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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]凸块结构与堆叠结构-CN201611223951.0在审
发明人：林柏均 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种凸块结构与堆叠结构，凸块结构包含第一板状结构、第一接触垫、第一接合件以及第二接合件。第一接触垫设置于第一板状结构上。第一接合件设置于第一接触垫上，第一接合件具有第一杨氏模量。第二接合件设置于第一接合件上，第二接合件具有第二杨氏模量，且第二杨氏模量大于第一杨氏模量。接合凸块结构与凸块结构的热膨胀系数通常不同。因为接合凸块结构是在高温环境下接合于凸块结构，在堆叠结构离开高温环境而进入室温环境后，凸块结构与接合凸块结构之间可能会发生相对扭转或相对位移。因为第一杨氏模量与接合凸块结构的第三接合件的第三杨氏模量小于第二杨氏模量，能有效容忍相对扭转或相对位移，因而使堆叠结构不会受到损害。
结构堆叠

[发明专利]具有凸块的马达框架-CN201711432780.7在审
发明人：王祈欣;蔡承翰;房子阳 -专利权人：东元电机股份有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H02K5/04 文献下载
摘要：一种具有凸块的马达框架，包含一框架本体、多个凸块与多个散热鳍片。框架本体沿一延伸方向延伸，并依序具有一第一风扇容置段、一核心组件容置段与一第二风扇容置段。多个凸块自框架本体的一内周面朝向一中心轴凸伸出，并自第一风扇设置段与核心组件容置段相连接处延伸至第二风扇设置段与核心组件容置段相连接处，且凸块中的任两相邻者形成一内部散热通道。多个散热鳍片自框架本体的一外周面背向中心轴凸伸出，并沿延伸方向延伸。其中，每一上述的凸块向外辐射对应于上述散热鳍片中的至少二者。
凸块框架本体核心组件散热鳍片容置段方向延伸风扇容置风扇设置马达框架中心轴延伸伸出散热通道内周面外周面辐射

[发明专利]金属凸块及其制造方法-CN202110186640.6在审
发明人：魏有晨;穆苑龙;王冲;王大甲;冯雪丽 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属凸块及其制造方法，通过将镀金属窗口的内壁由现有的直线型修改为阶梯型，使得镀金属窗口的底部开口大于钝化层的接触窗口的顶部开口，并小于所述镀金属窗口的顶部开口，从而在向镀金属窗口中依次镀第一焊料层能利用所述阶梯型内壁的限定作用使得第一焊料层的顶部外边缘在周向上均短于所述金属阻挡层的顶部外边缘，即使得第一焊料层相对金属阻挡层形成底切结构，由此可以在后续工艺中能够保证第二焊料层无法接触到第一焊料层，从而避免金属凸块中的第一焊料层和第二焊料层中的金属发生不必要的共晶反应的问题，提高了金属凸块的性能，降低了器件因金属凸块性能不良而失效的风险。
金属及其制造方法

[发明专利]热压缩倒装芯片凸块-CN202080091475.X在审
发明人： D·何;H-Y·许;孙洋洋;W·胡;W·王;L·赵 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：热压缩倒装芯片(TCFC)凸块可以用于受益于细间距的高性能产品。在一个示例中，一种新的TCFC凸块结构在TCFC铜柱凸块下方添加金属垫，以覆盖暴露的铝凸块垫。这种新的结构防止垫被腐蚀并且减少对垫和下方硅电介质层的机械应力，从而使能更好的质量和可靠性并且使能进一步的凸块尺寸减小。
压缩倒装芯片

[发明专利]获取的重构凸块加工-CN202310055703.3在审
发明人：赖冠宇;胡坤忠;翟军;全永斗 -专利权人：苹果公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及获取的重构凸块加工。描述了裸片重构方法和具有经重构的接触凸块的裸片。在一个实施方案中，一种裸片重构方法包括：重构包括第一类型的第一接触凸块的多个裸片；部分去除这些第一接触凸块；以及在该经部分去除的第一接触凸块的顶部上形成第二类型的第二接触凸块，其中该第二类型与该第一类型不同
获取重构凸块加工

[发明专利]凸块测量高度计量-CN202180062754.8在审
发明人： E·塞格夫 -专利权人：卡姆特有限公司
申请日： 2021-07-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于测量多个凸块的顶部与层的上表面之间的高度差的方法，所述方法可以包括通过使用第一辐射照射所述凸块和相应区域，对所述凸块和所述相应区域之间的高度差执行第一测量；其中所述第一测量受到第一测量误差的影响；以及根据所述第一测量和第一测量误差，确定所述凸块与所述相应区域之间的高度差。
测量高度计量

[发明专利]凸块下金属化-CN201410281358.6有效
发明人：李智飞;张复诚;郑志成;陈信吉;黄远国 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供了一种凸块下金属化结构及其形成方法。凸块下金属化结构具有从上向下看呈圆形或者相邻边之间的角大于90°的多边形的再分布通孔。因此，本发明能够改进之后形成的金属层的阶梯覆盖。
凸块下金属化

[发明专利]形成凸块结构的方法-CN201310199231.5有效
发明人：于宗源;陈宪伟;陈英儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种形成凸块结构的方法，包括通过化学镀工艺在顶部金属层上形成金属化层；在金属化层上方形成聚合物层；在聚合物层上形成开口以暴露金属化层；以及在暴露的金属化层上方形成焊料凸块，以与顶部金属层电接触。
形成结构方法

[发明专利]形成焊接凸块的方法-CN200910055365.3有效
发明人：佟大明;梅娜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成焊接凸块的方法，用于实现晶圆级芯片封装，包括下列步骤：提供半导体基底；在基底上形成铜材质的重布线焊垫；对重布线焊垫进行表面处理，去除其表面的铜氧化物；在基底和重布线焊垫上形成再钝化层，在需要形成焊接凸块的位置作开口，露出重布线焊垫；用助焊剂清洗出露的重布线焊垫；在开口内的重布线焊垫上形成焊接凸块。
形成焊接方法

[发明专利]焊料凸块制作方法-CN200910051849.0有效
发明人：李润领;童沙丹;司伟;吴俊徐;王津洲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明揭露了一种焊料凸块制作方法，包括：提供一具有焊盘的半导体基底；在所述半导体基底上形成金属叠层；在所述金属叠层上形成第一光阻层，并图案化第一光阻层形成第一开口，所述第一开口位于焊盘上方相应位置并暴露出金属叠层在所述第一光阻层和金属电极表面形成第二光阻层，并图案化第二光阻层形成第二开口，所述第二开口暴露出所述金属电极；在所述第二开口中形成焊料层；去除所述第一光阻层、第二光阻层和未被金属电极覆盖的金属叠层；回流所述焊料层形成凸点本发明可形成高度和体积一致的高质量的焊料凸块，提高了半导体器件的良率。
焊料制作方法

[发明专利]形成焊接凸块的方法-CN200910049994.5有效
发明人：王重阳;梅娜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本发明提出一种形成焊接凸块的方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底表面形成有凸块下金属层；利用金属层蚀刻液蚀刻所述凸块下金属层；清洗干燥所述凸块下金属层；在所述凸块下金属层上形成焊接凸块。本发明通过使用金属蚀刻液进行短时间的蚀刻，能将凸块下金属层表面进行微蚀刻，从而改变表面的微观结构，使其变得更加粗糙，增加了其与干膜光阻之间的粘合力，从而不会出现渗镀现象，因而提高了芯片的性能和质量。
形成焊接方法

[发明专利]凸块制造工艺及其结构-CN201110423997.8有效
发明人：郭志明;邱奕钏;何荣华 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明有关一种凸块制造工艺及其结构。其中的凸块制造工艺其包含提供一硅基板，该硅基板具有多个焊垫；形成一含钛金属层于该硅基板，该含钛金属层具有多个第一区及第二区；形成一光阻层于该含钛金属层；图案化该光阻层以形成多个开槽；形成多个凸块底部包覆层于该含钛金属层上；形成多个铜凸块于上述开槽内；进行一加热步骤；形成多个凸块外部包覆层，以使各该凸块外部包覆层连接各该凸块底部包覆层，并完全包覆各该铜凸块以形成一凸块包裹层；形成多个接合层于各该凸块外部包覆层；移除该光阻层；以及移除该含钛金属层的上述第二区，并使该含钛金属层的各该第一区形成为一凸块下金属层。
制造工艺及其结构

[发明专利]具有保护结构的凸块-CN201210285329.8有效
发明人：余振华;张宏宾;苏安治;吴仓聚;邱文智;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包括形成在后钝化互连(PPI)线上并且被保护结构所包围的凸块结构。该保护结构包括聚合物层和至少一个介电层。介电层可形成为在聚合物层的顶面上，聚合物层的下方，插入到凸块结构和聚合物层之间，插入到PPI线和聚合物层之间，覆盖聚合物层的外侧壁或它们的组合。本发明还涉及具有保护结构的凸块。
具有保护结构

[发明专利]凸块结构及其制造方法-CN201110178335.9有效
发明人：谢明灯;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种凸块结构包含一基体部分、一嵌入部分以及一尾端突出部分。基体部分接合于一接合地址上。嵌入部分压入基体部分的一顶面。尾端突出部分自嵌入部分延伸出。此外，亦提出此凸块结构的形成方法。
结构及其制造方法

[发明专利]凸块结构及制造工艺-CN201110134729.4有效
发明人：施政宏;郭士祯;陈文童 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种凸块结构及制造工艺，该凸块结构，其设置于一载板上，其包含有第一高分子块体、第二高分子块体、第一沟槽、凸块下金属层及接合金属层，其中该第一高分子块体及该第二高分子块体为独立的块体，该第一高分子块体具有第一接合槽，该第二高分子块体具有第二接合槽，该凸块下金属层覆盖该第一高分子块体及该第二高分子块体，该凸块下金属层形成有第二沟槽、第三接合槽及第四接合槽，该接合金属层覆盖该凸块下金属层，且该接合金属层形成有第三沟槽
结构制造工艺

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