专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种交错并联Sepic电路的无源元件集成装置-CN201710441854.7有效
  • 邓成;蒋启文;沈松林 - 湘潭大学
  • 2017-06-13 - 2019-08-06 - H02M3/335
  • 本发明公开了一种交错并联Sepic电路的无源元件集成装置,其中包括两个集成绕组、两个变压器集成绕组、两个E磁芯;两个E磁芯相对设置,两个集成绕组分别绕制在两个E磁芯中柱上;两个变压器集成绕组分别绕制在两个E磁芯左右两侧边柱上;两个集成绕组均包括由里到外依次排列的内层铜箔绕组、电介质层、外层铜箔绕组;两个变压器集成绕组均包括由里到外依次排列的内层铜箔绕组、漏感材料层、外层铜箔绕组。本发明将交错并联Sepic电路中的升压电感、储能电容、变压器集成在一个磁性元件中,减少了无源元件的数量和体积,提高了交错并联Sepic电路的功率密度,消弱了分布参数对电路性能的影响。
  • 一种交错并联sepic电路无源元件集成装置
  • [发明专利]一种交错磁极的永磁电机转子冲片结构-CN202210168075.5有效
  • 梁德志;钟运平;杨国威;陈兆辉;金昆;张梓梁 - 河南通宇新源动力有限公司
  • 2022-02-23 - 2023-08-15 - H02K1/27
  • 本发明公开了一种交错磁极的永磁电机转子冲片结构,包括转子冲片本体,转子冲片本体中心处设有轴孔,其特征在于:在转子冲片本体上周向设有若干组单元磁极;单元磁极包括第一磁钢槽、第二V磁钢槽以及位于第二V磁钢槽之间的空气槽,第一磁钢槽和第二V磁钢槽内的磁钢关于d轴中心线对称布设,第二V磁钢槽的其中一边与空气槽相连。单元磁极为d轴中心线非对称,相邻磁极为q轴中心线对称,使得转子磁极整体成周向交错,利于减小电机的扭矩脉动和反电势谐波,减小磁钢漏磁系数,可以适当降低所用部分磁钢的牌号,从而降低电机成本。合理的分段斜极叠制,又可使转子成轴向分段交错,有利于减小电机轴向力和轴向端部边缘效应。
  • 一种交错磁极永磁电机转子结构
  • [实用新型]一种内置S支板的洗涤塔-CN202223014858.2有效
  • 王滕飞;王虎;丁凯利 - 河南绿蓝环保工程有限公司
  • 2022-11-14 - 2023-04-11 - B01D53/78
  • 本实用新型公开了一种内置S支板的洗涤塔,塔体的两侧内壁设有数个相互交错排列的支板,支板的上、下板面均为“S”结构,支板前端与相邻的塔体内壁之间形成流通口,数个相互交错排列的支板和流通口之间配合形成“S”气流通道,进气口位于最下层的支板下部,上、下相邻的两个支板之间设有用于洗涤过滤废气的填料;本实用新型通过相互交错分布的数个支板配合形成的“S”气流通道,不仅大大延缓了塔内废气的流动速度,增加废气在塔体内的停留时间
  • 一种内置型支板洗涤
  • [实用新型]一种新型汽化过热器-CN201320528041.9有效
  • 查国金 - 江苏省中瑞设备安装有限公司
  • 2013-08-28 - 2014-03-12 - F28D7/06
  • 种新型汽化过热器,包括筒体和椭圆封盖,所述的筒体为一端开口一端封闭,椭圆封盖通过防松支耳与筒体连接,汽化过热器的各个工作口设在筒体和椭圆封盖的外端。筒体内与筒体壁平行方向设置有U换热管,与筒体壁垂直方向设有相互交错的折流板。特别的,所述的U换热管相互累叠并交错排列。本实用新型所述的一种新型汽化过热器具有结构简单,热交换效果更好的特点。
  • 一种新型汽化过热器
  • [发明专利]一种折叠插座-CN201310431258.2在审
  • 郑甦 - 郑甦
  • 2013-09-22 - 2015-03-25 - H01R13/502
  • 本发明涉及一种插座,特指一种折叠插座,包括两外壳、若干插座,所述两外壳均为L软性塑料,且呈正面相对对接方式连接,同时两外壳无对接的另一端可相互靠拢,形成一长方体,所述插座位于两L外壳内侧,且交错分布,位于同一外壳的插座之间空出一个插座大小的位置,本发明结构简单,交错分布的插座能在两外壳合拢时交错接壤,形成一个长方体,便于存放,同时插座的间隔可以避免拥有过大变压器的插头占太多空间,使其他插头没有插入其他插座的空间
  • 一种折叠插座
  • [实用新型]平顺式传送装置-CN201520790866.7有效
  • 王光伟;倪周敏 - 福建旺丰智能科技有限公司
  • 2015-10-14 - 2016-02-10 - B65G13/11
  • 本实用新型提出了平顺式传送装置,包括滑轨架、转轴和传送轮,滑轨架包括凹上框和梯下框,凹上框固定在梯下框的上部,凹上框上设置有U安装槽,凹上框上端开口内侧设置有凸起挡沿,凸起挡沿下方设置有防脱挡条,凹上框内部内设置有加强架,梯下框内部设置有支撑架,梯下框下部设置有T固定槽,转轴设置在两条滑轨架的U安装槽内,传送轮设置在转轴上,相邻传送轮呈交错位置布置。本实用新型的传送轮交错布置,增加了传送轮与物品的接触面积,受力均衡,使物品滑行顺畅,不会卡物品;滑轨架主要由凹上框和梯下框组成,并且凹上框内部内设置有加强架,梯下框内部设置有支撑架,所以强度高,
  • 平顺传送装置
  • [发明专利]一种沟槽RC-IGBT器件结构及其制作方法-CN202010662036.1在审
  • 伽亚帕·维拉玛·苏巴斯;永福 - 嘉兴斯达半导体股份有限公司
  • 2020-07-10 - 2020-10-09 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种沟槽RC‑IGBT器件结构及其制作方法,主要包括RC‑IGBT器件本体,该RC‑IGBT器件本体集成IGBT与FRD于一体,所述RC‑IGBT器件本体主要包括N衬底及设置在N衬底顶部的N电荷贮存层,N电荷贮存层的顶部设置有P阱层,P阱层的上表面设置有若干组接触孔,所述接触孔包括相邻交错设置的IGBT接触孔和FRD接触孔,且相邻的IGBT接触孔和FRD接触孔之间设置有贯穿P阱层和N电荷贮存层并延伸至N衬底内部的沟槽,所述沟槽包括氧化层及设置在氧化层内的多晶硅,沟槽的底部横截面为半圆形;所述N衬底的底部设置有由P杂质和N杂质交错布置形成的N场终止层。
  • 一种沟槽rcigbt器件结构及其制作方法
  • [实用新型]一种沟槽RC-IGBT器件结构-CN202021348573.0有效
  • 伽亚帕·维拉玛·苏巴斯;永福 - 嘉兴斯达半导体股份有限公司
  • 2020-07-10 - 2021-01-15 - H01L29/06
  • 本实用新型公开了一种沟槽RC‑IGBT器件结构,主要包括RC‑IGBT器件本体,该RC‑IGBT器件本体集成IGBT与FRD于一体,所述RC‑IGBT器件本体主要包括N衬底及设置在N衬底顶部的N电荷贮存层,N电荷贮存层的顶部设置有P阱层,P阱层的上表面设置有若干组接触孔,所述接触孔包括相邻交错设置的IGBT接触孔和FRD接触孔,且相邻的IGBT接触孔和FRD接触孔之间设置有贯穿P阱层和N电荷贮存层并延伸至N衬底内部的沟槽,所述沟槽包括氧化层及设置在氧化层内的多晶硅,沟槽的底部横截面为半圆形;所述N衬底的底部设置有由P杂质和N杂质交错布置形成的N场终止层。
  • 一种沟槽rcigbt器件结构

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