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- [发明专利]数据处理电路及设备-CN202110295118.1在审
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常利平
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长鑫存储技术有限公司
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2021-03-19
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2022-09-27
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G11C11/4093
- 本申请实施例提供一种数据处理电路及设备，该电路包括：第一存储组301、第二存储组302、包括一个写入输入缓存电路3031的写入电路303、包括一个写入输入缓存电路3041的写入电路304，两个写入电路303、304分别通过写入输入缓存电路3031、3041从同一写入总线306接收存储数据，通过第一读写总线307向第一存储组301写入存储数据，通过第二读写总线308向第二存储组302写入存储数据；两个写入输入缓存电路3031、3041采用的控制信号的频率均为写入总线306写入存储数据的时钟频率的一半，且下降沿交替出现。本申请实施例的每个写入电路中包括一个写入输入缓存电路，可以减小电路尺寸。
- 数据处理电路设备
- [发明专利]存储器控制器-CN201910660418.8有效
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陈忱;沈鹏;郑秀玉;施宏彦
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上海兆芯集成电路有限公司
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2019-07-22
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2021-08-17
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G11C7/22
- 一种存储器控制器，包括接收电路、控制电路以及处理电路。接收电路接收第一写入指令、第一写入数据、第二写入指令以及第二写入数据。控制电路判断第一写入指令及第二写入指令是否为部分写入指令。当第一写入指令及第二写入指令为部分写入指令时，在读取期间，处理电路根据第一写入指令及第二写入指令读取存储阵列，用以产生第一读取数据及第二读取数据。控制电路根据第一读取数据及第二读取数据修改第一写入数据及第二写入数据，用以产生第一修改数据以及第二修改数据。在写入期间，处理电路将第一修改数据及第二修改数据写回存储阵列。
- 存储器控制器
- [发明专利]写入辅助电路-CN202111525893.8在审
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赖振安;陈俊晟;黄召颖
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上海华力集成电路制造有限公司
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2021-12-14
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2022-06-03
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G11C11/41
- 本发明公开了一种写入辅助电路，包括：延迟电路，具有第一和第二输出端，分别输出第一和第二延迟信号；负压产生模块，第二延迟信号用于为负压产生模块提供正输入电压，第一延迟信号为负压产生模块提供控制信号；在第一延迟信号的控制下，负压产生模块将第二延迟信号转换为写入所需要的第一负电压；至少第一延迟信号的第一延迟时间具有工作电压依赖性,且随着工作电压增加时，第一延迟时间会变小，使负压产生模块提前进行正负电压切换，以避免第一负电压过低而产生电应力本发明能提供负电压并能防止负电压过低从而防止出现极端电应力，同时还能避免采用钳位电路从而能避免由钳位电路产生的漏电路径，从而能提高能源效率。
- 写入辅助电路
- [发明专利]写入保护电路-CN201910315955.9有效
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高志杰
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宜鼎国际股份有限公司
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2019-04-19
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2021-09-28
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G06F12/16
- 本发明公开了一种写入保护电路，其应用在一数据储存装置中，数据储存装置包括有一控制器及复数个闪存，闪存包括有一写保护脚位，写入保护电路包括一保险丝及一开关器，当开关器操作在一导通状态时，保险丝将通过开关器直接接地而烧毁，闪存的写保护脚位上的一脚位讯号成为一低准位状态讯号，将使得数据储存装置的闪存永久被禁止被写入。基于本发明的写入保护电路可以对数据储存装置的闪存执行不可恢复的写入保护程序，以使数据储存装置的闪存永久地被禁止写入，避免闪存中的重要数据被覆写而遗失或中毒。
- 写入保护电路
- [发明专利]先进先出缓冲器-CN200880016077.0无效
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约翰内斯·布恩斯特拉;森达拉瓦拉丹·兰加拉让;拉金德拉·库马尔
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NXP股份有限公司
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2008-05-14
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2010-03-24
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G06F5/12
- 一种用于在具有不同时钟域的电路之间进行接口的FIFO存储器电路。该电路包括：FIFO存储器(10)；写入指针电路(16)，由第一时钟域的时钟进行时钟控制，所述写入指针电路(16)控制被写入数据的存储单元；以及读取指针电路，由第二时钟域的时钟进行时钟控制，所述读取指针电路控制从其中读取数据的存储单元读取指针电路和写入指针电路都使用格雷编码。存储器电路还包括复制写入指针电路(30)，其写入指针地址与写入指针电路(16)同步地加1，并且其起始写入地址被选择为使得复制写入指针地址比写入指针电路地址落后对应于FIFO存储器(10)大小的多个地址存储单元比较器(34)将读取指针电路地址与复制写入指针电路地址进行比较以确定FIFO存储器的满状态。
- 先进缓冲器
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