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[发明专利]具有集成栅极电阻器和二极管接法MOSFET的功率MOSFET-CN201280043093.5有效
发明人： J·王;S·徐;J·科瑞克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：功率MOSFET（202）是在半导体器件（200）中由半导体器件的栅极输入节点（204）与功率MOSFET的栅极（206）之间的分流电阻器（208）和二极管接法MOSFET（210）的并联组合形成的。二极管接法MOSFET的栅极（212）被连接到功率MOSFET的栅极（206）。二极管接法MOSFET的源极节点和漏极节点（216,214）通过二极管（220）连接到功率MOSFET的源极节点（218）。二极管接法MOSFET的漏极节点被连接到半导体器件的栅极输入节点（204）。二极管接法MOSFET的源极节点（216）被连接到功率MOSFET的栅极（206）。功率MOSFET和二极管接法MOSFET被集成到半导体器件的衬底中，以使得二极管接法MOSFET的源极节点和漏极节点（216,214）通过pn结与功率MOSFET的源极节点（218）电隔离。
具有集成栅极电阻器二极管 mosfet 功率

[发明专利]包括分布式二极管串的静电放电保护电路-CN201310325257.X有效
发明人： J·C·史密斯 -专利权人：硅实验室股份有限公司
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请公开包括分布式二极管串的静电放电保护电路。集成电路包括第一端子和第二端子。集成电路还包括在第一端子和电源端子之间串联安排的第一多个二极管以及在第二端子和电源端子之间串联安排的第二多个二极管。集成电路还包括被配置成将第一多个二极管内的第一节点耦合至第二多个二极管内的第二节点的导体。第一节点位于第一多个二极管的第一二极管与第一多个二极管的最后一个二极管之间，而第二节点位于第二多个二极管的第一二极管与第二多个二极管的最后一个二极管之间。
二极管静电放电保护电路集成电路电源端子二极管串串联节点耦合导体配置申请

[发明专利]高阻抗偏置网络-CN201010504983.4有效
发明人：克里斯托弗·本内特;哈维耶·雅撒 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2010-10-09 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H03H7/03 文献下载
摘要：在示例中，装置可以包括：耦接在信号节点与共模节点之间的反并联二极管对。反并联二极管对可以包括：第一二极管以及耦接至第一二极管的第二二极管。第三二极管可以耦接在供电节点与信号节点之间，并且第三二极管可以被定尺寸，以补偿反并联二极管对的寄生二极管结。
阻抗偏置网络

[实用新型]一种发电机用过压自保护整流桥模块-CN202121494874.9有效
发明人：曹剑龙;宗瑞 -专利权人：浙江世菱电力电子有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H02H7/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发电机用过压自保护整流桥模块，由散热底板及设置在散热底板上的通过连接过桥连接的6个二极管组成，具体包括二极管VD1、二极管VD2、二极管VD3、二极管VD4、二极管VD5和二极管VD6，所述二极管VD1正极接二极管VD4的负极，二极管VD2正极接二极管VD5的负极，二极管VD3正极接二极管VD6的负极，所述二极管VD1的负极与二极管VD2的负极、二极管VD3的负极相连接于电路的正极，所述二极管VD4的正极与二极管VD5的正极、二极管VD6的正极相连接于电路的负极，所述二极管VD1与二极管VD4间节点、二极管VD2与二极管VD5间节点、二极管VD3与二极管VD6间节点分别连接至发电机绕组电感
一种发电机保护整流模块

[发明专利]用于低压CMOS工艺的低功率电压检测器-CN202280001156.4在审
发明人：黄伟波;郭慧民;黎日东 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：电压检测器具有二极管阶梯，其中一个或多个二极管串联在电池电压输入和上测量节点之间。测量二极管连接在上测量节点和下测量节点之间。电阻器和断电开关串联在下测量节点和地之间。模数转换器(ADC)的模拟输入通过开关连接到上测量节点，以生成上数字值。然后开关将模拟输入连接到下测量节点，以生成下数字值。上、下数字值之间的差值是测量二极管上的二极管电压降，其乘以二极管阶梯中的二极管数量，再与上数字值相加，以产生电池电压测量值。
用于低压 cmos 工艺功率电压检测器

[发明专利]交错偏置变容二极管-CN201980001256.5在审
发明人：艾哈迈德·埃米拉;费萨尔·侯赛因 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：描述了交错偏置变容二极管的技术。例如，交错偏置变容二极管可以包括控制电压节点，多个偏置电压节点和并联耦合的多个子变容二极管。控制电压节点可以配置为接收单个可变控制电压；并且每个偏置电压节点可以配置为接收不同的固定偏置电压。配置每个子变容二极管使得其等效电容是控制电压和偏置电压中各自的一个之间的差值的函数；并且交错偏置变容二极管的等效电容是元件子变容二极管的电容的函数。可以配置变容二极管的数量和偏置电压，使得元件子变容二极管的各自的非线性电容响应有效地组合以产生整个交错偏置变容二极管的基本线性电容响应。
变容二极管偏置电压偏置交错控制电压等效电容配置可变控制电压非线性电容并联耦合线性电容有效地电容响应

[发明专利]降压式变换电路及其无损吸收电路-CN202110112888.8在审
发明人：涂鹏飞 -专利权人：苏州海鹏科技有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明公开了一种降压式变换电路及其无损吸收电路，无损吸收电路包括第一节点A、第二节点B、第三节点C、第四节点D、电容C2、电容C4、二极管D2、二极管D3、二极管D4和电感Ld。电容C2的一端与第一节点A相连，其另一端与二极管D2的阳极相连，二极管D2的阴极与第二节点B相连；电感Ld连接于第二节点B和第三节点C之间；电容C4的一端与第三节点C相连，其另一端与二极管D4的阴极相连，二极管D4的阳极与第四节点D相连；二极管D3的阳极与电容C4和二极管D4之间的连接节点E相连，其阴极与电容C2和二极管D2之间的连接节点F相连。与现有技术相比，本发明不仅能有效改善主二极管的反向恢复电流，降低关断损耗，以及减小IGBT的开关损耗，更主要的是其还能降低主二极管的温升，提高BUCK电路的功率密度。
降压变换电路及其无损吸收

[发明专利]提供高功率效率的发光二极管驱动装置-CN202210853392.0在审
发明人：黄钟泰 -专利权人：韦朗有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H05B45/30 文献下载
摘要：提供一种发光二极管驱动装置，其提供高功率效率。一种用于驱动发光二极管阵列的发光二极管驱动装置，所述发光二极管阵列可包括至少一个发光二极管，且所述发光二极管驱动装置可包括整流器、发光二极管驱动器，其被配置为通过多个第一节点从所述发光二极管阵列依次汲取发光二极管驱动电流，以及第一开关电路，其通过多个第二节点连接到所述发光二极管阵列，其中，所述第一开关电路可包括多个第一开关，其共同连接到作为所述多个第一节点之一的第一共同节点，并分别连接到所述多个第二节点，以及第一控制器
提供功率效率发光二极管驱动装置

[发明专利]一种射频大功率收发共用电路-CN201710696892.7有效
发明人：潘吉华;余松;吴佩伦 -专利权人：贵州航天天马机电科技有限公司
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种射频大功率收发共用电路；由二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4四个二极管组成四臂电桥电路，其中每相邻两个二极管极性相反；在其中一对负极相连的二极管连接线路上，有节点接至发送TX端，同时在发送TX端的连接节点与其中一个相邻二极管之间串联有一信号节点，有控制信号K0端接入至该信号节点，并且该信号节点接电路地，在另一对负极相连的二极管连接线路上有一信号节点，该信号节点同时连接电路地和控制信号
一种射频大功率收发共用电路

[发明专利]像素和包括该像素的图像传感器-CN202210704665.5在审
发明人：朴奭容;金敬珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H04N25/59 文献下载
摘要：一种单位像素电路，包括：第一光电二极管；不同于第一光电二极管的第二光电二极管；第一浮置扩散节点，其中累积在第一光电二极管中生成的电荷；第二浮置扩散节点，其中累积在第二光电二极管中生成的电荷；电容器，连接到第一浮置扩散节点和第一电压节点，并且累积第一光电二极管的溢出电荷；第一开关晶体管，将第一浮置扩散节点连接到第三浮置扩散节点；复位晶体管，将第三浮置扩散节点连接到第二电压节点；增益控制晶体管，将第二浮置扩散节点连接到第三浮置扩散节点；以及第二开关晶体管，连接到第一电压节点和第二电压节点。
像素包括图像传感器

[发明专利]光调制幅度控制器中的可配置激光监控光电二极管-CN202010058808.0有效
发明人： J·E·纳特根斯;J·S·梅森 -专利权人：升特股份有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01J1/18 文献下载
摘要：光电二极管电流比较电路具有耦合到可配置为在第一模式下操作的电路节点的第一电流源，耦合到可配置为以与第一模式相反的第二模式操作的电路节点的第二电流源以及第三电流源，其中使用耦合在电路节点和第三电流源之间的晶体管，第三电流源可切换地将电流路由到电路节点以响应于数据信号。光电二极管耦合到电路节点。在第一配置中，光电二极管的阳极耦合到电路节点，并且光电二极管的阴极耦合到电源端子。在第二配置中，光电二极管的阴极耦合到电路节点，并且光电二极管的阳极耦合到电源端子。放大器提供光电二极管的误差信号。
调制幅度控制器中的配置激光监控光电二极管

[发明专利]压控振荡器及其使用方法-CN202211559424.2在审
发明人： G·帕波托;A·帕里西;A·卡瓦拉;G·帕尔米萨诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：一种压控振荡器(VCO)包括：串联耦合的一对电感器；串联耦合的第一对变容二极管，以及串联耦合的第二对变容二极管。第一共模节点在第一对变容二极管的相应变容二极管之间，第二共模节点在第二对变容二极管的相应变容二极管之间。电源电压节点通过第一开关可切换地耦合到第一共模节点，电源电压节点是位于这对电感器之间的节点。控制电压节点(VC)通过第二开关可切换地耦合到第二共模节点。
压控振荡器及其使用方法

[发明专利]基于混合H桥的单相五电平功率因数校正电路-CN201911283837.0有效
发明人：马辉;鲁海鹏;郑凯通;韩笑 -专利权人：三峡大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：Vs一侧分别连接二极管D1阳极、二极管D2阴极，该连接节点构成端点b；交流电源Vs另一侧连接电感L一端，电感L另一端分别连接二极管D3阳极、二极管D4阴极，连接节点构成端点a；开关管Q3漏极分别连接二极管D:Sub>漏极，连接节点构成端点c；开关管Q3源极分别连接二极管D2阳极、二极管D4阳极、二极管D8阴极、开关管Q2源极，连接节点构成端点d；开关管Q2，其连接节点构成端点p；电容C2负极连接二极管D8阳极，其连接节点构成端点m。
基于混合单相电平功率因数校正电路

[实用新型]一种直流有刷电机控制电路-CN202120571333.5有效
发明人：唐文栋;何宏宇;张建权 -专利权人：长沙市健科电子有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H02P7/00 文献下载
摘要：该直流有刷电机控制电路包括第一体二极管和第二体二极管，第一体二极管和第二体二极管均包括源极、漏记和栅极；述第一体二极管的源极与地线连接，第一体二极管的漏极与第一节点连接，第一体二极管的栅极与第一控制信号端连接；第二体二极管的源极与第一节点连接，第二体二极管的漏极与第二节点连接，第二体二极管的栅极与第二控制信号端连接；第一节点与第一相线相连，第二节点与第二相线和电源端连接；第一相线和第二相线分别与待驱动电机相连
一种直流电机控制电路

[发明专利]具有垂直转移栅极和正方形复位以及源极跟随器布局的图像传感器-CN202110896794.4在审
发明人：臧辉;陈刚 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：CMOS图像传感器具有光电二极管单元的阵列，每个光电二极管单元包括通过垂直转移栅极晶体管耦接到单个浮动节点扩散的四个掩埋光电二极管。每个单元还具有耦接到浮动节点扩散的复位晶体管、具有耦接到浮动节点扩散的栅极的源极跟随器晶体管以及耦接到源极跟随器晶体管的读取选择晶体管。复位晶体管、源极跟随器晶体管和读取选择晶体管主要具有与沿图像传感器的光电二极管阵列的光电二极管的整个水平行延伸的线的夹角大于30度且小于60度的栅极和形状边缘，以及在光电二极管阵列的光电二极管上方垂直地形成，并且在与光电二极管阵列的光电二极管相同的集成电路中。
具有垂直转移栅极正方形复位以及跟随布局图像传感器

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