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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN201210316400.4无效
发明人：松冈信孝 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供能抑制电流向耐压区域附近集中和电力损耗的半导体器件。本发明的半导体器件，其特征在于，具有：第1导电型的半导体基板；第1主电极，设置在所述半导体基板的一侧；第2导电型的第1半导体层，在所述半导体基板的另一侧与所述半导体基板的边缘部分离设置；多个第2导电型的第2半导体层，在所述半导体基板的另一侧于所述边缘部和所述第1半导体层之间选择性地设置；绝缘膜，设置成从所述边缘部覆盖所述第1半导体层的一部分；导电膜，设置成覆盖所述绝缘膜及所述第1半导体层的一部分；及第2主电极，设置成与所述第1半导体层及所述导电膜相接。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201510095254.0在审
发明人：片冈肇;城本龙也;新田哲也 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发提供一种半导体器件，即一种改善性能的半导体器件。半导体衬底的表面层部分中具有彼此分离的用于源极的n⁺型半导体区以及用于漏极的n⁺型半导体区。半导体衬底的在用于源极的n⁺型半导体区以及用于漏极的n⁺型半导体区之间的主表面上具有经由作为栅绝缘膜的栅电极。半导体衬底的栅电极下方的沟道形成区以及用于漏极的n⁺型半导体区之间的主表面中具有LOCOS氧化膜以及STI绝缘膜。在LOCOS氧化膜和STI绝缘膜中，LOCOS氧化膜位于沟道形成区侧且STI绝缘膜位于用于漏极的n⁺型半导体区侧。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202211531863.2在审
发明人：黄泛佣;权智惠;金志永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括在下基板上的掩埋绝缘层图案。第一半导体图案和第二半导体图案设置在掩埋绝缘层图案上。下导电图案形成在第一半导体图案和第二半导体图案之间的第一凹槽的下部中，并且下导电图案可以接触第一半导体图案的下部侧壁和第二半导体图案的下部侧壁。形成在下导电图案上的公共栅极结构填充第一凹槽的剩余部分。第一半导体图案可以包括从第一半导体图案的上表面朝向下基板依次堆叠的第一杂质区、第一沟道区和第二杂质区。第二半导体图案包括第三杂质区、第二沟道区和第四杂质区。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200710186679.8有效
发明人：山崎舜平;高山彻;丸山纯矢;大野由美子;田中幸一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-12-18 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：内插板；设在所述内插板上的布线；包括在所述内插板之上的第一半导体器件、第一焊垫和第一焊锡球的第一芯片，所述第一半导体器件电连接到所述第一焊垫，而所述第一焊垫电连接到所述第一焊锡球；包括在所述第一芯片之上的第二半导体器件、第二焊垫和第二焊锡球的第二芯片，所述第二半导体器件电连接到所述第二焊垫，而所述第二焊垫电连接到所述第二焊锡球；以及设在所述内插板尾侧的终端；其中所述布线和所述第一芯片经由所述第一焊锡球电连接；其中所述第一芯片和所述第二芯片经由所述第二焊锡球电连接；以及其中所述终端电连接到所述第一半导体器件。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202110079908.6有效
发明人：葛薇薇 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，包括横向分布在所述半导体器件表面的阱区和漂移区，在阱区和漂移区中分别设置有源端掺杂区和漏端掺杂区，分别形成源端和漏端，栅极结构覆盖在阱区和漂移区之间，场板结构覆盖在漂移区上表面，用于在漂移区上表面形成积累层本发明的半导体可使场板结构上表面的电位略高于场板结构下表面的电位，在半导体器件导通状态下，有效地在场板结构下方形成电子积累层，从而降低半导体器件的导通电阻，提升半导体器件性能。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201710179429.5有效
发明人：横井芳彦;小岛勇介 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。在现有技术的半导体器件中存在的问题是，具有有源米勒钳位功能的半导体器件的芯片尺寸不能减小。根据一个实施例，半导体器件被配置为当功率器件导通或截止时，监测功率器件的栅极电压(Vg)，在转变范围内设置预定范围，转变范围是栅极电压(Vg)改变的范围，当栅极电压(Vg)在预定范围内时，通过使用预定数量的恒流电路，改变功率器件的栅极电压(Vg)，并且当栅极电压(Vg)在预定范围之外时，通过使用比当栅极电压(Vg)在预定范围内时使用的恒流电路的数量更多数量的恒流电路来改变栅极电压(Vg)。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201610728317.6在审
发明人：高桥幸雄;松浦仁 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，该半导体器件具有设置在半导体衬底的主表面的凸状态的第一绝缘膜；形成在半导体衬底上并以包围凸状态的第一绝缘膜的周围的方式设置的、导电类型与半导体衬底的导电类型不同的第一扩散层；构成熔断元件的
半导体器件

[其他]半导体器件-CN101985000008134在审
发明人：植木善夫 -专利权人：索尼公司
申请日： 1985-11-02 - 公布日： 1989-07-19 - 主分类号：文献下载
摘要：具有ｎｐｎ和ｐｎｐ晶体管的一半导体器件，其特征在于一半导体衬底上所形成的一ｎ型外延层上形成ｎｐｎ晶体管，以及在ｎ型外延层上所形成的－ｎ型半导体区域内形成ｐｎｐ晶体管，ｎ型半导体区域具有一高于ｎ型外延层的杂质浓度即使ｎ型外延层的厚度被减小，仍可以防止ｐｎｐ晶体管的穿通现象，因此得到一高速半导体器件。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201911004947.9在审
发明人：金大元;金奉秀;崔荣振;具炳周;金万福 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体基板；第一杂质区和第二杂质区，在半导体基板中彼此间隔开；在半导体基板上的位线，该位线在第一方向上延伸；以及位线接触，将第一杂质区电连接到位线。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN85108134.7无效
发明人：植木善夫 -专利权人：索尼公司
申请日： 1985-11-02 - 公布日： 1989-07-19 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：具有npn和pnp晶体管的一半导体器件，其特征在于一半导体衬底上所形成的一n型外延层上形成npn晶体管，以及在n型外延层上所形成的-n型半导体区域内形成pnp晶体管，n型半导体区域具有一高于n型外延层的杂质浓度即使n型外延层的厚度被减小，仍可以防止pnp晶体管的穿通现象，因此得到一高速半导体器件。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN202021170901.2有效
发明人：埃里克·杰弗里·伍尔西 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件。用于半导体器件的通孔的实施方式可包括：半导体衬底，该半导体衬底包括第一侧；通孔，该通孔从半导体衬底的第一侧延伸到焊盘；聚合物层，该聚合物层沿着通孔的整个侧壁耦接，聚合物层与焊盘直接接触；和金属层，该金属层直接耦接在聚合物层上方并与焊盘直接耦接
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201611019117.X在审
发明人：桑岛照弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。实现了半导体器件的性能提高。该半导体器件包括半导体衬底；布线结构，其形成在所述半导体衬底上方并且包括多个布线层；以及第一线圈、第二线圈、和第三线圈，其形成在所述半导体衬底上方。第二线圈和第三线圈中的每个和第一线圈没有经由导体彼此耦合，但彼此磁耦合。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201621056913.6有效
发明人： M·J·塞登;F·J·卡尔尼;E·伍塞伊 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件。所述半导体器件包括半导体管芯，所述半导体管芯包括第一平坦表面和与所述第一平坦表面相背对的第二弯曲的表面，其中所述半导体管芯包括图像传感器区域。本实用新型实现的一个技术效果是在半导体管芯上提供能够以低的成本大量生产的弯曲的图像传感器。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201811217165.9在审
发明人：山田直树 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。本发明提高了一种半导体器件的可靠性。根据一个实施方式的半导体器件具有堆叠的多个半导体芯片。另外，配置在半导体芯片之间的并且建立了半导体芯片之间的电连接的多个芯片间连接构件(导电性构件)包括用于使具有第一频率的电流流过的第一芯片间连接构件(导电性构件)以及用于使具有比第一频率更高的第二频率的信号电流流过的多个第二芯片间连接构件
连接构件半导体器件芯片半导体芯片导电性构件相邻配置信号电流电连接堆叠配置

[发明专利]半导体器件-CN201510881324.5有效
发明人：中西翔 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。在背表面空穴注入型二极管中，通过更有效地确保从半导体衬底的背表面注入空穴的效果，改进半导体器件的性能。在该半导体器件中，在由包括形成在半导体衬底的主表面中的阳极P型层和形成在半导体衬底的背表面中的背表面N+型层的PN结形成的二极管中，背表面P
半导体器件

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