾形磁场的抑制率，对单晶轴向电阻率进行控制，包括以下步骤：确定掺杂气体的掺杂效率：根据拉制第一颗单晶时的掺杂气体的浓度和单晶电阻率计算掺杂效率；确定勾形磁场的抑制率：采用与拉制第一颗单晶相同的掺杂工艺拉制第二颗单晶，根据第二颗单晶的电阻率和第一颗单晶的电阻率计算勾形磁场的抑制率；根据掺杂气体的掺杂效率和勾形磁场的抑制率进行单晶的拉制本发明的有益效果是对硅溶液的对流进行抑制，将单晶的电阻率控制在一个相对较小的电阻区域，单晶的轴向电阻率一致性好。
一种提高 cz 法高阻半导体晶轴电阻率均一方法

[实用新型]一种提高CZ法高阻半导体单晶轴向电阻率均一性的装置-CN202221394323.X有效
发明人：孔凯斌;王彦君;孙晨光;周宏邦;王淼;娄中士;侯明超;贾海洋;张强;刘伟;王立刚 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种提高CZ法高阻半导体单晶轴向电阻率均一性的装置，包括气掺装置和磁场装置，其中，气掺装置设于单晶炉内，且气掺装置环设于单晶硅棒的周侧，用于掺杂气体的通入；磁场装置设于单晶炉的外部，用于产生勾形磁场本实用新型的有益效果是在直拉单晶中利用气掺装置与磁场装置相配合，进行气相掺杂，能够克服直拉法单晶受到硼/磷单质分凝的自然规律，改变电阻率分布头部电阻高、尾部电阻低的现状，提高符合客户规格的入档电阻率。
一种提高 cz 法高阻半导体晶轴电阻率均一装置

[发明专利]一种CZ法制备硅晶体的方法-CN202111446127.2在审
发明人：侯明超;周宏邦;贾海洋;王淼;张强;孔凯斌;刘伟;娄中士;王立刚 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种CZ法制备硅晶体的方法，在单晶拉制过程中，控制勾形磁场的零磁面与石英坩埚内硅溶液的自由液面之间的距离、勾形磁场的强度和石英坩埚的转速，以控制单晶晶体中的氧含量；其中，勾形磁场的零磁面设于自由液面以下，且勾形磁场的零磁面与自由液面之间的距离为40‑120mm；勾形磁场的强度为300‑1200Gs；石英坩埚的转速为3‑10rpm。本发明的有益效果是抑制石英坩埚内壁附近的硅溶液的对流，减少石英坩埚内壁附近硅溶液与单晶硅棒下方的硅溶液的对流，将石英坩埚内壁产生的氧含量控制在石英坩埚内壁附近，降低氧含量的释放，控制单晶晶体中的氧含量。
一种 cz 法制晶体方法

[实用新型]单晶炉勾形磁场冷却水路系统-CN201120024965.6有效
发明人：焦尚彬;蒋剑 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2011-01-26 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的单晶炉勾形磁场冷却水路系统，包括进水口及出水口设置有直插水嘴的磁场线圈、出水口设置有直插水嘴的总出水分水器、进水口设置有直插水嘴的总进水分水器，磁场线圈的进水口通过橡胶软管与总进水分水器相连接本实用新型单晶炉勾形磁场冷却水路系统，在不使用传统卡箍的情况下直接将橡胶软管插入水嘴即可实现线圈与分水器之间的可靠连接，安装方便。
单晶炉勾形磁场冷却水路系统

[实用新型]一种单晶炉加热装置和单晶炉-CN202220190193.1有效
发明人：吴文华;杨树荣;杨思琪;匡志宗;郑宇哲;王德涛;甫雨芊;刘锦章;胡永娇;杨开刚 -专利权人：保山隆基硅材料有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开一种单晶炉加热装置和单晶炉，涉及单晶炉技术领域，以解决现有技术第二发热环形状不均匀而容易断裂的问题。所述单晶炉加热装置包括用于套设在单晶炉的坩埚外部的发热环，发热环轴向方向的两侧分别为第一侧和第二侧；发热环由多个U形条沿圆周方向间隔排布连接而成，多个U形条的槽口端位于发热环的同一侧且平齐连接，相邻两个U形条之间形成间隔槽；U形条包括多个第一U形条和多个第二U形条，第一U形条和第二U形条的材质和导通截面均相同，第一U形条的高度大于第二U形条的高度。所述单晶炉包括上述技术方案所提的单晶炉加热装置。本实用新型提供的单晶炉加热装置用于对单晶炉的坩埚进行加热。
一种单晶炉加热装置

[实用新型]一种单晶炉冷却装置-CN202320509883.3有效
发明人：蔡璋榕;郑珠兰 -专利权人：福建鑫睿晶学科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉冷却装置，属于单晶炉领域，一种单晶炉冷却装置，包括U形架，U形架的顶端固定有单晶炉主体，U形架的内部设置有可升降式冷却机构，用于冷却单晶炉主体，可升降式冷却机构包括转动组件、冷却组件以及输出组件，转动组件包括齿轮盘，齿轮盘位于单晶炉主体的底部且与单晶炉主体转动连接，它可以实现，通过可升降式冷却机构的设置，能够实现对单晶炉主体的高效冷却和清洁。同时，该设计还能提高操作人员的安全性，减少维护成本和时间，有效提高单晶炉的生产效率和使用寿命。
一种单晶炉冷却装置

[实用新型]单晶炉低功耗勾形电磁场装置-CN201020168138.X无效
发明人：安涛;高勇;李扬;李守智;马剑平 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉勾形电磁场装置，包括炉腔体和设置在炉腔体内的坩埚，炉腔体外圆周的上端和下端分别缠绕有线圈a和线圈b，线圈a和线圈b外侧设置有屏蔽体，线圈a和线圈b由空心紫铜方管和铜线交替密绕而成本实用新型的有益效果是，在满足磁场强度的前提下，通过增加线圈的总匝数N，降低线圈电流I，降低磁场的功耗，可使其功耗减低为几个千瓦，解决了原勾形磁场大功耗问题，为直拉法拉制高品质单晶提供一种实用的低功耗电磁场装置
单晶炉低功耗电磁场装置

[发明专利]单晶体生产的装料方法及预装料坩埚-CN201110275943.1无效
发明人：孟涛;闫永兵 -专利权人：镇江仁德新能源科技有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶体生产的装料方法，包括：向置于单晶炉外的石英坩埚装料；在已装好料的石英坩埚上加盖一与所述石英坩埚紧密扣合的预装料盖；使用吊车勾吊预装料盖以使石英坩埚提起，再放入单晶炉热场的石墨坩埚中；使所述预装料盖和所述石英坩埚脱离，再由吊车吊走预装料盖，完成单晶体生产的装料。采用本发明的单晶体生产的装料方法，节省了单晶炉的有效利用时间，降低了因为装料不规范而造成挂边、搭桥等事故的发生。本发明还涉及用于单晶体生产的装料方法的预装料坩埚。
单晶体生产装料方法预装坩埚

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条