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[实用新型]一种无硅导热材料-CN201620009191.2有效
发明人：李忠诚 -专利权人：李忠诚
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无硅导热材料，包括上薄膜层、低粘无硅导热层、高粘无硅导热层以及下薄膜层，所述低粘无硅导热层由低含量的UV胶水和的导热粉体组成，所述高粘无硅导由高含量的UV胶水和导热粉体组成，所述上薄膜层设置于所述低粘无硅导热层的上面，所述低粘无硅导热层设置于所述高粘无硅导热层上，所述下薄膜层设置于所述高粘无硅导热层下。本实用新型的无硅导热材料安全可靠，产品符合环保要求，通过ROHS、无卤第三方检测；散热效果好，导热效果好，应用领域更广，产品自带粘性，组装方便。
一种导热材料

[发明专利]一种高硼硅玻璃烤花工艺-CN201910465908.2在审
发明人：徐正本 -专利权人：山东乐和家日用品有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： B44C1/175 文献下载
摘要：本发明涉及一种高硼硅玻璃烤花工艺，包括如下步骤：人工贴花：将选取好图案的无铅镉花纸放入纯水内浸泡，将经过纯水浸泡的无铅镉花纸，平整的贴在高硼硅玻璃餐具表面，刮平气泡；通风晾干：将步骤1贴花后的高硼硅玻璃餐具送入无尘车间进行晾干；烤花：将步骤2晾干后的高硼硅玻璃餐具送入玻璃烤花炉内进行烤花；自然冷却：将烤花后的无铅玻璃容器从玻璃烤花炉内取出，在自然风的冷取下即获得无铅镉高硼硅玻璃餐具；检验合格后包装入库。本发明的有益效果在于：提供一种高硼硅玻璃烤花工艺，实现在高硼硅耐热玻璃上进行烤花，实现无铅镉花纸经过高温烤制后附着在高硼硅玻璃餐具表面上，达到外观光滑附着，并通过美国加州65铅镉测试。
高硼硅玻璃烤花无铅花纸晾干餐具玻璃烤花炉贴花餐具表面附着送入包装入库纯水浸泡耐热玻璃无尘车间无铅玻璃高硼硅自然风放入刮平光滑烤制铅镉取下浸泡平整通风取出测试图案检验

[发明专利]一种高导热绝缘无硅导热脂及其制备方法-CN202111134221.4在审
发明人：费伟康 -专利权人：平湖阿莱德实业有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C09K5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高导热绝缘无硅导热脂及其制备方法，包括如下组份及其重量百分比含量：无硅有机物5%‑10%、抗氧化剂0.1%‑0.5%、导热填料余量；其制备方法为：按配方量称取无硅有机物、抗氧化剂加入至均质机搅拌釜中，分批次加入导热填料进行充分搅拌，形成均匀的白色膏状物；将得到的白色膏状物继续置于均质机内高速搅拌并抽真空，即可得到高导热绝缘无硅导热脂。本发明制得的无硅导热脂具有较高的导热系数，极低的热阻，极高的击穿电压，没有硅氧烷的挥发，适用于硅敏感的应用，既可满足高导热低热阻的需求，还可以保证绝缘的环境，达到保护器件的作用。
一种导热绝缘及其制备方法

[发明专利]一种高阻尼无卤硅膏组合物-CN201310127125.6无效
发明人：邓小安;徐安莲;黄云波 -专利权人：广东普赛特电子科技股份有限公司
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高阻尼硅膏组合物，由改性高阻尼合金粉、导热填料、无卤稀释剂和无卤硅油组成。相比于现有技术，本发明具有如下优点：一是改性高阻尼合金粉的添加，不仅确保了硅膏的绝缘性能，而且显著增强了硅膏的导热性能和抗震减噪性能；二是无卤材料的使用，使硅膏更具环保性。
一种阻尼无卤硅膏组合

[发明专利]一种高首效高倍率硅基负极材料及其制备方法-CN202110653145.1有效
发明人：张小祝;苏敏;陈云;李凡群 -专利权人：万向一二三股份公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池技术领域，针对现有技术中硅氧材料首效低、电导率不佳及膨胀较大的问题，公开了一种高首效高倍率硅基负极材料及其制备方法，硅基负极材料为高首效SiO/C材料、石墨及硬碳分布于无定型碳中形成的复合结构；硅基负极材料中各组分的质量比为高首效SiO/C材料：石墨：硬碳：无定型碳源为1：1~10：1~5：0.1~0.3。对氧化亚硅材料进行液相预锂化处理，将高首效硅氧材料固定在石墨颗粒和硬碳颗粒之间，通过碳基材料的锚定作用缓解硅基材料的体积膨胀，起锚定作用的无定型碳同时在高首效硅氧材料、石墨及硬碳表现形成了一层碳包覆层，最终制得的硅基复合材料具有高首效高倍率长循环寿命的特点，综合性能优异。
一种高首效高倍率负极材料及其制备方法

[实用新型]一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板-CN201721394638.3有效
发明人：徐建卫 -专利权人：上海矽安光电科技有限公司
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板，涉及光电子器件领域，包括一硅衬底，所述硅衬底表面设有由深能级杂质元素扩散形成的高阻硅层，所述高阻硅层的厚度为10~600微米，所述高阻硅层上设有由波导材料制成的用于高频传输用的共面波导，所述硅衬底表面还纵向设有一定位V型槽，该定位V型槽一端向外延伸为开口、另一端与高阻硅层相连，本实用新型的目的是提出一种新型半导体激光器无源耦合与高频封装用硅基板，该硅基板采用廉价的低阻硅作为硅衬底，通过金元素扩散，形成几十到几百微米深度的高阻硅层，在扩散形成的高阻硅层上制作用于高频传输用的共面波导，本硅基板结构简单，其制备工艺简单，生产效率高，适宜用于批量生产。
高阻硅层硅基板高频封装半导体激光器无源对准耦合硅衬底表面高频传输共面波导硅衬底光电子器件领域本实用新型深能级杂质新型半导体扩散波导材料生产效率无源耦合元素扩散制备工艺激光器金元素低阻开口延伸制作生产

[发明专利]一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板-CN201711011909.7在审
发明人：徐建卫 -专利权人：上海矽安光电科技有限公司
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板，涉及光电子器件领域，包括一硅衬底，所述硅衬底表面设有由深能级杂质元素扩散形成的高阻硅层，所述高阻硅层的厚度为10~600微米，所述高阻硅层上设有由波导材料制成的用于高频传输用的共面波导，所述硅衬底表面还纵向设有一定位V型槽，该定位V型槽一端向外延伸为开口、另一端与高阻硅层相连，本发明的目的是提出一种新型半导体激光器无源耦合与高频封装用硅基板，该硅基板采用廉价的低阻硅作为硅衬底，通过金元素扩散，形成几十到几百微米深度的高阻硅层，在扩散形成的高阻硅层上制作用于高频传输用的共面波导，本方法制备工艺简单，生产效率高，适宜用于批量生产。
高阻硅层硅基板高频封装半导体激光器无源对准耦合硅衬底表面高频传输共面波导硅衬底光电子器件领域深能级杂质新型半导体扩散波导材料生产效率无源耦合元素扩散制备工艺激光器金元素低阻开口延伸制作生产

[发明专利]无源集成器件的制备方法-CN202110164297.5在审
发明人：刘宪周 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明提供一种集成无源器件的制备方法，包括在衬底上形成多晶硅层后，在所述多晶硅层上形成层间介质层并制备位于所述层间介质层上的集成无源器件。本发明在衬底上形成多晶硅层，所述多晶硅层相当于富陷阱层置于衬底与层间介质层之间，多晶硅层的晶界充当移动电子的载流子陷阱以减小PSC，进而制备具有高Q值、低串扰、高线性及低RF损耗的集成无源器件。
无源集成器件制备方法

[发明专利]一种高顺滑易梳理型的无硅护发素及其制备方法-CN202210389907.6在审
发明人：顾锦文;张沪青;赵志良;陈戈;成琳 -专利权人：上海蜂花日用品有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： A61K8/41 文献下载
摘要：本发明涉及一种高顺滑易梳理型的无硅护发素及其制备方法。本发明通过在配方中添加阳离子调理剂，并选定调理剂酯基季铵盐及烷基季铵盐的特定配比，且无硅油添加，可以在改善头发湿梳效果的同时具有较好的干梳体验，制备了一种高调理性梳理性较好的无硅护发素，并进一步优化各组分的含量范围，制备获得高顺滑易梳理型的无硅护发素，并在重度受损发束测试中获得较好的干湿梳效果，对无硅护发素的制备提供了思路。
一种高顺滑易梳理护发及其制备方法

[实用新型]一种高硅瓷化金云母带-CN201820659118.9有效
发明人：汪家克;金旭升 -专利权人：上海汉欣电线电缆有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01B7/29 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高硅瓷化金云母带，包括无碱玻璃布层、云母纸层，无碱玻璃布层和云母纸层通过浸胶粘接贴合，云母纸层喷涂有高硅无机粘结剂。本实用新型的高硅瓷化金云母带，当温度升高到800℃以上，金云母开始膨胀时，在层状金云母间隙潜伏的高硅无机粘结剂逐步渗入金云母结晶水占有的孔隙位置，所述高硅无机粘结剂在800℃高温时有粘合能力，使金云母纸不再膨胀
云母带无机粘结剂云母纸层高硅瓷金云母高硅化金本实用新型无碱玻璃布金云母纸云母膨胀孔隙位置粘合能力结晶水耐高温喷涂浸胶贴合粘接脱水渗入松散

[发明专利]一种无粘结剂亚中孔高硅FER沸石吸附剂及其制备方法-CN202110953330.2在审
发明人：李亨利;龙英才;林德昌 -专利权人：复榆（张家港）新材料科技有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： B01J20/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种高硅无粘结剂沸石吸附剂及其制备方法，所述高硅无粘结剂沸石吸附剂的结构特征为具有FER型沸石的结构类型，其氧化硅与氧化铝的摩尔比为261，高硅无粘结剂沸石吸附剂耐压强度为57.6N/CM，所述FER型沸石的XRD粉末衍射具有5个特征衍射峰，本发明高硅无粘结剂沸石吸附剂制备方法是将高硅FER沸石原粉与无定形二氧化硅粘结剂混合成型干燥焙烧制成的吸附剂前驱体，于有机胺蒸汽中经水热反应制得。
一种粘结剂亚中孔高硅 fer 吸附剂及其制备方法

[发明专利]一种利用硅切割废料制备高纯硅的方法-CN202011458320.3有效
发明人：雷云;李展超;马文会;羡培帅 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用硅切割废料制备高纯硅的方法，属于固废资源利用和材料制备技术领域。本发明将硅切割废料、造渣剂和无氟无氯渣混合，在惰性气氛中进行造渣精炼，经渣硅分离后得到块状硅和无氟无氯残渣；以共晶Al‑Si、Ca‑Si或Mg‑Si合金为精炼剂，将块状硅与精炼剂混合后熔化形成过共晶的Al‑Si、Ca‑Si或Mg‑Si熔体，经定向凝固、区域熔炼或晶体生长法对过共晶Al‑Si、Ca‑Si或Mg‑Si熔体中的硅进行分离和提纯得到超冶金级硅和含少量杂质的共晶Al‑Si、Ca‑Si或Mg‑Si合金；将超冶金级硅经真空定向凝固去除Al、Mg或Ca等杂质得到纯度99.999％的高纯硅。本发明通过回收处理硅切割废料制备高纯硅，同时产生的无氟无氯残渣和含少量杂质的共晶Al‑Si、Ca‑Si或Mg‑Si合金可以实现回收再利用。
一种利用切割废料制备高纯方法

[发明专利]一种无催化剂无溶剂条件下的醛硅腈化反应方法-CN201810456277.3在审
发明人：马猛涛;王未凡;肖钤;徐莉 -专利权人：南京林业大学
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种无催化剂无溶剂条件下的醛硅腈化反应方法，在手套箱中，在核磁管中依次加入醛与三甲基腈硅烷，然后移出手套箱反应，即可完成醛硅腈化反应。一种无催化剂，无溶剂参与的醛硅腈化反应。本发明的无催化剂无溶剂醛的硅腈化反应，能够有效的催化醛的硅腈化反应进行，为全新的方法，属于新的醛硅腈化反应。该方法，简单易操作，方法中所需物品毒性小，安全环保，产物得率高，且在室温下可以储存。本发明的醛与三甲基腈硅烷反应，操作简单，反应活性高，产率高，底物普适性宽。
腈化反应无催化剂无溶剂条件三甲基手套箱无溶剂安全环保反应活性硅烷反应催化醛核磁管普适性产率得率底物硅烷移出储存

[发明专利]一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法-CN201410233451.X在审
发明人：曾建平;熊永忠;唐海林;刘超;李一虎;邓小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，解决了硅基射频无源器件严重的衬底损耗问题，并且具有优化硅基无源器件寿命和抑制高温下工作性能退化的效果，其包括如下步骤：（a1）选择一低阻硅基衬底；（a2）在低阻硅基衬底顶部按照硅基工艺制作射频无源器件；（a3）从低阻硅基衬底底部注入图形化高能重离子，实现高能重离子注入区硅基衬底非晶化，获得图形化高阻硅基衬底，还可利用掩模或掩模板注入高能重离子，本发明通过图形化高能重离子注入轰击低阻硅基衬底，提高硅基无源器件下方衬底的电阻率，降低射频无源器件的衬底损耗，从而达到硅基射频无源器件的低损耗目的。
一种图形高能离子注入损耗射频无源器件制作方法

[发明专利]无粘结剂大孔高硅Na型MOR沸石分子筛的制备方法及应用-CN202011277292.5有效
发明人：龙英才;曹春华;林德昌 -专利权人：复榆（张家港）新材料科技有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C01B39/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种无粘结剂大孔高硅Na型MOR沸石分子筛的制备方法，该方法包括在耐压反应釜中水热合成SAR大于15的大孔高硅Na型MOR沸石粉；将所述大孔高硅Na型MOR沸石粉与粘结剂混合成型制成颗粒状前躯体；将所述颗粒状前躯体在耐压反应釜中进行水热转晶反应，制成SAR大于15的无粘结剂大孔高硅Na型MOR沸石。本发明制备的无粘结剂大孔高硅Na型MOR沸石在苯蒸气的吸附性能方面具备良好的吸附性能且具备良好的催化性能。
粘结剂大孔高硅 na mor 分子筛制备方法应用

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