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[发明专利]一种高硅耐热球铁制备方法-CN201210317635.5无效
发明人：荆泽平;傅明喜;张军中;范萃常;荆钰琦 -专利权人：丹阳市锦雄机械制造有限公司
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C22C33/10 文献下载
摘要：一种高硅耐热球铁的制备方法，以重量百分比计，包括以下步骤：1）配料、2）球化剂配置、3）球化处理、4）孕育处理、5）炉前试样和快速金相检验、6）扒渣覆盖、7）浇注；本发明，采用稀土镁钙+低硅镁团块混合球化剂球化处理，75铁硅合金一次孕育和硅钡合金二次孕育处理后，制备的高硅耐热球铁的球化率≥95％、球化级别1-2级，基体中铁素体体含量≥90％、铸铁抗拉强度σb≥520～580MPa、硬度HB185～230、延伸率δ
一种耐热制备方法

[发明专利]一种高硅高钙低品级水镁石的分步浮选方法-CN201210003429.7无效
发明人：印万忠;姚金;罗溪梅;姚丰起;马英强;李强;侯英 -专利权人：东北大学;丹东永丰矿业有限公司
申请日： 2012-01-07 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： B03D1/00 文献下载
摘要：本发明属于矿物加工技术领域，具体涉及一种高硅高钙低品级水镁石的分步浮选方法。将高硅高钙低品级水镁石球磨后加水制成原矿浆，将原矿浆放入浮选设备中，在搅拌下加入抑制剂、捕收剂和起泡剂，进行反浮选粗选，获得的原精矿进行0~2次反浮选精选，获得脱硅矿；在脱硅矿中加水制成矿浆，调节pH值，在搅拌下加入抑制剂，捕收剂搅拌，进行正浮选粗选，获得的脱钙精矿进行0~2次正浮选精选，获得水镁石精矿。本发明的方法所处理的矿石品位低，获得的水镁石精矿纯度高，浮选效果好且成本低。
一种高硅高钙低品级水镁石分步浮选方法

[发明专利]一种长效变质的高硅铝合金及其变质工艺-CN201910403025.9有效
发明人：屠晓东;李嘉辉;杨燕东;闫德全;孙英华;李美萍;张福林 -专利权人：苏州仓松金属制品有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C22C21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种长效变质的高硅铝合金及其变质工艺，所述高硅铝合金包含以重量百分比计的下列组分，13.5～15.5wt.%Si,0.55～0.65 wt.%Mg,4.0～5.0 wt.所述的变质工艺包括下列步骤：投料装炉熔炼，一次添加变质剂，二次添加变质剂，熔炉除气，细化。通过本变质方法可获得变质细化效果良好，且在液态时变质有效时间长达50小时以上的高硅铝合金，能够为客户提供免去二次熔炼、节约能耗的产品。
一种长效变质铝合金及其工艺

[发明专利]一种锂离子电池用硅碳复合材料及其制备方法-CN201610750365.5有效
发明人：张和宝;王岑;李喆;叶兰;丁烨 -专利权人：安普瑞斯（南京）有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池用硅碳复合材料及其制备方法，硅碳复合材料为硅材料均匀分散并镶嵌于石墨材料表面及石墨材料之间所形成的二次颗粒结构；所述的二次颗粒表面及内部的石墨材料、硅材料均包覆有一层无定形碳，构成二次颗粒的石墨材料相互随机取向，二次颗粒各向同性取向。通过高分子聚合物的空间位阻及粘接性作用，有效抑制硅材料的上浮、团聚以及硅材料与石墨的分层，实现了硅材料在石墨片中的均匀分散，与石墨形成有效复合。本发明所制备硅碳复合材料用于锂离子电池，表现出效率高、膨胀小、循环好的优点，本发明方法工艺过程简单，易实现工业化生产。
一种锂离子电池用硅碳复合材料及其制备方法

[发明专利]硅基复合负极材料及其制备方法、负极及其制备方法-CN202110176423.9在审
发明人：彭工厂;胡语芯;刘文静;谢正伟;乔英钧;瞿美臻 -专利权人：中国科学院成都有机化学有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池技术领域，公开了一种硅基复合负极材料，包括二次球颗粒和导电材料；所述二次球颗粒由包括硅与水溶性高分子聚合物的原料制备得到；所述导电材料包覆于所述二次球颗粒外部或分散于所述二次球颗粒内部该硅基复合负极材料具有高比容量和首次库伦效率，较好的循环性能和倍率性能。本发明还公开了该硅基复合负极材料的制备方法以及由其制备的负极及负极的制备方法。
复合负极材料及其制备方法

[发明专利]硅负极活性物质及其制备方法-CN201580076891.1有效
发明人：曹永太;崔容吉;朴禅;李永宰;徐僖英;朴智惠;李庸懿;洪永珍 -专利权人：纳新有限公司
申请日： 2015-02-24 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种可高容量化及高输出化的二次电池用硅负极活性物质及其制备方法。本发明一实施例的硅负极活性物质包括：硅芯，包括硅粒子；以及双重夹层，具有所述硅芯上的硅碳化物层及所述硅芯与所述硅碳化物层之间的硅氧化物层。
负极活性物质及其制备方法

[发明专利]一种消除氢基熔融还原铸造用高纯生铁白口组织的方法及生铁-CN202111300460.2有效
发明人：张勇;徐涛;周海川;卜二军;白新社;任俊;程鹏;昝智 -专利权人：内蒙古赛思普科技有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C21C1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除氢基熔融还原铸造用高纯生铁白口组织的方法，包括氢基熔融还原非高炉炼铁工艺生产的铸造用高纯生铁的特点，生铁铁液一次孕育、脱硫、二次孕育，进行炉外精炼脱气(O、N、H)处理。所述氢基熔融还原工艺生产的铸造用高纯生铁硅低、磷低、钛低，一次孕育处理包括向铁液中加入硅钡钙孕育剂和助剂，二次孕育向铁液中加入锶硅孕育剂强化铁液中促进石墨化元素，使生铁铁液石墨化能力增强，碳原子析出，杜绝凝固结晶过程中形成碳与铁的化合物通过上述技术方案，解决了现有氢基熔融还原工艺生产的铸造用高纯生铁白口组织的问题。
一种消除熔融还原铸造高纯生铁白口组织方法

[发明专利]生产高纯有机硅的方法及装置-CN201310090684.4有效
发明人：徐志国;张黎明;杜丽萍;袁京;王万军;姜标 -专利权人：上海中科高等研究院;上海爱默金山药业有限公司
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本发明提供一种生产高纯有机硅的方法及装置。根据本发明的方法，先将待提纯的有机硅加热后进行第一次精馏，冷凝后获得初步提纯的有机硅；随后再将所述初步提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合，并预热后进行第二次精馏，冷凝过滤后获得高纯有机硅。实现本发明的方法的优选装置至少包括：包含加热器、第一冷凝器的第一精馏设备通过静态管道混合器及预热器连接包含第二冷凝器及过滤单元的第二精馏设备，其中，所述静态管道混合器用于将所述第一精馏设备输出的有机硅与金属络合剂混合，由此可以输出电子级高纯有机硅，尤其可以输出含量>99.99%,金属杂质总量<10ppb的环聚硅氧烷体系。
生产高纯有机硅方法装置

[发明专利]低温度系数多晶硅电阻的制造方法-CN201410604403.7有效
发明人：袁苑;陈瑜 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温度系数多晶硅电阻的制造方法，步骤包括：1)硅衬底上生长多晶硅膜；2)P型低浓度掺杂；3)高阻多晶硅的光刻曝光显影，在高阻多晶硅以外区域进行N型掺杂；4)去除光刻胶，沉积氮化硅膜；5)一次刻蚀形成N型多晶硅和高阻多晶硅；6)浅掺杂漏注入，生长氮化硅，刻蚀掉字线上和高阻多晶硅上的氮化硅；7)对源漏和部分高阻多晶硅进行P型重掺杂，形成P型源漏和P型多晶硅。该方法通过互掺杂，在光刻版最少的情况下，在低温度系数多晶硅电阻的制造工艺中实现了高阻多晶硅、低阻P型多晶硅和N型多晶硅的同时形成。
温度系数多晶电阻制造方法

[发明专利]用高镁低钛精矿制取钛铁、硅钛铁的方法-CN200710048313.4无效
发明人：梅卫东 -专利权人：梅卫东
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用高镁低钛精矿制取钛铁、硅钛铁的方法，该方法包括以下步骤：1)配制反应料；2)按铝热法进行第一次冶炼；3)冶炼结束后，放出钛铁液，铸锭，得到钛铁；4)加入硅铁，对炉内渣液用电硅热法进行第二次冶炼；5)冶炼结束后，放出全部熔液，铸锭，得到硅钛铁。本发明采用复合发热剂提高反应热，保持渣温，促使钛铁沉降，解决钛精矿中氧化镁含量高，渣溶点高，粘度大，钛铁沉降困难，出钛铁率低的问题；本发明可使铝热法冶炼后渣中残留的钛铁细粒及未还原的低价钛氧化物回收成硅钛铁，提高原料中钛的回收率；本发明两次冶炼在同一炉内进行，提高反应炉的使用效率；高温炉渣直接冶炼，可利用炉渣的物理热降低硅钛铁冶炼的能耗。
用高镁低钛精矿制取硅钛铁方法

[发明专利]用于对硅进行选择性掺杂的方法以及使用该方法处理的硅衬底-CN200980113193.9有效
发明人： D·哈贝尔曼 -专利权人：吉布尔.施密德有限责任公司
申请日： 2009-04-09 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种用于对硅衬底(1)的硅进行选择性掺杂以在硅中产生pn结的方法，具有下列步骤：a)以基于磷的掺杂剂(2)涂覆硅衬底(1)的表面；b)然后加热硅衬底(1)以在硅的表面上产生磷硅酸盐玻璃(2)，其中磷同时扩散到硅中作为第一次掺杂(3)；c)将掩膜(4)施加到磷硅酸盐玻璃(2)上，使得掩膜(4)覆盖稍后高掺杂的区域(5)；d)移除未被遮掩区域中的磷硅酸盐玻璃(2)；e)从磷硅酸盐玻璃(2)移除掩膜(4)；f)重新加热以进一步将磷从磷硅酸盐玻璃(2)扩散到硅中作为第二次掺杂以产生高掺杂的区域(5)；g)从硅衬底(1)完全移除磷硅酸盐玻璃(2)以及氧化物。
用于进行选择性掺杂方法以及使用处理衬底

[发明专利]非水电解质二次电池及其用负极、负极材料、负极活性物质以及负极活性物质的制造方法-CN201110139273.0有效
发明人：中西铁雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2011-05-23 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：本发明提供一种负极活性物质的制造方法，所述负极活性物质是由硅粒子所构成，所述硅粒子是有效作为非水电解质二次电池的负极用的活性物质，所述非水电解质二次电池是一边维持硅的高初期效率与电池容量，一边循环特性优良一种非水电解质二次电池用负极活性物质的制造方法，是使用非水电解质的二次电池用的负极活性物质的制造方法，其特征在于，至少包括：在减压下蒸镀金属硅原料，来使硅堆积在温度控制于300～800℃的基板上，并且将该堆积的硅予以粉碎和分级
水电二次电池及其负极材料活性物质以及制造方法

[发明专利]镁掺杂硅氧化物、制备方法及在二次锂离子电池中的应用-CN201810618460.9在审
发明人：廖云龙;周晓猛;张海军;张青松 -专利权人：中国民航大学
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种镁掺杂硅氧化物、制备方法及在二次锂离子电池中的应用。其中镁掺杂硅氧化物是由SiO_x气体与镁掺杂气体共同沉积而制成，其中镁掺杂硅氧化物中的镁含量为0.1～15％，0硅氧化物，并且采用该镁掺杂硅氧化物作为负极材料能够制备出容量高、首次库伦效率高的二次锂离子电池。另外，由于镁掺杂气体在锂离子电池相关行业已被广泛利用，成本方面有利，因此可以廉价地制造出镁掺杂硅氧化物。
镁掺杂硅氧化物制备二次锂离子电池首次库伦效率锂离子电池负极材料低成本高品质沉积应用制造

[发明专利]一种钽硅氧化物靶材及其制备方法-CN202310625160.4在审
发明人：姚力军;潘杰;杨慧珍;周友平;廖培君 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种钽硅氧化物靶材及其制备方法，所述制备方法包括：将五氧化二钽粉末和硅粉混合得到混合粉料，然后装填到模具中；将混合粉料和模具整体置于热压烧结设备中，经一次加压处理后抽真空，然后进行一次加热处理，再充入保护性气体，进行二次加热处理；所述二次加热处理后，维持温度进行二次加压处理，降温降压后再经机加工，得到钽硅氧化物靶材。本发明所述方法以五氧化二钽粉末和硅粉为原料，利用原料特性，控制热压烧结过程中的加热加压进程，使得靶材产品致密度高，微观结构均匀且无气孔，电阻率波动范围小，能够满足磁控溅射对靶材纯度、密度和电阻率的要求；所述方法有效解决钽硅氧化物靶材容易开裂的问题，产品的成材率高。
一种氧化物及其制备方法

[发明专利]一种脱硅粉煤灰的制备方法-CN201810419651.2在审
发明人：洪景南;孙俊民;高志军;张永珍;朱应宝;胡剑 -专利权人：大唐国际发电股份有限公司高铝煤炭资源开发利用研发中心
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种脱硅粉煤灰的制备方法，该制备方法具体包括如下步骤：1)对高铝粉煤灰进行酸处理，经过滤、滤饼洗涤，得到酸处理粉煤灰；2)采用第一碱液对酸处理粉煤灰进行常压预脱硅处理，经过滤和滤饼洗涤，得到一次脱硅粉煤灰；3)采用第二碱液对一次脱硅粉煤灰进行常压预脱硅处理，经过滤和滤饼洗涤，得到二次脱硅粉煤灰，其中，第一碱液的浓度小于第二碱液的浓度。根据本发明所提供的制备方法，能够大大提高脱硅粉煤灰的铝硅比，能达到2.7‑3.0，而且该制备方法具有工艺简单、能耗低、投资成本低的优点。
脱硅粉煤灰制备碱液滤饼洗涤酸处理粉煤灰预脱硅常压高铝粉煤灰铝硅比能耗投资