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[发明专利]具有多级别写电流的磁记录系统-CN201210356543.8有效
发明人： B·利维彻兹;R·S·威尔森;J·S·高登博格 -专利权人： LSI公司
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G11B5/335 文献下载
摘要：本发明涉及具有多级别写电流的磁记录系统。本发明的多个实施例提供了利用多级别写电流波形进行磁记录的装置、系统和方法。例如，公开了一种利用多级别写电流波形进行磁记录的装置，其包括：模式检测电路，能操作来检测要由磁性写头写入的数据中的模式并产生模式指示信号；以及写驱动器，能操作来生成用于磁性写头的多级别写电流波形。所述多级别写电流波形的至少一个电特性基于模式检测电路所检测的模式。
具有多级电流记录系统

[发明专利]对多倍冗余存储器的安全写操作-CN200480013513.0有效
发明人： M·J·费尔赫斯特;I·D·贾德;W·J·斯凯尔斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-06-17 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于将数据和奇偶校验安全地写入多倍冗余存储器的装置，包括：第一存储组件，其可操作地将至少第一标记存储在存储设备中，以唯一地索引将由至少数据写操作写入的模式；写组件，其可操作地执行该至少数据写操作；另一存储组件，其可操作地利用至少另一标记覆写该存储设备中的标记，以唯一地索引将由奇偶校验写操作写入的模式；以及另一写组件，其可操作地执行该奇偶校验写操作。优选地，第一存储组件包括第二存储组件，其可操作地利用第二标记覆写所述存储设备中的所述至少第一标记，以索引将由第一奇偶校验写操作写入的模式；以及写组件进一步可操作地执行第一奇偶校验写操作。
冗余存储器安全操作

[发明专利]一种并发控制方法及装置-CN201510111849.0有效
发明人：郑小进;肖宇雷;叶涛 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G06F9/52 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种并发控制方法，包括：接收至少两条事务操作请求，所述至少两条事务操作请求中的每条事务操作请求包括操作对象信息及操作类型信息，所述操作对象信息用于指示所述事务操作请求的操作对象，所述操作类型信息包括写操作或读操作；根据所述至少两条事务操作请求进行用锁申请；根据所述用锁申请的请求锁状态和当前锁状态确定所述申请是否通过；若是则确定用所述请求锁状态对所述至少两条事务操作请求进行并发控制；其中，所述锁状态至少包括三种模式：共享读模式、共享写模式、排他模式，其中所述共享写模式包括允许大于或等于两个的写操作对所述操作对象同时进行写操作。
事务操作并发控制锁状态写操作操作对象信息操作类型信息操作对象写模式共享申请数据库系统三种模式吞吐能力读操作读模式并发

[发明专利]具有可变驱动电压的相变随机存取存储器-CN200610105889.5有效
发明人：赵佑荣;金杜应;姜尚范;郭忠根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-07-13 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一个方面的一种相变存储器件包括：包含多个相变存储单元的存储阵列；写升压电路；和写驱动器。写升压电路在第一操作模式中响应于控制信号升高第一电压并且输出第一控制电压，并且在第二操作模式和第三操作模式中响应于控制信号升高第一电压并输出第二控制电压。在第一操作模式中，写驱动器由第一控制电压驱动，并且将数据写到存储阵列的所选存储单元中。
具有可变驱动电压相变随机存取存储器

[发明专利]具有单倍数据率和双倍数据率功能的先入先出存储装置-CN02820779.3无效
发明人： J·－J·杜;M·F·鳌 -专利权人：集成装置技术公司
申请日： 2002-08-20 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： G06F5/06 文献下载
摘要：先入先出(FIFO)存储装置包括多个存储器，这些存储器配置为支持与写时钟信号(WCLK)同步操作的双倍数据率(DDR)或单倍数据率(SDR)写模式和与读时钟信号(RCLK)同步操作的DDR或SDR读模式的任意组合所述FIFO存储装置在读端口和写端口上均提供了灵活的×4N、×2N和×N总线匹配，并允许在写时钟信号和读时钟信号的上升沿与下降沿上读写数据。还提供了可有效处理任何宽度DDR写模式与SDR读模式或任何宽度SDR写模式与任何宽度DDR读模式的定制标志产生和重传电路。
具有数据双倍功能先入先出存储装置

[发明专利]一种智能卡的基于模式控制字方式的安全传输方法-CN201110169494.2有效
发明人：付青琴;李福雷;徐平江;王丽萍 -专利权人：中国电力科学研究院
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：本发明属智能卡的安全控制领域，涉及一种智能卡的基于模式控制字方式的安全传输方法。该方法将智能卡文件的读命令模式和写命令模式分为两种表示方法，智能卡对文件的读命令和写命令采用不同的数据传输方式进行；在智能卡文件的读命令和写命令模式的控制字中，智能卡对文件的读命令和写命令中采用明文、密文、明文加校验MAC、密文加校验MAC四种方式进行传输；在智能卡文件的写命令模式控制字中，增加文件的禁止添加和禁止更新操作的属性；在智能卡文件的读命令和写命令模式的控制字中，定义读命令和写命令操作需要满足的权限
一种智能卡基于模式控制方式安全传输方法

[发明专利]一种存储器寿命均衡方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210867148.X在审
发明人：张浩 -专利权人：广州秉理科技有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：通过将存储器的每个存储块划分为工作子块和伙伴子块，在每个工作子块中设置有写计数器并将伙伴子块的存储模式为单层存储模式，在监测到工作子块发生写操作事件时，控制写计数器对写操作事件计数得到工作子块的写次数，当写次数大于预设的写次数阈值时将工作子块确定为候选工作子块，若候选工作子块的存储模式为多层存储模式则将候选工作子块的存储模式切换为单层存储模式。避免工作在多层存储模式下的工作子块的寿命快速损耗，从而均衡存储器中各个存储块的寿命，实现存储器中各个存储块的寿命均衡，提高存储器的使用寿命。
一种存储器寿命均衡方法装置电子设备存储介质

[发明专利]磁带数据存储驱动器和提供诊断信息的服务提供方法-CN200610109125.3有效
发明人：阿图罗·阿维拉·莫及卡 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-08-02 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： G11B20/10 文献下载
摘要：对磁带数据存储驱动器和数据存储磁带盒的诊断包括：磁带数据存储驱动器在写模式中具有比读模式中更严格的伺服误差检测。磁带数据存储驱动器被设置为写模式，写模式名义上是用于在磁道跟踪伺服装置检测并且磁道跟踪磁带的伺服磁道的同时操作写通道来写数据；在写模式中扫描磁带的伺服磁道，但不写数据；使用写模式的标准来检测伺服误差；并将检测到的伺服误差的信息写入日志
磁带数据存储驱动器提供诊断信息服务方法

[发明专利]校核盘缺陷管理区信息的方法和进行校核的测试设备-CN01116270.8无效
发明人：高祯完;郑铉权 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2001-04-09 - 公布日： 2001-11-14 - 主分类号： G11B20/10 文献下载
摘要：一种校核盘记录和再现设备以读或写模式正常分析缺陷管理区(DMA)信息的方法,以及实施该方法的测试设备。该方法包括利用带有测试基准信息的测试盘以读或写模式操作记录和再现设备;和校验记录和再现设备是否以读或写模式操作以校核该记录和再现设备的DMA信息分析功能。因此,可以测试以读或写模式进行的盘记录和再现设备的DMA信息分析功能。
校核缺陷管理区信息方法进行测试设备

[发明专利]清除寄存器数据-CN202180047765.9在审
发明人： J.L.弗格森 -专利权人：图核有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：一种具有寄存器文件的处理单元，该寄存器文件包括：多个寄存器，每个寄存器具有被配置为接收写使能信号的写使能输入和连接到处理单元写数据路径的写数据输入，并且被配置为当写使能信号生效时，从写数据路径写数据值以存储在寄存器中；写电路，被配置为在正常操作模式下使寄存器中的相应一个的写使能信号生效，以使得操作数据值从写数据路径被写入该寄存器；以及控制数据清理模式的数据清理电路，在数据清理模式下，使寄存器文件中所有寄存器的写使能信号同时生效，使得清理数据值从写数据路径被同时写入所有寄存器。
清除寄存器数据

[发明专利]一种对保护分区执行写操作的方法和装置-CN201410239661.X在审
发明人：桑圣杰 -专利权人：青岛海信移动通信技术股份有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种对保护分区执行写操作的方法和装置，所述保护分区为正常开机模式下以只读方式挂载到第一目录中的分区，其中第一目录为正常开机模式下创建的目录，所述方法包括：当需要对所述保护分区进行写操作时，进入非正常开机模式，创建第二目录，将所述保护分区以读写方式挂载到所述第二目录中；在所述非正常开机模式下对所述第二目录进行写操作。本发明可以解决对保护分区执行写操作时操作繁琐或误操作导致设备不能正常使用的问题。
一种保护分区执行操作方法装置

[发明专利]应用于FPGA电路的E‑fuse电路及数据读出方法-CN201610991048.2在审
发明人：周刚;赵宏建 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十七研究所
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用于FPGA电路的E‑fuse电路，包括写数据电路、读数据电路和公用电路；数据读出方法包括写操作前模式数据输出端输出初始状态，默认存储“0”；写操作模式读数据电路不工作，写数据电路和公用电路开启，熔丝被编程；读操作模式写数据部分不工作，读数据电路和公用电路开启，数据读出端读出“1”或“0”。本发明利用电迁移效应，采用电子可编程熔丝E‑fuse作为存储单元，包含3个MOS管和1个E‑fuse的E‑fuse存储单元结构，可完整地完成写/读操作，具有结构简单、使用方便等优点。
应用于 fpga 电路 fuse 数据读出方法

[发明专利]一种对flash进行写操作的方法和装置-CN202111140170.6在审
发明人：胡博;李凯亮;陈凝 -专利权人：紫光同芯微电子有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C29/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种对flash进行写操作的方法和装置，方法包括：控制待测芯片处于flash写模式，为待测芯片提供擦写电压，控制待测芯片进入预设模式，控制设定寄存器同时选中第一存储区和第二存储区，对选中的第一存储区或第二存储区进行按word写操作。由于预设模式使得flash数据存储区划分为存储空间大小相同的第一存储区和第二存储区，并且在设定寄存器同时选中第一存储区和第二存储区时，能够同时对第一存储区和第二存储区进行相同的写操作，从而本申请仅对第一存储区或第二存储区进行写操作，另一存储区也会进行相同的写操作，缩短了写操作的时间，提高了写操作的效率。
一种 flash 进行操作方法装置

[发明专利]一种写画内容显示方法以及相关设备-CN202111015591.6在审
发明人：叶枫;李宏汀;罗文澍;黄雪妍 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G06F3/04883 文献下载
摘要：本申请提供了一种写画内容显示方法，所述方法包括：检测在所述触摸屏上的接触手势；基于所述接触手势为滑动手势，且所述滑动手势满足预设条件，开启写画模式，检测在所述触摸屏上的写画手势，在所述目标界面上显示所述写画手势对应的写画内容本申请通过用户的写画过程(既滑动手势)来触发写画模式的开启，无需在目标界面中刻意去寻找开启写画模式的虚拟控件，降低了用户学习成本。且由于触发条件本身也是写画操作，在开启写画模式前后，用户没有明显的差别感知，始终处于写画状态，提高了用户的使用体验。
一种内容显示方法以及相关设备

[发明专利]用于存储器设备中的写辅助的写激励器-CN201480007455.4有效
发明人： C·郑;N·德塞;R·瓦蒂孔达 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-01-30 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：提供了一种写辅助激励器电路，其辅助处于写操作中的存储器单元(例如，易失性存储器位单元)即使在供电电压被降低时，也保持存储器核处的电压足够高以用于进行正确的写操作。该写辅助激励器电路可以配置成在待机操作模式期间向位单元核提供存储器供电电压VddM。在写操作模式中，写辅助激励器电路可以向位单元核以及向本地写位线(lwbl)和(lwblb)中的至少一者提供降低的存储器供电电压VddMlower。此外，写辅助激励器电路还可以向本地写字线(lwwl)提供外围供电电压VddP，其中VddP≥VddM>VddMlower。
用于存储器设备中的辅助激励

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