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[发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010517468.X无效
发明人：畑光宏;桥本和彦 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供用于制备光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括步骤(1)至(11)：(1)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物，接着进行干燥，由此形成第一光致抗蚀剂膜，(2)预焙烘第一光致抗蚀剂膜，(3)将预烘焙的第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射，(4)烘焙曝光的第一光致抗蚀剂膜，(5)用第一碱性显影液将烘焙的第一光致抗蚀剂膜显影，由此形成第一光致抗蚀剂图案，(6)在第一光致抗蚀剂图案上形成涂层，(7)在涂层上涂覆第二光致抗蚀剂组合物，接着进行干燥，由此形成第二光致抗蚀剂膜，(8)预焙烘第二光致抗蚀剂膜，(9)将预烘焙的第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射，(10)烘焙曝光的第二光致抗蚀剂膜，和(11)用第二碱性显影液将烘焙的第二光致抗蚀剂膜显影，由此形成第二光致抗蚀剂图案
用于制备光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010623056.4无效
发明人：畑光宏;夏政焕 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法，该方法包括以下步骤(A)至(D)：(A)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物以形成第一光致抗蚀剂膜，将第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射，然后用碱性显影液将曝光的第一光致抗蚀剂膜显影，从而形成第一光致抗蚀剂图案；(B)使第一光致抗蚀剂图案对以下步骤(C)中的辐射惰性，使第一光致抗蚀剂图案不溶于碱性显影液或者使第一光致抗蚀剂图案不溶于在以下步骤(C)中使用的第二光致抗蚀剂组合物；(C)在步骤(B)中获得的第一光致抗蚀剂图案上，涂覆第二光致抗蚀剂组合物以形成第二光致抗蚀剂膜，将第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射的步骤，和(D)用碱性显影液将曝光的第二光致抗蚀剂膜显影，从而形成第二光致抗蚀剂图案
用于制备光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]有机发光显示装置的制造方法-CN201210597235.4有效
发明人：金玮镕;安炳喆;蔡基成;金珍郁;卓润兴 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：该方法包括：在基板上形成驱动薄膜晶体管和钝化层；在所述钝化层上、相邻的子像素之间的边界部分形成堆层；在所述堆层上层压第一光致抗蚀剂膜；通过在除第一子像素以外的区域中的第一光致抗蚀剂膜上照射IR光形成第一光致抗蚀剂图案；在通过所述第一光致抗蚀剂图案曝露的第一子像素区域中沉积第一有机发射层；移除所述第一光致抗蚀剂图案；在所述堆层上层压第二光致抗蚀剂膜；通过在除第二子像素以外的区域中的第二光致抗蚀剂膜上照射IR光形成第二光致抗蚀剂图案；在通过所述第二光致抗蚀剂图案曝露的第二子像素区域中沉积第二有机发射层；移除所述第二光致抗蚀剂图案。
有机发光显示装置制造方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜-CN201880040313.6有效
发明人：朴银石;林敏映;金智慧 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜，所述光致抗蚀剂组合物能够在形成精细图案期间实现优异的图案性能，并且能够制备具有优异的镀覆液化学稳定性的光致抗蚀剂膜。
光致抗蚀剂组合使用光致抗蚀剂膜

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201810058342.7有效
发明人：儿玉奈绪子 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供防止将光致抗蚀剂膜用作掩模时的抗蚀剂图案端部的形状垮塌而减少设计余量的半导体装置的制造方法。包括：第一工序，在半导体晶片(10)的第一主面涂敷光致抗蚀剂而形成光致抗蚀剂膜(31)；第二工序，在光致抗蚀剂膜(31)转印形成第一开口部的第一掩模图案(32a)；第三工序，在光致抗蚀剂膜转印形成位置与第一开口部的位置不同的第二开口部的第二掩模图案(32b)；第四工序，基于第一掩模图案(32a)以及第二掩模图案选择性地除去光致抗蚀剂膜(31)，形成具有光致抗蚀剂膜的第一开口部以及第二开口部的抗蚀剂掩模；第五工序，将抗蚀剂掩模(31)作为掩模，以离子注入的方式将杂质注入半导体晶片
半导体装置制造方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN202110019174.2在审
发明人：渡边整;平崎贵英 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：该用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂膜，并且在第一光致抗蚀剂膜上形成与第一光致抗蚀剂膜比具有更高的酸度的第二光致抗蚀剂膜；通过使第一光致抗蚀剂膜和第二光致抗蚀剂膜图案化来形成用于暴露半导体衬底的表面的开口；对第二光致抗蚀剂膜的上表面和开口的内部涂布收缩材料，并且通过对第一光致抗蚀剂膜、第二光致抗蚀剂膜和收缩材料进行热处理来在开口的内部使收缩材料和第二光致抗蚀剂膜起反应；以及去除第二光致抗蚀剂膜的上表面和开口的内部的未与第二光致抗蚀剂膜起反应的未反应的收缩材料
用于制造半导体器件方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜-CN201880006630.6有效
发明人：安庸植;金容美;林敏映 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜，所述光致抗蚀剂组合物能够形成其中在金属表面基底上形成精细图案期间高度感光的同时抑制基脚现象的图案，并且能够产生化学稳定性优异的光致抗蚀剂膜。
光致抗蚀剂组合使用光致抗蚀剂膜

[发明专利]半导体器件刻蚀方法以及半导体器件-CN201110176495.X在审
发明人：于世瑞 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：刻蚀方法包括第一光致抗蚀剂涂覆步骤，用于在刻蚀层上布置光致抗蚀剂；第一图案形成步骤，用于利用第一掩膜对光致抗蚀剂进行刻蚀以形成具有第一图案的光致抗蚀剂层；第一刻蚀步骤，利用具有第一图案的光致抗蚀剂层对刻蚀层进行刻蚀；绝缘材料沉积步骤，用于在经过第一刻蚀步骤之后的半导体器件结构上沉积绝缘材料；第二光致抗蚀剂涂覆步骤，用于在刻蚀层上再次布置光致抗蚀剂；第二图案形成步骤，用于利用第二掩膜对第二光致抗蚀剂涂覆步骤所布置的光致抗蚀剂进行刻蚀以形成具有第二图案的光致抗蚀剂层；第二刻蚀步骤，利用具有第二图案的光致抗蚀剂层对刻蚀层进行刻蚀；其中，第一图案是多个平行的第一条纹，第二图案是多个平行的第二条纹，并且第一条纹与第二条纹相互垂直。
半导体器件刻蚀方法以及

[发明专利]负性光致抗蚀剂组合物-CN200480012725.7无效
发明人：广崎贵子;新堀博 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2004-05-13 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明提供一种负性光致抗蚀剂组合物，该组合物用于这样形成图案的方法中：其中将底层膜置于基片上，含有负性光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀层置于所述底层膜上面，该光致抗蚀膜被选择地曝光，然后所述底层膜和所述光致抗蚀膜同时经受显影处理，而且该组合物包括(A)碱可溶性树脂，(B)用射线辐照时生成酸的酸生成剂，和(C)交联剂，该组合物的特征在于所述酸生成剂(B)包括含有无亲水基阳离子的鎓盐。该负性光致抗蚀剂组合物可以形成分辨率改善的抗蚀图案。
负性光致抗蚀剂组合

[发明专利]曝光设备,图案、沟道、孔形成方法,液晶显示器及制造方法-CN200810173007.8有效
发明人：梁埈荣;李正一;金正五;安俞庆;康永权;李相振;方政镐 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种曝光设备，即使曝光设备具有低分辨率，也可以通过改变掩模图案形成微米图案，本发明还涉及用于分别形成图案、沟道和孔的方法，和液晶显示器件及其制造方法。用于形成图案的方法包括如下步骤：在基板上形成薄膜，在薄膜上涂覆光致抗蚀剂膜，将掩模在光致抗蚀剂膜上对准，该掩模形成在基底材料上，且包括光遮蔽部分和限定在除光遮蔽部分以外区域的透射部分，所述的光遮蔽部分具有线性支持部分和在该支持部分的边界处的非平坦部分，利用掩模将光致抗蚀剂膜曝光于波长大于300nm的UV光束，以在非平坦部分邻近处引起折射，并且对曝光的光致抗蚀剂膜显影，由此形成光致抗蚀剂膜图案，利用形成的光致抗蚀剂膜图案构图薄膜。
曝光设备图案沟道形成方法液晶显示器制造

[发明专利]用于制造线栅偏振器的系统和方法-CN200710008117.4无效
发明人：秋大镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供用于制造线栅偏振器的系统和方法，包括：用于在基板上形成薄金属膜层的沉积单元、用于在薄金属膜层上涂覆光致抗蚀剂并用于烘焙光致抗蚀剂的涂覆单元、包括其上形成图案的印模并用于把印模压到光致抗蚀剂上且由此把印模的图案转移到光致抗蚀剂上的模压单元、以及用于固化光致抗蚀剂的固化单元。
用于制造偏振系统方法

[发明专利]正性光致抗蚀剂以及结构体的制造方法-CN200480033386.0无效
发明人：中村雅则;森伸浩 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2004-11-17 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G03F7/023 文献下载
摘要：本发明提供可以通过低浓度碱水溶液或中性水显影，并可以容易地通过臭氧水剥离，另外，不易残留残渣，可以减少成本和环境负担的正性光致抗蚀剂以及通过使用该光致抗蚀剂的抗蚀图案形成电路的结构体的制造方法。所述光致抗蚀剂是含有具有结合了2个或2个以上羟基的苯核，且重均分子量为1000～20000的范围的酚醛清漆树脂的正性光致抗蚀剂，所述结构体的制造方法是通过使用该正性光致抗蚀剂的抗蚀图案形成电路的结构体的制造方法，该方法具有以下工序：使用上述正性光致抗蚀剂在基板表面上形成抗蚀膜的工序；对上述抗蚀膜进行曝光、显影的工序；使用显影的抗蚀图案形成电路的工序；除去抗蚀膜的工序。
正性光致抗蚀剂以及结构制造方法

[发明专利]以剥除法制作图案化膜层的方法-CN200610165953.9无效
发明人：格培文;官大双 -专利权人：联诚光电股份有限公司
申请日： 2006-12-11 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G02B5/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种以剥除法制作图案化膜层的方法。此方法是先在基板上形成图案化堆叠层，图案化堆叠层是由牺牲层与光致抗蚀剂层所构成，其中光致抗蚀剂层覆盖并延伸突出于上述牺牲层之外。随后，在图案化堆叠层上以及图案化堆叠层之中的间隙形成一膜层，此膜层的厚度小于牺牲层的厚度。其后，以剥除法移除光致抗蚀剂层以及光致抗蚀剂层上的膜层。之后，再移除牺牲层。
剥除法制图案化膜层方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201910486151.5在审
发明人：渡边健一 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成包含Al的欧姆电极的工序；形成将欧姆电极覆盖的SiN膜的工序；在SiN膜上形成具有与欧姆电极重叠的开口图案的第一光致抗蚀剂的工序；对第一光致抗蚀剂进行紫外线固化的工序；在从开口图案露出的SiN膜形成开口，使欧姆电极的表面露出的工序；在第一光致抗蚀剂上及从开口露出的欧姆电极上形成阻挡金属层的工序；在开口图案内形成第二光致抗蚀剂的工序；对第二光致抗蚀剂进行热处理，利用第二光致抗蚀剂将与开口重叠的阻挡金属层覆盖的工序；及使用第二光致抗蚀剂对阻挡金属层进行蚀刻的工序。
光致抗蚀剂欧姆电极阻挡金属层开口图案开口蚀刻半导体基板半导体装置紫外线固化热处理膜形成覆盖制造

[发明专利]半导体装置-CN202110631068.X在审
发明人：渡边健一 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：在半导体基板上形成包含Al的欧姆电极的工序；形成将欧姆电极覆盖的SiN膜的工序；在SiN膜上形成具有与欧姆电极重叠的开口图案的第一光致抗蚀剂的工序；对第一光致抗蚀剂进行紫外线固化的工序；在从开口图案露出的SiN膜形成开口，使欧姆电极的表面露出的工序；在第一光致抗蚀剂上及从开口露出的欧姆电极上形成阻挡金属层的工序；在开口图案内形成第二光致抗蚀剂的工序；对第二光致抗蚀剂进行热处理，利用第二光致抗蚀剂将与开口重叠的阻挡金属层覆盖的工序；及使用第二光致抗蚀剂对阻挡金属层进行蚀刻的工序。
半导体装置

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