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[发明专利]具有微结构化层的制品-CN201680076851.1有效
发明人：杰佛瑞·L·所罗门;迈克尔·本顿·弗里;史蒂文·J·麦克曼;马丁·B·沃克;伊莉萨·M·克罗斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G02B5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制品，该制品包括：第一微结构化层，该第一微结构化层包含第一材料并且具有第一主表面和相背的第二主表面，该第一材料包括可交联组合物或交联组合物中的至少一种，该第一主表面为微结构化表面；第二层，该第二层包含粘合剂材料并且具有第一主表面和相背的第二主表面，其中第二层的第二主表面的至少一部分直接附接到第一层的第一主微结构化表面的至少一部分；以及第三聚合物层，该第三聚合物层包含第三材料并且具有第一主表面和相背的第二主表面，其中第三聚合物层的第二主表面的至少一部分直接附接到第二层的第一主表面的至少一部分，并且其中基于相应层的总体积，直接或间接附接到第一层的第二主表面的任何聚合物材料包含总共不超过75体积％的不可交联的热塑性材料和无机材料
具有微结构制品

[发明专利]具压应力之硅基板及其制造方法-CN201510355380.5有效
发明人：张耀中;梁智钦;徐文庆 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种异质结构包括：一基板，具有一第一主表面、一第二主表面、从所述第一主表面延伸入所述基板一距离的一扩散层；以及一外延层，设置于所述基板的所述第二主表面上。上述异质结构是随着制作其之方法所公开。
应力硅基板及其制造方法

[发明专利]碳涂覆制品及其制备方法-CN201280063070.0有效
发明人： R·迪维加尔皮蒂亚;S·埃朱格伍;G·范奇尼 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制品，该制品包括具有第一主表面和任选地第二主表面的基底。层状布置设置在所述第一主表面和所述第二主表面的任一者或两者上。该层状布置包括碳层和导电聚合物层。
碳涂覆制品及其制备方法

[发明专利]包括具有导热通路的基片的电子器件次粘着基台-CN201180066201.6无效
发明人： Z·J·姚 -专利权人：克里公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种用于电子器件的次粘着基台包括：基片，由松散材料形成，在基片的相对两侧上包括第一主表面和第二主表面；表面绝缘层，在基片的第一主表面上；以及模片连结垫，在表面绝缘层上。模片连结垫可以借助于表面绝缘层而与基片电绝缘。次粘着基台还包括：散热接触垫，在基片的第二主表面上；和导热部件，从传导性半导体基片的第二主表面穿过基片向基片的第一主表面延伸。
包括具有导热通路电子器件粘着

[发明专利]硅麦克风的制造-CN200480018356.2无效
发明人：郭杰伟;王国民;卡瑟加玛桑达拉姆·苏里亚库玛;布赖恩·基思·帕特曼 -专利权人：森斯费伯私人有限公司
申请日： 2004-05-26 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：该第一晶片在重掺杂硅层的一个表面上具有第一主表面，在硅层上具有第二主表面。第二硅晶片具有第一主表面和第二主表面。在第一和第二晶片的至少第一主表面上形成氧化物层。蚀刻出空腔，其穿过第一晶片的第一主表面上的氧化物层并进入重掺杂硅层中。第一晶片的第一主表面被结合到第二晶片的第一主表面。在第二晶片的第二主表面上形成金属层。在金属层中以及第二晶片的第二主表面中图案化并蚀刻出声学孔。在第一晶片的重掺杂硅上形成至少一个电极，并且在第二晶片上形成至少一个电极。在制造硅麦克风的过程中，至少从膜片的背面蚀刻第一晶片。
麦克风制造

[发明专利]处理玻璃表面的方法和经处理的玻璃制品-CN202180018063.8在审
发明人：乔伊·班纳吉;英德拉尼·巴塔查里亚;普兰蒂克·玛祖德;沃尔查克·万达·贾尼纳 -专利权人：康宁公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： F21V8/00 文献下载
摘要：公开一种显示器背光单元，包括具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面的玻璃基板以及多个含PMMA光提取点，所述第一主表面用3‑巯基丙基三甲氧基硅烷、氨基丙基三乙氧基硅烷或硅烷化PMMA中的至少一者涂布，所述多个含PMMA光提取点沉积在所述经涂布的第一主表面上。
处理玻璃表面方法玻璃制品

[发明专利]具有精确成形特征部的研磨制品及其制造方法-CN201380041063.5在审
发明人： D·K·勒胡;N·O·珊蒂;谢俊清;K·R·布雷舍 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： B24D3/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种研磨制品，所述研磨制品包括第一研磨元件、第二研磨元件、具有第一主表面和第二主表面的弹性元件和载体。所述第一研磨元件和所述第二研磨元件各自包括第一主表面和第二主表面。所述第一研磨元件和所述第二研磨元件的至少第一主表面包括多个精确成形特征部。研磨元件包括基本上无机、单体结构。
具有精确成形特征研磨制品及其制造方法

[其他]背光源单元-CN201190000792.2有效
发明人：八木秀悟;铃木健;稻田透 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：背光源单元具备能射出光的光源和导光板，上述导光板包括：来自光源的光所入射的周面；与周面连接设置的主表面（14）；以及隔着周面与主表面（14）相对的主表面（15），导光板（10）包括：能使从周面进入的光朝向主表面（14）反射的反射面（22）；和形成于主表面（14）、能将被反射面（22）反射的光聚敛而朝向外部射出的透镜（23）。
背光源单元

[发明专利]共挤出聚合物粘合剂制品-CN202080062872.4在审
发明人：大卫·T·阿莫斯;杰弗里·O·埃姆斯兰德尔;莱西·M·施特兰德;爱德华·E·科尔;杰伊·M·延嫩;拉杰迪普·S·卡尔古特卡;吉利安·M·纳尔森;雅各布·D·扬;罗伯特·D·韦德;多琳·埃克哈特;丹尼尔·居尔卡纳因 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：一种粘合剂制品，包括：共挤出聚合物背衬，该共挤出聚合物背衬包括：包含无定形聚酰胺的第一层，该第一层具有对置的第一主表面和第二主表面；和包含极性改性的聚烯烃的第二层，该第二层具有对置的第一主表面和第二主表面；其中该第二层的第一主表面与该第一层的第二主表面接触；和丙烯酸类压敏粘合剂层，该丙烯酸类压敏粘合剂层与该背衬的第一层的第一主表面接触。
挤出聚合物粘合剂制品

[实用新型]有受防护发射极－基极结的双极结晶体管的半导体器件-CN200520011950.0无效
发明人：神谷孝行;密冈久二彦 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2005-03-08 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种包括双极结晶体管的半导体器件，包括：具有主表面的半导体衬底；从所述主表面在所述半导体衬底中形成的第一导电类型的集电区；从所述主表面在所述集电区中形成的与第一导电类型相反的第二导电类型的基区；从所述主表面在所述基区中形成的所述第一导电类型的发射区，形成到达所述主表面的发射极－基极结；以及在到达主表面的所述发射极－基极结上方形成的结保护结构，该结保护结构包括形成在所述主表面上的绝缘体膜和形成在所述绝缘体膜上的导电层
防护发射极基极结晶体半导体器件

[发明专利]闪烁体结晶体、其制造方法和放射线检测器-CN201180007022.5有效
发明人：安居伸浩;大桥良太;田透;堀江亮子 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：该相分离结构包括第一结晶相和具有比该第一结晶相的折射率大的折射率的第二结晶相，具有第一主表面和第二主表面，这些主表面不位于同一平面上，该第一主表面和该第二主表面具有该第二结晶相暴露的部分，并且该第二结晶相暴露于该第一主表面的部分和该第二结晶相暴露于该第二主表面的部分彼此相连
闪烁结晶体制造方法放射线检测器

[发明专利]竖向功率半导体器件、半导体晶片或裸管芯布置、载体和制造竖向功率半导体器件的方法-CN202011361668.0在审
发明人： A·布罗克迈尔;F·J·桑托斯罗德里格斯;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：竖向功率半导体器件(100)包括具有第一主表面(104)和与第一主表面(104)相对的第二主表面(106)的半导体本体(102)。半导体本体(102)的在第一主表面(104)和第二主表面(106)之间的厚度(d)在从40μm至200μm的范围内。有源器件元件(108)在半导体本体(102)中被形成在第一主表面(104)处。边缘终止元件(110)至少部分地围绕在第一主表面(104)处的有源器件元件(108)。扩散区(112)从第二主表面(106)延伸到半导体本体(102)中。扩散区(112)的掺杂浓度轮廓(c)在从1μm到5μm的范围内的竖向距离(Δy)上从在第二主表面(106)处的峰值浓度Ns减小到浓度Ns/e，e是欧拉数。
竖向功率半导体器件半导体晶片管芯布置载体制造方法

[发明专利]股线和第一带状物以及第二带状物的聚合物结网及其制作方法-CN201580010447.X有效
发明人： M·L·拉加特;R·W·奥森;W·J·科佩基;张伟;L-A·S·普里奥勒奥;D·L·兰格-安德森;L·E·伍德;T·B·加鲁施 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： B29D28/00 文献下载
摘要：该第一带状物和第二带状物各自独立具有至少3:1的高宽比和间歇性地粘结到聚合物股线的主表面，其中第一边缘和第二边缘被对称设置在用于平分主表面的中心线的相对侧上。该结网具有横向于第一带状物和第二带状物的主表面的相对的第一主表面和第二主表面。该结网的第一主表面包括第一带状物的第一边缘，并且第二主表面包括第二带状物的第二边缘。该第一带状物不延伸至第二主表面，并且第二带状物不延伸至第一主表面。本发明还公开了包括结网的制品、挤出模头，以及可用于制作结网的方法。
第一带状以及第二聚合物结网及其制作方法

[发明专利]聚合物多层膜及其制备方法-CN201480014559.8在审
发明人：大卫·F·斯拉玛;加思·V·安蒂拉;史蒂文·J·弗拉纳根;布伦特·R·汉森;托马斯·P·汉斯申 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： B32B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚合物多层膜，其具有大致相对的第一主表面和第二主表面、可彼此分离的相邻的第一层和第二层、以及延伸到所述第一层和所述第二层中的一系列压痕。本发明还提供了一种聚合物多层膜，其具有大致相对的第一主表面和第二主表面、在所述第一主表面与所述第二主表面之间延伸的一系列开口、以及可彼此分离的相邻的至少第一层和第二层，其中所述开口各自具有从所述第一主表面和所述第二主表面经由所述开口在最小面积至最大面积范围内的一系列面积，并且其中所述最小面积不在所述主表面的至少一个处。
聚合物多层及其制备方法

[发明专利]碳化硅衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅衬底和碳化硅半导体器件的方法-CN201480024728.6在审
发明人：田中聪;山田俊介;堀井拓;松岛彰;久保田良辅;冲田恭子;西浦隆幸 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：制备具有第一主表面(80a)、第二主表面(80b)以及第一侧端部(80c)的碳化硅单晶衬底(80)，第二主表面(80b)与第一主表面(80a)相反，第一侧端部(80c)将第一主表面(80a)和第二主表面(80b)彼此连接，第一主表面(80a)的宽度(D)的最大值大于100mm。碳化硅外延层(81)形成为与第一侧端部(80c)、第一主表面(80a)以及第一主表面(80a)和第一侧端部(80c)之间的边界(80d)接触。
碳化硅衬底半导体器件以及制造方法