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[发明专利]一种放大电路及其控制方法以及传感器-CN202310781636.3在审
发明人：张文伟;林武 -专利权人： 西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03F3/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种放大电路及其控制方法以及传感器。该放大电路包括第一级放大器和第二级放大器。第一级放大器用于将输入的驱动电流或驱动电压进行放大，得到第一输出信号。第二级放大器用于将第一输出信号进行放大，得到第二输出信号。其中，第二级放大器中的中间处理信号返接回第一级放大器中，与第一级放大器共用部分电路模块。本发明提供的技术方案可以提高芯片的性能，但不增加芯片功耗和面积，从而控制芯片的成本。
一种放大电路及其控制方法以及传感器

[发明专利]一种提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法-CN202010651681.3有效
发明人：冯润东;张文伟 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所;西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明提供一种提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法，解决现有磁电阻增加磁阻率的方式会增加生产周期、降低产能的问题。该提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法包括以下步骤：步骤一、清洗硅片，将干净的硅片固定至溅射室的样品盘上；步骤二、对溅射室抽高真空，当真空度在低于设定值时，通入氩气；步骤三、打开高能离子源，高能离子源对硅片清洗进行，清洗完成后关闭高能离子源；步骤四、设定溅射功率，设置溅射的偏置电压，设定溅射时间，保持溅射室的工作气压在设定值；步骤五、根据步骤四设定的参数，开始溅射NiFe，同时，再次打开高能离子源，使得高能离子源的离子束流照射至硅片。
一种提高各向异性磁电磁阻制备方法

[实用新型]一种霍尔芯片老化测试装置-CN202021183049.2有效
发明人：张文伟;宋瑞潮 -专利权人： 西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型公开一种霍尔芯片老化测试装置，包括底座，底座上固定有一个或多个老化测试体；老化测试体包括同轴设置且可拆卸的第一线圈架和第二线圈架，第一线圈架上缠绕有第一线圈，第二线圈架中缠绕有第二线圈，第一线圈与第二线圈的引线焊接成为一条线缠绕的线圈，第一线圈架和第二线圈架之间放置有PCB引脚放大板；每个老化测试体的线圈均与一根集成总线连接，每个老化测试体的PCB引脚放大板上的放大端均通过另一根集成总线引出。本实用新型解决了现有技术中存在的老化测试难以批量实现的问题。
一种霍尔芯片老化测试装置

[实用新型]一种可用于调整温度系数的输出电路-CN202020651644.8有效
发明人：张文伟;王晓飞;宋瑞潮 -专利权人： 西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可用于调整温度系数的输出电路，包括正温度系数基准电压产生模块和负温度系数基准电压产生模块，所述正温度系数基准电压产生模块输出正温度系数基准电压至温度系数选择模块，所述负温度系数基准电压产生模块输出负温度系数基准电压至温度系数选择模块；所述温度系数选择模块用于输出基准电压。本实用新型可以根据用户需求选择合适的温度系数，直到达到理想的温度漂移表现。
一种用于调整温度系数输出电路

[发明专利]一种霍尔芯片老化测试装置及测试方法-CN202010581126.8在审
发明人：张文伟;宋瑞潮 -专利权人： 西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开一种霍尔芯片老化测试装置，包括底座，底座上固定有一个或多个老化测试体；老化测试体包括同轴设置且可拆卸的第一线圈架和第二线圈架，第一线圈架上缠绕有第一线圈，第二线圈架中缠绕有第二线圈，第一线圈与第二线圈的引线焊接成为一条线缠绕的线圈，第一线圈与第二线圈的绕向相同，第一线圈架和第二线圈架之间放置有PCB引脚放大板；每个老化测试体的线圈均与一根集成总线连接，每个老化测试体的PCB引脚放大板上的放大端均通过另一根集成总线引出；本发明还公开一种霍尔芯片老化测试方法。本发明解决了现有技术中存在的老化测试难以批量实现的问题。
一种霍尔芯片老化测试装置方法

[发明专利]一种可用于调整温度系数的集成输出电路-CN202010339070.5在审
发明人：张文伟;王晓飞;宋瑞潮 -专利权人： 西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种可用于调整温度系数的集成输出电路，包括正温度系数基准电压产生模块和负温度系数基准电压产生模块，所述正温度系数基准电压产生模块输出正温度系数基准电压至温度系数选择模块，所述负温度系数基准电压产生模块输出负温度系数基准电压至温度系数选择模块；所述温度系数选择模块用于输出基准电压。本发明可以根据用户需求选择合适的温度系数，直到达到理想的温度漂移表现。
一种用于调整温度系数集成输出电路

[实用新型]一种霍尔晶圆测试装置-CN201921628480.0有效
发明人：张文伟;宋瑞潮 -专利权人： 西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型属于晶圆检测装置，为了解决现有技术中测试霍尔晶圆的手动探针台无法同时测试获得磁场系数的技术问题，提供一种霍尔晶圆测试装置，包括基座、显微镜、磁场发生器、高斯计、移动平台、支座和安装于基座上的支架；显微镜安装于支架上，移动平台固定于基座1上，移动平台上设有放置待测晶圆的置物台；磁场发生器安装于支座上；磁场发生器包括无磁性金属框架，无磁性金属框架的中心处开设通孔，通孔的外围设有中空的圆柱形凸台；圆柱形凸台内盘绕有铜线，铜线的两端连接有通电装置；显微镜的镜头位于通孔的正上方，通孔和放置待测晶圆的置物台相对，待测晶圆位于圆柱形凸台的正下方；高斯计的探头放置于待测晶圆上。
一种霍尔测试装置

[实用新型]一种集成式接近开关及系统-CN201921878365.9有效
发明人：张文伟;宋瑞潮 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所;西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H03K17/95 文献下载
摘要：本实用新型属于集成式接近开关，具体涉及一种集成式接近开关及系统，解决了现有技术中霍尔接近开关无法实现全自动化标准生产和体积大的技术问题。其中，集成式接近开关包括霍尔集成电路，以及设置于霍尔集成电路背面的磁性薄膜层，霍尔集成电路和磁性薄膜层之间设有绝缘层，所述磁性薄膜层的N极在上S极在下或S极在上N极在下；霍尔集成电路、绝缘层和磁性薄膜层封装于一体；或将磁性薄膜层替换为磁铁。该集成式接近开关还可以用于集成式接近开关系统，将磁性物体与集成式接近开关相对布置。
一种集成接近开关系统

[实用新型]一种应用于低功耗芯片的迟滞比较器电路-CN201922385399.0有效
发明人：张文伟;王晓飞;宋瑞潮 -专利权人： 西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H03K17/22 文献下载
摘要：本实用新型公开一种应用于低功耗芯片的迟滞比较器电路，包括开环预放大电路，开环预放大电路用于将两个输入端的差分电压进行放大后输出到buffer电路，buffer电路是一个射随电路，将接收到的差分电压的共模电平降低一个PN结电压输出到过零比较器的输入，过零比较器的输出连接正反馈环路的输入，正反馈环路的输出反馈信号至开环预放大电路的输入端。本实用新型解决了现有技术中存在的比较器的迟滞随温度工艺等产生较大漂移，无法满足较高精度应用以及掉电后比较器输出状态无法保存的问题。
一种应用于功耗芯片迟滞比较电路

[实用新型]一种用于助力车的扭矩传感器-CN201921628504.2有效
发明人：张文伟;宋瑞潮 -专利权人： 西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： B62M6/50 文献下载
摘要：本实用新型属于助力车传感器，为了解决现有技术中用于助力车的速度传感器或是无法在爬坡时准确提供助力，或是灵敏度低、精度差、结构复杂的问题，提供一种用于助力车的扭矩传感器，包括环形磁铁和中间体；所述中间体为中间开设有螺旋槽的圆形套筒，所述圆形套筒的两端均设有可编程磁编码器；所述环形磁铁设于中间体的两端，且与中间体之间留有间隙，环形磁铁的半个圆环为南极，另外半个圆环为北极；所述中间体的两端分别连接有输入联接机构和输出联接结构，串联于两个待测部件之间。
一种用于助力车扭矩传感器

[发明专利]一种应用于低功耗芯片的迟滞比较器电路-CN201911366942.0在审
发明人：张文伟;王晓飞;宋瑞潮 -专利权人： 西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H03K17/22 文献下载
摘要：本发明公开一种应用于低功耗芯片的迟滞比较器电路，包括开环预放大电路，开环预放大电路用于将两个输入端的差分电压进行放大后输出到buffer电路，buffer电路是一个射随电路，将接收到的差分电压的共模电平降低一个PN结电压输出到过零比较器的输入，过零比较器的输出连接正反馈环路的输入，正反馈环路的输出反馈信号至开环预放大电路的输入端。本发明解决了现有技术中存在的比较器的迟滞随温度工艺等产生较大漂移，无法满足较高精度应用以及掉电后比较器输出状态无法保存的问题。
一种应用于功耗芯片迟滞比较电路

[发明专利]一种集成式接近开关、接近开关系统及接近开关制造方法-CN201911064394.6在审
发明人：张文伟;宋瑞潮 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所;西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H03K17/95 文献下载
摘要：本发明属于集成式开关及其加工方法，具体涉及一种集成式接近开关、接近开关系统及接近开关制造方法，解决了现有技术中霍尔接近开关无法实现全自动化标准生产和体积大的技术问题。其中，集成式接近开关包括霍尔集成电路，以及设置于霍尔集成电路背面的磁性薄膜层，霍尔集成电路和磁性薄膜层之间设有绝缘层，所述磁性薄膜层的N极在上S极在下或S极在上N极在下；霍尔集成电路、绝缘层和磁性薄膜层封装于一体；或将磁性薄膜层替换为磁铁。上述集成式接近开关的加工方法采用溅射或粘贴的方式将磁性薄膜层或磁铁集成于霍尔集成电路上。该集成式接近开关还可以用于集成式接近开关系统，将磁性物体与集成式接近开关相对布置。
一种集成接近开关系统制造方法

[实用新型]可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆-CN201820432955.8有效
发明人：张文伟 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所;西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型涉及芯片测试领域，具体涉及一种可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆。本实用新型提出的一种可实现集束晶圆级老化的芯片，该芯片可实现集束晶圆级老化处理，免除了芯片Vdd和Vss上出现探针孔的现象，提高了芯片打线的可靠性。本实用新型提出的一种可实现集束晶圆级老化的晶圆设计，晶圆在实现集束晶圆级老化处理时可明显减少探针数量，减小成本，并且可以提高老化处理的可靠性。一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片，还包含两根引线，所述两根引线分别从芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。
晶圆级芯片集束晶圆老化本实用新型老化处理芯片边缘芯片测试探针孔打线减小探针

[实用新型]具有阈值调整功能的霍尔片及霍尔传感器-CN201820428794.5有效
发明人：张文伟 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所;西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：本实用新型提供了具有阈值调整功能的霍尔片及霍尔传感器，具有阈值调整功能的霍尔片包括一对角上加有驱动电压的驱动电极和另一对角上输出电压的输出电极，输出电极的连线上设置有控制电极V_H1和V_H2，控制电极V_H1和V_H2相对于驱动电极的连线对称设置；控制电极V_H1和V_H2通过电阻阵列分别与外接电流源I_D1和I_D2相连；I_D1与I_D2之和为常数C。采用上述霍尔片的霍尔传感器，其电路中用于Bop和Brp的比较器采用过零比较器，此种设计可简化电路设计，在不提高成本的前提下，显著提高霍尔传感器开关点的精度，以及霍尔片的信噪比。
霍尔片霍尔传感器控制电极阈值调整驱动电极输出电极霍尔传感器开关本实用新型过零比较器电路设计电阻阵列驱动电压输出电压比较器电流源线对称信噪比连线外接电路

[实用新型]一种磁阻传感器-CN201820428785.6有效
发明人：张文伟 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所;西安中科阿尔法电子科技有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及传感器技术领域，针对现有磁阻传感器最高分辨率难以提高的问题，而提供一种磁阻传感器。磁阻传感器包括半导体衬底；绝缘层，位于半导体衬底上；第一氮化钽层，位于绝缘层上；坡莫合金层，位于所述第一氮化钽层上；第二氮化钽层，位于所述坡莫合金层上；其特殊之处在于：还包括位于所述第一氮化钽层和坡莫合金层之间的第一反铁磁性物质层，以及，位于所述坡莫合金层和第二氮化钽层之间的第二反铁磁性物质层。
氮化钽层磁阻传感器坡莫合金层绝缘层反铁磁性物质层衬底半导体传感器技术领域本实用新型分辨率

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