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[发明专利]一种提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法-CN202010651681.3有效
发明人：冯润东;张文伟 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所;西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：该提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法包括以下步骤：步骤一、清洗硅片，将干净的硅片固定至溅射室的样品盘上；步骤二、对溅射室抽高真空，当真空度在低于设定值时，通入氩气；步骤三、打开高能离子源，高能离子源对硅片清洗进行，清洗完成后关闭高能离子源；步骤四、设定溅射功率，设置溅射的偏置电压，设定溅射时间，保持溅射室的工作气压在设定值；步骤五、根据步骤四设定的参数，开始溅射NiFe，同时，再次打开高能离子源，使得高能离子源的离子束流照射至硅片
一种提高各向异性磁电磁阻制备方法

[发明专利]一种电推进试验防羽流溅射系统-CN202211002136.7在审
发明人：翁警涛;徐华勒;杨川;姜晓源;孔宏伟;张小伟;何静锋;何吉贤 -专利权人：杭州航验环境技术有限公司
申请日： 2022-08-21 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B64G7/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种电推进试验防羽流溅射系统，置于真空容器内，其特征在于：至少包括正面束流挡靶、周面防溅射屏以及暗区束流挡靶，三者所围成的腔体近似封闭，并与真空容器形成夹层，而电推进器位于所述腔体中；所述正面束流挡靶布置在电推进器前侧，暗区束流挡靶布置在电推进器后侧，而周面防溅射屏呈圆筒型，位于正面束流挡靶、暗区束流挡靶之间。以此，电推进器产生的高能离子所形成的羽流主要冲击在正面束流挡靶上，消耗了大部分高能离子的能量，但仍有部分高能离子被反射至周面防溅射屏上，经由周面防溅射屏的缓冲作用，进一步削弱了高能离子的能量，暗区束流挡靶则基本将剩余的高能离子能量吸收殆尽
一种推进试验防羽流溅射系统

[发明专利]能量过滤磁控溅射镀膜方法及实施该方法的装置-CN200810140497.1无效
发明人：姚宁;韩昌报 -专利权人：郑州大学
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种能量过滤磁控溅射镀膜方法及实施该方法的装置，该方法是在待镀膜衬底表面与溅射靶材之间设置一与阳极相连的导电过滤网，溅射镀膜过程中受轰击的阴极溅射靶材所产生的离子经过导电过滤网过滤后再送向阳极处的待镀膜衬底的镀膜生长表面溅射靶材所产生的离子在经过导电过滤网时，带有阳极高电位的导电过滤网吸引其中的高能电子、排斥其中的高能正离子；本发明可在原有装置的基础上在衬底外罩设带有阳极高电位的导电过滤网，抑制磁控溅射技术制备薄膜过程中高能粒子轰击对衬底造成的损伤
能量过滤磁控溅射镀膜方法实施装置

[发明专利]一种氮化铝陶瓷覆铜板及其制备方法-CN201610136483.7有效
发明人：陈波;王德苗;金浩 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷覆铜板，该覆铜板依次由氮化铝陶瓷基底、激光活化层、高能溅射铜层、低能铜层四层结构组成。本发明还公开了该种氮化铝陶瓷覆铜板的制备方法，步骤如下：A、对氮化铝陶瓷基底进行清洗；B、使用激光束扫射氮化铝陶瓷基底表面，制备激光活化层；C、在上述激光活化层上利用磁控溅射在低气压高电压条件下沉积高能溅射铜层；D、在高能溅射铜层上采用溅射镀铜法、化学镀铜法或蒸发镀铜法制备低能铜膜，得到氮化铝陶瓷覆铜板。
氮化铝陶瓷覆铜板氮化铝陶瓷铜层激光活化层高能溅射制备基底高电压条件工艺兼容性化学镀铜法磁控溅射基底表面四层结构制备过程低气压镀铜法覆铜板激光束金属化沉积镀铜溅射膜层铜膜清洗蒸发

[发明专利]一种利用高能脉冲反应磁控溅射制备二氧化钒智能热控器件的方法-CN201811533297.2有效
发明人：赵九蓬;张伟岩;豆书亮;李垚;任飞飞;陈曦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种利用高能脉冲反应磁控溅射制备二氧化钒智能热控器件的方法，涉及一种制备二氧化钒智能热控器件的方法。目的是解决现有磁控溅射制备VO2智能热控器件的工艺存在制备温度高的问题。利用高能脉冲靶磁控溅射装置在基底表面沉积金属反射层，然后在金属反射层表面沉积VO2功能层，最后在VO2功能层表面沉积保护层本发明将高能脉冲磁控溅射方法应用于VO2智能热控器件制备，优点是所需制备温度低，所需成本较低。本发明适用于制备二氧化钒智能热控器件。
一种利用高能脉冲反应磁控溅射制备氧化智能器件方法

[发明专利]用于沉积氧化物层到太阳能电池的吸收体上的方法、太阳能电池和该方法的用途-CN200780035736.0有效
发明人：福尔克尔·西廷格尔;弗洛里安·鲁斯克;贝恩德·希什卡 -专利权人：弗兰霍菲尔运输应用研究公司
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于采用高电离化物理气相沉积(PVD)技术，通过高能脉冲磁控管溅射(HPPMS)或高能推动磁控管溅射(HIPIMS)沉积至少一个稳定的、透明导电层系统到黄铜矿太阳能电池吸收体上的方法，一种太阳能电池以及该方法的用途
用于沉积氧化物太阳能电池吸收体方法用途

[发明专利]淀积双轴结构涂层的方法与设备-CN99804648.5无效
发明人： R·德克里西;J·的那 -专利权人：根特大学
申请日： 1999-03-30 - 公布日： 2001-05-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种制造双轴结构涂层的淀积方法与设备,双轴结构在淀积时高能粒子以可控角度轰击而形成。淀积方法应用一个或多个磁控管溅射装置,能产生待淀积材料流和方向可控的高能粒子流,从而可控制对衬底的入射角。磁控管溅射源产生高能粒子与待溶积材料束,能使所述束以控制的角度射向衬底,由此在衬底上淀积双轴结构涂层。
淀积双轴结构涂层方法设备

[发明专利]一种对称磁控溅射工艺及其类金刚石涂层的应用-CN201810162923.5在审
发明人：郎文昌;赵战锋;刘伟;高斌;胡晓忠 -专利权人：温州职业技术学院
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种对称磁控溅射工艺及其类金刚石涂层的应用，利用相向的对称磁控溅射阴极放电过程中的电子汇聚效应来提高溅射的碳粒子的离化率，高能碳粒子从对称阴极之间的间隙溢出并经磁控溅射金属靶的金属原子掺杂形成类金刚石涂层，对称磁控溅射工艺不仅可提高靶材利用率，而且溅射粒子的离化率也有极大的提高；该类金刚石涂层是由金属基底层、梯度复合层、掺杂金属类金刚石涂层组成，该类金刚石涂层沉积过程中可通过调节磁控溅射金属靶的功率来获得一定梯度及掺杂稳定比例的类金刚石涂层利用本工艺可获得高能离化的碳离子，有利于形成致密细腻的类金刚石涂层。
类金刚石涂层对称磁控溅射工艺离化金刚石涂层磁控溅射金属靶碳粒子磁控溅射阴极金属原子掺杂阴极致密靶材利用率金属基底层梯度复合层掺杂金属放电过程溅射粒子碳离子沉积溅射相向溢出应用掺杂汇聚

[发明专利]一种类金刚石碳微悬梁臂及其制备方法-CN201510541591.8有效
发明人：张忠祥 -专利权人：深圳力策科技有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种类金刚石碳微悬梁臂及其制备方法，类金刚石碳微悬梁臂包括硅衬底、在硅衬底上制作的过渡层、以及通过高能量脉冲式磁控溅射方法制作并覆盖在过渡层表面的DLC薄膜。通过利用高能量脉冲式磁控溅射技术制备而成的DLC薄膜层，通过微加工工艺制作成振荡频率较高、工艺简单、具有良好抗腐蚀能力的微悬梁臂结构。本发明的DLC悬梁臂结构以硅作为衬底材料，通过直流或者脉冲电源，在硅晶圆衬底的表面制作过渡层，再利用高能量脉冲式磁控溅射技术制备而成的DLC薄膜层，本发明结合压电、静电等驱动结构后，可用作MEMS执行器
种类金刚石悬梁及其制备方法

[发明专利]一种离子推力器屏栅极溅射刻蚀仿真分析方法-CN202111502322.2有效
发明人：陈娟娟;谷增杰;王润福;耿海;郭宁;李娟;王彦龙;郭德洲;张涛 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请涉及空间电推进技术领域，具体而言，涉及一种离子推力器屏栅极溅射刻蚀仿真分析方法，通过构建仿真计算模型，建立高能离子与屏栅极表面溅射腐蚀速率之间的关系，实现对屏栅极失效发生的概率进行评估。一方面是基于离子推力器放电室的基础理论知识，进一步明确放电室气体放电过程和高能离子产生过程，另一方面是明晰高能离子对固体表面的轰击溅射刻蚀过程和工作机制，仿真计算结果可为设计人员在离子电推进产品研制及优化设计提供手段支持和数据参考
一种离子推力栅极溅射刻蚀仿真分析方法

[实用新型]一种类金刚石碳微悬梁臂-CN201520661122.5有效
发明人：张忠祥 -专利权人：深圳力策科技有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种类金刚石碳微悬梁臂，类金刚石碳微悬梁臂包括硅衬底、在硅衬底上制作的过渡层、以及通过高能量脉冲式磁控溅射方法制作并覆盖在过渡层表面的DLC薄膜。通过利用高能量脉冲式磁控溅射技术制备而成的DLC薄膜层，通过微加工工艺制作成振荡频率较高、工艺简单、具有良好抗腐蚀能力的微悬梁臂结构。本实用新型的DLC悬梁臂结构以硅作为衬底材料，通过直流或者脉冲电源，在硅晶圆衬底的表面制作过渡层，再利用高能量脉冲式磁控溅射技术制备而成的DLC薄膜层，本实用新型结合压电、静电等驱动结构后，可用作MEMS
种类金刚石悬梁

[发明专利]兼容反射式高能电子衍射测量的磁控溅射设备-CN202010570730.0在审
发明人：栾仲智;周礼繁;刘赣;梁彬;吴镝 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼容反射式高能电子衍射测量的磁控溅射设备，包括六个及以上的偶数个磁控溅射靶，均位于样品下方的同一平面上并均匀分布环绕着样品在该平面的投影，且若干个磁控溅射靶以共溅射的方式倾斜安装，靶中心均指向样品，相邻磁控溅射靶中永磁体的磁化构型相反；该设备还包括用于RHEED测量的电子枪、荧光屏和摄像头，均设于真空腔体主体上，所述电子枪发射电子束掠入射至样品表面，从样品出射的电子束在所述荧光屏上成像，由摄像头采集本发明实现了在磁控溅射腔体内存在磁场的情况下，兼容反射式高能电子衍射测量，可以对样品表面的薄膜溅射过程实现原位实时的监测。
兼容反射高能电子衍射测量磁控溅射设备

[发明专利]一种电致变色薄膜及其制备方法和应用-CN202010331408.2有效
发明人：胡明;王德生;姜栋;伏彦龙;高晓明;孙嘉奕;翁立军 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供的电致变色薄膜的制备方法包括：首先采用磁控溅射方法在基片表面沉积金属薄膜，所述金属为钒或铌；然后利用高能原子氧束流辐照所述金属薄膜，最终制备得到金属氧化物电致变色薄膜。本发明提供的电致变色薄膜制备方法不用在磁控溅射阶段使用氧气，高能原子氧束流辐照可以均匀氧化溅射金属薄膜，方法简单，容易操作，且过程容易控制；而且本发明所述方法制备得到的电致变色薄膜性能稳定。
一种变色薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种微孔镀膜装置及镀膜方法-CN202210890285.5有效
发明人：田修波;郑礼清 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：金属靶材溅射气压在0.1Pa以下，以减少金属离子运动过程和气体分子的碰撞而损失能量。产生的高能金属离子先沉积在工件侧壁及孔内壁靠近孔口处，随着高能金属离子持续的轰击，把孔口及内壁处的首次沉积的粒子轰击形成二次溅射粒子，二次溅射粒子向孔内壁延伸，并最终沉积在孔内壁。同时高能金属离子在碰撞中也会在孔内壁进行反射并向内孔壁延伸，完成微深孔内壁的完全覆盖。
一种微孔镀膜装置方法

[发明专利]高能量密度锂离子电池的制备方法-CN201810790237.2有效
发明人：高回春;阮乐祥;黄秋玲;宫宝昌;刘金成 -专利权人：惠州亿纬锂能股份有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：本发明提供的一实施方式的高能量密度锂离子电池的制备方法，通过采用磁控溅射技术将铜金属溅射至高分子纤维纺织布上，得到多孔铜箔，将负极浆料涂布在所述多孔铜箔上得到负极片，采用磁控溅射技术将铝金属溅射至高分子纤维纺织布上得到多孔铝箔将正极浆料涂布在所述多孔铝箔上得到正极片，将所述正极片、隔膜和所述负极片进行层叠、卷绕以得到电芯，再对电芯进行注液、封装，以及老化和分容等操作，制备工艺简单易操作，流程短，显著节约了制造成本，同时得到的高能量密度电池的重量大大降低
高能量密度锂离子电池制备方法

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