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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]多靶溅射源及沉积多层的方法-CN200880020265.0有效
发明人： H·罗尔曼 -专利权人： OC欧瑞康巴尔斯公司
申请日： 2008-06-13 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：提供用于溅射的设备和方法，其对于溅射高磁化强度饱和度材料是有用的。在一个实施例中，多个溅射靶布置(1a，1b，2，3a，3b)同心排列，其中可以产生至少部分位地于各个靶布置之上的独立磁场。方法包括从多个靶布置共溅射以在基底上产生溅射合金层，以及从不同靶布置交替地溅射以在基底上产生多个溅射层。
溅射沉积多层方法

[发明专利]Sn-Zn-Cu焊料的高通量制备方法-CN201910557829.4有效
发明人：贾延东;耿川;王刚;易军;黄波 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B23K35/40 文献下载
摘要：该Sn‑Zn‑Cu焊料采用两靶共溅射沉积方法制得。本申请解决了传统试错法浪费大量原料和人力，以及工作效率低的问题。
sn zn cu 焊料通量制备方法

[发明专利]用于沉积由混合物组成并具有预定折射率的层的方法和系统-CN200810007789.8有效
发明人：马库斯·K.·太尔西;约瑟夫·史密斯;马瑞斯·格瑞革涅斯 -专利权人： JDS尤尼弗思公司
申请日： 2008-03-12 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种用于沉积由混合物组成并具有预定折射率的层的方法和溅射沉积系统。溅射沉积系统包括由单个DC电源供电的多个靶阴极，每个靶阴极包括具有不同成分的靶材料。多个靶阴极被共溅射以将混合物组成的层沉积在基片上。调节多个靶阴极的操作参数可以控制复合折射率。适合的操作参数包括阴极功率、阴极电压、阴极电流、阴极架与基片的夹角，以及反应气体流率。
用于沉积混合物组成具有预定折射率方法系统

[发明专利]磁控溅射辅助的MOCVD装置及方法-CN201410414711.3无效
发明人：牟洪臣;孙文军;王利利;王金颖;王炫力;袁浩然 -专利权人：哈尔滨师范大学
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：磁控溅射辅助的MOCVD装置，涉及多元金属氧化物半导体薄膜生长设备与技术。它是为了解决多元金属氧化物半导体掺杂难的问题。本发明包括生长室、有机源瓶、气路控制系统和尾气处理系统，本发明给出了磁控溅射与MOCVD相结合的技术流程及尾气处理技术，可实现MOCVD、磁控共溅射及磁控辅助的MOCVD技术。
磁控溅射辅助 mocvd 装置方法

[发明专利]混合式非对称超级电容器及其制备方法-CN202310653642.0在审
发明人：王晓红;李张善昊;严梓芸;许明豪 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01G11/84 文献下载
摘要：方法包括：集流体沉积步骤，将集流体及其黏附层溅射在两片基片上，形成两片衬底；共溅射步骤，在两片衬底上磁控共溅射金和牺牲模板，形成混合物；刻蚀步骤，对混合物进行选择性刻蚀，形成多孔金电极，用作阴极；原子层沉积步骤
混合式对称超级电容器及其制备方法

[发明专利]一种高化学计量比的多晶WC薄膜及其低温制备方法-CN201711434895.X有效
发明人：吕建国;胡睿 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：其低温制备方法采用直流磁控溅射方法，采用高纯W金属靶材和石墨靶材、双靶共溅射方法，Ar‑CH₄混合气体为工作气体，Ar:CH₄分压比1:1，气体压强1.5Pa本发明所提出的双靶共溅射方法，有效补充C损耗，且提高了低温生长WC薄膜的结晶质量，使制得的WC薄膜为晶态薄膜，且具有高化学计量比。
薄膜化学计量比低温制备多晶双靶共溅射附着力等离子体气氛六方相结构原子百分比采用直流磁控溅射低温生长工作气体混合气体金属靶材晶态薄膜气体压强石墨靶材显微硬度分压比衍射峰最强峰生长高纯基底补充

[发明专利]一种TiSbTe相变存储材料、制备方法及其应用-CN201210537556.5无效
发明人：吴良才;朱敏;纪兴龙;宋志棠;饶峰;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种TiSbTe相变存储材料、制备方法及其应用，按照化学通式Ti1-x-ySbxTey中Sb和Te的配比采用SbxTey合金靶以及Ti靶共溅射，其中，共溅射时，通入惰性气体和掺杂源，获得经掺杂的本发明的TiSbTe相变存储材料中存在掺杂元素，使其非晶态电阻值得到显著地提升，大幅度地扩大非晶态电阻与晶态电阻比值，且非晶态电阻值随着掺杂元素含量的增加而增大，其中，掺杂元素的含量由溅射过程中的掺杂源与惰性气体的流量比值决定
一种 tisbte 相变存储材料制备方法及其应用

[实用新型]多工位旋转样品台-CN200620025914.4无效
发明人：李群英;杜希文;孙景;赵兴 -专利权人：天津大学
申请日： 2006-04-25 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型提供的多工位旋转样品台，是在原设备的旋转轴底座上附加一个过渡圆盘，在过渡圆盘的偏心位置，安装一个连接轴，其上依次安装有从动齿轮盘、多工位基片插槽和开有一个溅射孔的基片挡板，基片夹插入多工位基片插槽内本实用新型是在多靶共溅射镀膜设备中配备了多工位样品台，从而作到了开一次腔体，换一次基片，抽一次本底真空，就可以对多个基片分别进行多靶共溅射试验，可以提高试验效率6－7倍，另外，由于采用了手动调节工位的设计方案
多工位旋转样品

[发明专利]锂离子电池锡钛薄膜负极的磁控溅射制备方法-CN201110114606.4无效
发明人：李晶泽;霍文培;刘凯;王毅;周爱军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-05-05 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于化学电源领域，具体涉及锂离子电池用锡钛薄膜负极的磁控溅射制备方法。其特征在于，使用纯锡和纯钛两个靶交替溅射或者共溅射制备锡钛薄膜，然后在室温至300℃间保持0-6h退火处理。在两靶交替溅射方法中，交替次数大于1时，根据首先溅射的物质，可以形成Sn/Ti或Ti/Sn叠层膜。
锂离子电池薄膜负极磁控溅射制备方法

[实用新型]一种磁控溅射镀膜系统-CN202121921378.7有效
发明人：曹正瑞 -专利权人：沈阳密锑瑞尔真空设备有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及机械领域，具体涉及一种磁控溅射镀膜系统。本实用新型的技术方案如下：一种磁控溅射镀膜系统，包括机架、腔体、靶盖总装、复合分子泵、插板阀、抽气阀和充气阀，所述腔体安装在所述机架上，复合分子泵放置在所述机架内，复合分子泵通过管道与所述腔体连通，所述插板阀安装在复合分子泵与所述管道之间本实用新型提供的磁控溅射镀膜系统，安全可靠，能够实现多材料共溅射及单材料多层膜溅射。
一种磁控溅射镀膜系统

[外观设计]双离子束共溅射薄膜设备真空室-CN201730500752.9有效
发明人：雷念程 -专利权人：雷念程
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1、外观设计产品的名称：双离子束共溅射薄膜设备真空室。2、外观设计产品的用途：用于制备真空薄膜。3、外观设计的设计要点：产品的整体和局部形状。4、最能表明设计要点的图片：立体图。
离子束溅射薄膜设备真空

[发明专利]一种Sb基柔性薄膜温差电池及其制造方法-CN201610330440.2在审
发明人：范平;郑壮豪;梁广兴;罗景庭;张东平;钟爱华;李甫 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开一种Sb基柔性薄膜温差电池及其制造方法，制造方法包括步骤：A、采用磁控共溅射技术，在第一柔性衬底上制备P型ZnSb热电薄膜；以及采用磁控共溅射技术，在第二柔性衬底上制备N型CoSb热电薄膜；B
一种 sb 柔性薄膜温差电池及其制造方法

[发明专利]一种稀土掺杂钇铁石榴石单晶薄膜、制备方法及其应用-CN202210974602.1有效
发明人：潘丽宁;周婷婷;谭果果;满其奎 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种稀土掺杂钇铁石榴石单晶薄膜、制备方法及其应用，涉及亚铁磁性氧化物薄膜技术领域，所述制备方法包括：采用磁控共溅射沉积方式，于室温下在钆镓石榴石基底上沉积稀土和钇铁石榴石，得到单层非晶稀土掺杂钇铁石榴石薄膜本发明利用磁控共溅射沉积方式制备稀土掺杂钇铁石榴石单晶薄膜，制备方法简单，成本低，且获得的稀土掺杂钇铁石榴石单晶薄膜质量优异，饱和磁化强度和矫顽力可以根据稀土掺杂量的不同而进行有效调节。
一种稀土掺杂铁石榴石单晶薄膜制备方法及其应用

[发明专利]柔性金属基底双靶共溅射连续镀制梯度金属陶瓷膜层方法-CN201110354715.3无效
发明人：赵慨;冯煜东;王艺;王志民;速小梅 -专利权人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种柔性金属基底双靶共溅射连续镀制梯度金属陶瓷膜层方法，对柔性金属基底通过清洗活化处理并镀制金属反射膜层后；在镀制好的金属反射膜层上，连续镀制梯度M-Al2O3金属陶瓷膜层；本发明通过双靶共溅射的工艺使金属
柔性金属基底双靶共溅射连续梯度陶瓷膜方法

[发明专利]磁记录膜用溅射靶-CN201380011254.7有效
发明人：荻野真一 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： G11B5/851 文献下载
摘要：一种磁记录膜用溅射靶，其含有C，其特征在于，拉曼散射光谱测定中的G谱带与D谱带的峰强度比(IG/ID)为5.0以上。本发明的课题在于提供能够制作粒状结构的磁性薄膜而不使用昂贵的共溅射装置的分散有C颗粒的磁记录膜用溅射靶、特别是Fe‑Pt基溅射靶，虽然具有碳为难烧结的材料、而且碳之间容易形成聚集体的问题，还存在溅射中碳块容易脱离而在溅射后的膜上产生大量粉粒的问题，但是本发明的课题在于提供能够解决上述问题的高密度溅射靶。
记录溅射

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