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- [发明专利]半导体器件-CN201610741795.0在审
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嘉屋旨哲;中原宁
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瑞萨电子株式会社
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2016-08-26
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2017-03-08
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H01L27/07
- 本发明涉及半导体器件。实现了半导体器件的性能的提高。该半导体器件包括耦合晶体管,该耦合晶体管由p沟道MOSFET制成且形成在由p型半导体制成的基底上方的n‑型半导体区域中。耦合晶体管具有作为p型半导体区域的resurf层,并且将低压电路区域耦合到高压电路区域,比供应给低压电路区域的电源电势高的电源电势供应给高压电路区域。半导体器件具有p型半导体区域,该p型半导体区域在平面图中形成在n‑型半导体区域围绕耦合晶体管的部分中。
- 半导体器件
- [发明专利]全光波长变换器-CN200810070877.2无效
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黄元庆;吴兆喜
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厦门大学
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2008-04-09
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2008-09-10
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G02F2/00
- 第1耦合器输出端接半导体光放大器输入端;第2耦合器输出端接2个线性半导体光放大器;第3耦合器双向端口接第1线性半导体光放大器,输入端口接可调滤波器,输出端口接第4耦合器;第4耦合器输入端接第3耦合器输出端口和第2线性半导体光放大器。半导体光放大器输入端接第1耦合器输出端,半导体光放大器输出端接可调滤波器。第1线性半导体光放大器一端接第2耦合器的一个输出端,第1线性半导体光放大器另一端接第3耦合器双向端口;第2线性半导体光放大器一端接第2耦合器输出端,第2线性半导体光放大器另一端接第4耦合器输入端。可调滤波器输入端接半导体光放大器,输出端接第3耦合器输入端。
- 波长变换器
- [发明专利]半导体系统-CN201710762282.2有效
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玄相娥;姜泰珍;金显承;张南圭;崔源锡;郑元敬;李承熏
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爱思开海力士有限公司
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2017-08-30
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2021-04-13
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G11C7/10
- 一种半导体系统可以包括:外部通道,包括CA(命令/地址)通道以及第一数据通道和第二数据通道;以及第一半导体芯片和第二半导体芯片,共同耦合到CA通道,耦合到第一数据通道和第二数据通道中的相应的不同数据通道,以及其中的每个半导体芯片包括耦合信息焊盘。第一值可以输入给第一半导体芯片和第二半导体芯片中的耦合到第一数据通道的一个半导体芯片的耦合信息焊盘,而第二值可以输入给耦合到第二数据通道的另一个半导体芯片的耦合信息焊盘。第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个半导体芯片使用施加给CA通道的CA信息和输入给对应的耦合信息焊盘的值来选择性地储存设置信息。
- 半导体系统
- [实用新型]半导体部件-CN201620781502.7有效
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P·文卡特拉曼;B·帕德玛纳伯翰;刘春利;A·萨利赫;P·塞拉亚
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半导体元件工业有限责任公司
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2016-07-22
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2017-02-22
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H01L23/31
- 本公开一个方面涉及半导体部件,具体公开了一种半导体部件,包括支撑部,具有第一和第二器件接纳结构和第一引线;第一半导体芯片,第一栅极接合焊盘和源极接合焊盘从第一表面延伸,漏极触点处于第二表面,栅极接合焊盘与第一引线耦合并且源极接合焊盘与第一器件接纳结构耦合,第一半导体芯片由硅半导体构成并与支撑部耦合;第二半导体芯片,其栅极接合焊盘,源极接合焊盘和漏极接合焊盘从第一表面延伸,第二半导体芯片的源极接合焊盘与第一半导体芯片的第二表面耦合,第二半导体芯片的栅极接合焊盘与第一器件接纳结构耦合,第二半导体芯片的漏极接合焊盘与第二器件接纳结构耦合,第二半导体芯片由III‑N半导体构成并与支撑部耦合。
- 半导体部件
- [发明专利]光纤耦合半导体激光器-CN201911243408.0在审
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郭彪;王英顺;张厚博
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中国电子科技集团公司第十三研究所
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2019-12-06
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2020-05-12
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H01S5/06
- 本发明提供了一种光纤耦合半导体激光器,涉及半导体激光器技术领域,包括管壳、半导体激光器芯片、非球透镜、柱透镜以及球透镜;管壳的内腔底部设有热沉,管壳的侧壁上还设有耦合光纤;半导体激光器芯片设置于热沉上且远离耦合光纤;非球透镜设置于半导体激光器芯片与耦合光纤之间,且非球透镜靠近半导体激光器芯片;柱透镜设置于非球透镜与耦合光纤之间且靠近非球透镜;球透镜设置于柱透镜与耦合光纤之间。本发明提供的光纤耦合半导体激光器,采用非球透镜、柱透镜和球透镜结合的方式,能够分别从快轴和慢轴方向上实现对半导体激光器的输出光场的有效整形,保证了输出光功率的稳定性,提高了半导体激光器的耦合效率。
- 光纤耦合半导体激光器
- [发明专利]具有磁耦合设备的半导体开关-CN201780086476.3有效
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陈楠;K·伊尔维斯;M·纳瓦兹
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ABB瑞士股份有限公司
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2017-02-15
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2021-01-12
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H03K17/0814
- 本公开涉及用于电力电子(PE)转换器(1)的半导体开关支路S。开关支路包括多个并联连接的半导体器件Sa‑d。每个半导体器件连接有将半导体器件连接到转换器的能量存储设备(2)的正极端子的正导体a‑d+、以及将半导体器件连接到转换器的能量存储设备(2)的负极端子的负导体a‑d‑,半导体器件与正导体和负导体一起形成跨过能量存储设备的电流路径半导体开关支路包括多个磁耦合设备3a‑d,每个磁耦合设备被布置在多个半导体器件中的相应的两个相邻半导体器件的两条电流路径之间,使得两个半导体器件中的一个半导体器件的电流路径与两个半导体器件中的另一半导体器件的电流路径穿过磁耦合设备,并且使得每条电流路径穿过所述多个磁耦合设备中的两个磁耦合设备。
- 具有耦合设备半导体开关
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