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[发明专利]压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片及其制造方法-CN201410661641.1有效
发明人：揣荣岩;代全;王健;张晓民;衣畅 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片，该芯片主要包括硅基框架，主梁，微梁，质量块，其中质量块通过主梁和微梁与硅基框架相连；质量块一端设置有微梁，微梁上设有应变电阻，质量块另一端设置有对称的两个主梁，主梁一端与质量块相连，另一端与硅基框架相连，应变电阻通过金属导线连接成惠斯通电桥。主梁的劲度系数远大于微梁的劲度系数（通常大几十到上千倍），应变电阻为多晶硅纳米膜电阻。本发明具有固有频率高、灵敏度高、过载能力强、温度特性好等优点，其制造方法与IC工艺兼容适于大批量生产。
压阻式高固有频率 mems 加速度敏感芯片及其制造方法

[实用新型]压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片-CN201420695745.X有效
发明人：揣荣岩;代全;王健;张晓民;衣畅 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片，该芯片主要包括硅基框架，主梁，微梁，质量块，其中质量块通过主梁和微梁与硅基框架相连；质量块一端设置有微梁，微梁上设有应变电阻，质量块另一端设置有对称的两个主梁，主梁一端与质量块相连，另一端与硅基框架相连，应变电阻通过金属导线连接成惠斯通电桥。主梁的劲度系数远大于微梁的劲度系数（通常大几十到上千倍），应变电阻为多晶硅纳米膜电阻。本实用新型具有固有频率高、灵敏度高、过载能力强、温度特性好等优点，其制造方法与IC工艺兼容适于大批量生产。
压阻式高固有频率 mems 加速度敏感芯片

[发明专利]一种高强度耐热聚苯乙烯系复合交联微球材料及其制备方法-CN201210294335.X无效
发明人：盛维琛;谈静;吴萍;陈桥;曹顺生;张蓉仙 -专利权人：江苏大学
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C08L25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强度耐热聚苯乙烯系复合交联微球材料及其制备方法。该微球含有有机和无机复合交联结构单元。所述的制备方法是以苯乙烯和二乙烯基苯为交联骨架的基础单体，以侧基含烷氧硅结构的烯类为辅助交联的功能单体，以水为介质，利用悬浮聚合工艺，得到具有复合三维网络结构的微球尺寸可调的交联聚合物微球。其特点是在悬浮聚合反应过程中利用烷氧硅结构与二乙烯基苯同步发生各自的交联反应，形成不同本质的网状交联结构，从而提高有机交联结构的聚苯乙烯微球的强度和耐热性。该发明工艺简单，微球表面光滑，具有较好润滑减阻功能，并具有高强度和高耐热性能，适用于压力大或温度高的场合，如石油或原油开采和液晶间隙控制等领域。
一种强度耐热聚苯乙烯复合交联材料及其制备方法

[发明专利]一种由光伏产业切割硅废料提纯的高纯微纳米硅粉及其提纯方法和应用-CN202210466081.9在审
发明人：张荔;刘祎;刘嘉坤;张文威;董含笑;贺国伟;陈黎旋;马烨 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种由光伏产业切割硅废料提纯的高纯微纳米硅粉及其提纯方法和应用，该提纯方法以光伏切割硅废料为原料，通过高温煅烧，可以使硅废料中的聚合物挥发，通过酸洗、干燥，可以去除微量金属杂质，降低了光伏切割硅废料中的碳含量和氧含量，从而得到高纯微纳米硅粉。本发明的提纯方法简单高效，与通过商业硅粉得到的微纳米硅粉相比，降低了制造成本，同时可以达到固废回收再利用的经济效益。本发明提纯后的微纳米硅粉中没有其他杂质的存在，纯度较高，且在硅基半导体材料、硅基负极电池材料、氮化硅陶瓷材料、碳化硅陶瓷材料、氮硅化镁导热材料以及硅化镁和硅化锰热电材料等众多领域拥有很大的应用前景。
一种产业切割废料提纯高纯纳米及其方法应用

[发明专利]一种连接有硅基微阀的微腔式数字PCR碟式芯片-CN202110704050.8在审
发明人：冯世伦;贾春平;黄亚茹;赵建龙 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C12M1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种连接有硅基微阀的微腔式数字PCR(digital Polymerase Chain Reaction,dPCR)碟式芯片，包括碟式圆盘(1)和若干个反应单元(2)，所述反应单元(2)由圆盘内到外依次包括通过连接管道相连的样品区、硅基微阀和硅基微腔阵列。本发明通过离心力以及毛细力驱动，实现了样品自发、有序分配至微腔数字PCR反应单元的全过程，后利用温控模块及光学检测系统即可实现低丰度核酸样品的高通量、高灵敏的绝对定量检测。
一种连接有硅基微阀微腔式数字 pcr 芯片

[发明专利]一种提高产业化单室沉积非晶硅基薄膜电池效率的方法-CN201010528189.3有效
发明人：张晓丹;赵颖;郑新霞;魏长春;许盛之;任慧志;熊绍珍;耿新华 -专利权人：南开大学
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：一种提高产业化单室沉积非晶硅基薄膜电池效率的方法，将产业化单室沉积的非晶硅基薄膜太阳电池与窄带隙的微晶硅基太阳电池组成多结叠层太阳电池，对中间的np隧穿结进行工艺设计，形成重掺的掺杂层和良好的隧穿特性，具体步骤如下：1）通过氢等离子工艺刻蚀产业化单室沉积的非晶硅基薄膜太阳电池的非晶硅n层；2）然后通过等离子工艺沉积微晶硅n层；3）最后通过等离子工艺沉积微晶硅基电池。本发明的优点和积极效果：本方法通过氢等离子体处理电池非晶硅n层表面氧化物，然后沉积微晶N和微晶硅底电池，在不需要额外引入其它气体情况下，可以拓宽电池的吸收光谱，获得高的开路电压，提高电池的转换效率。
一种提高产业化沉积非晶硅基薄膜电池效率方法

[发明专利]废弃陶瓷复层微晶玻璃装饰板的生产方法-CN201110137686.5无效
发明人：唐明;丁向群;牛晚扬;高飞 -专利权人：沈阳建筑大学
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：一种废弃陶瓷复层微晶玻璃装饰板的生产方法，是选用了由部分废弃陶瓷组成的低成本基料，按以下工艺流程制得基板：废弃陶瓷拣选→粉碎→筛分→加入陶瓷玻化砖基料中→混料→压制成型→烧结→废弃陶瓷复层微晶玻璃基板。在基板上散布钙铝硅系微水淬粒状微晶玻璃散料，烧结后经磨光形成微晶玻璃面层。其特点在于选用废弃陶瓷粉直接添加到陶瓷砖基料中，制成废弃陶瓷复层微晶玻璃基板，面层采用钙铝硅系微水淬粒状微晶玻璃散料，烧结成低成本的复层微晶玻璃装饰板。由于基板对废弃陶瓷的成分无特殊要求，能利用陶瓷企业的废弃陶瓷直接加入到基板的基料中，来生产不同品质要求的复层微晶玻璃装饰板，既降低了微晶玻璃的成本，又回收利用了废弃陶瓷。
废弃陶瓷复层微晶玻璃装饰生产方法

[发明专利]一种硅基微显示产品模组封装工艺-CN202211613465.5在审
发明人：邵亚飞;刘晓佳;叶成;刘杰 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基微显示产品模组封装工艺，通过激光切割阻水膜，将膜材切割成与晶圆匹配的圆形，然后将阻水膜与晶圆进行贴合，本发明涉及微显示技术领域。该硅基微显示产品模组封装工艺，通过开发阻水膜代替大片玻璃盖板进行模组封装，降低微显示产品厚度，去除大片玻璃贴合工艺，去除玻璃切割与裂片工艺，提升产品良率，此种方案解决了大片玻璃贴合后，产品厚度偏厚，无法轻薄甚至柔性的问题，阻水膜厚度一般在0.2mm以下，达到接近玻璃硬度的同时，让微显示产品可实现轻薄化。
一种硅基微显示产品模组封装工艺

[发明专利]一种高透光性气膜及其生产方法-CN202210017917.7在审
发明人：张占军;张楚;王理想 -专利权人：深圳市多合盈新材料有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C08L23/08 文献下载
摘要：本发明涉及气膜领域，具体公开一种高透光性气膜及其生产方法。本发明利用酸碱水解反应、表面活性剂调控，得到了粒径相对一致，且分散性较好的乙烯基聚硅氧烷微球。接着，通过稀硫酸羟基化乙烯基聚硅氧烷微球表面的乙烯基，再将3‑氨丙基三甲氧基硅烷接枝在聚硅氧烷表面，得到3‑氨丙基三甲氧基硅烷接枝的聚硅氧烷微球，最后用丁二酸为桥联剂，接枝N‑苯基对苯二胺，得到抗氧化聚硅氧烷微球，进一步将制得的抗氧化聚硅氧烷微球加入到乙烯‑四氟乙烯共聚物中，通过双螺杆挤出机制得母料，在流延成膜，得到了兼具高透光性和高雾度，且具有优异抗老化能力的气膜。
一种透光性气及其生产方法

[发明专利]基于异构集成的单向注入锁定半导体激光器-CN202210142350.6在审
发明人：冯琛;廖苗苗;周帅;刘尚军;段利华;张靖 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于异构集成的单向注入锁定半导体激光器，包括硅基微环芯片，所述硅基微环芯片上设有直通硅波导和微环，所述硅基微环芯片上对应直通硅波导两端的位置处分别键合有主激光器芯片和从激光器芯片，所述直通硅波导的两端分别与主激光器芯片和从激光器芯片耦合；所述微环位于直通硅波导的一侧，所述微环的上方键合有磁光芯片，所述磁光芯片用于在通电时产生磁场使微环出现非互易相移特性。本发明中，利用电磁场作用下微环结构的非互易相移特性实现主从激光器之间光隔离功能，实现异构集成单芯片单向光注入锁定激光器，解决了目前单向注入锁定激光器耦合难、效率低、封装成本高、体积大等难题。
基于集成单向注入锁定半导体激光器

[实用新型]一种硅基微显示器片上灰度级扩展电路-CN201520448338.3有效
发明人：耿卫东;刘艳艳;曾夕;张蕰千;郭嘉 -专利权人：南开大学
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种硅基微显示器片上灰度级扩展电路。可用于硅基液晶微显示器(LCoS)、硅基OLED微显示器(OLEDoS)和其他硅基微显示器件等领域，构成硅基微显示器的片上数据驱动电路。本实用新型提供的硅基微显示器片上灰度级扩展电路，可以将N位数据输入线的硅基微显示器的灰度级扩展位2N位，改善低位宽硅基微显示器图像的亮度和颜色的层次感，有效地提高显示灰度。
一种硅基微显示器灰度扩展电路

[发明专利]本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池及其制备方法-CN200910244846.9无效
发明人：张建军;张丽平;倪牮;曹宇;王先宝;赵颖;耿新华 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池，包括透明衬底、透明导电薄膜、P型窗口层、本征层I、N+层、背反射电极和金属电极，本征层I为微晶硅锗薄膜；该微晶硅锗薄膜的制备方法包括下述步骤：1)将带有透明导电膜的玻璃衬底放在真空室内，本底真空高于2×10-4Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷、锗烷、氟化锗和氢气的条件下，沉积微晶硅锗薄膜。本发明的有益效果是：该硅基薄膜电池结构新颖；制备的微晶硅锗薄膜材料具有窄带隙、低缺陷、高光敏性的优点且制备工艺简单、容易操作、制造成本低；采用该材料的硅基薄膜电池可提高光谱响应范围、稳定性和转化效率。
微晶硅锗薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种易清洁墙纸-CN201710530186.5在审
发明人：江凯 -专利权人：广西顺帆投资有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： D21H27/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种易清洁墙纸，包括基材层、胶粘层和斥水材料层；所述斥水材料层为斥水布料，由斥水性材料制成；将水加热至80℃以上，在淀粉中加入3倍体积的热水，并快速搅拌至无结块，加入聚乙烯醇乳液，混合均匀，即可得到胶粘剂作为胶粘层；在基材层上粘贴斥水材料层，斥水材料层为表面，斥水材料可擦拭，不会被水弄湿，易清洁；但由于斥水材料的疏水性，不易粘贴到基材层上，故胶粘层由淀粉和聚乙烯醇混合制得，在高温下粘贴，并在粘贴后急速冷却，可将斥水材料层粘贴到基材层上。
一种清洁墙纸

[发明专利]一种基于硅铝基空心微珠材料的板材及其生产工艺-CN202010772835.4在审
发明人：吴光辉 -专利权人：吴光辉
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C08L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅铝基空心微珠材料的板材及其生产工艺，该板材由如下重量份的原料加工制备而成：改性硅铝基空心微珠8‑14份、改性无机填料36‑44份、改性纤维材料7‑9.5份与粘接乳液12‑15份；本发明通过硅烷偶联剂对硅铝基空心微珠的表面进行处理，然后使部分还原的氧化石墨烯包覆在硅铝基空心微珠的表面，通过焙烧处理、氢碘酸蒸汽环境下加热处理，对包覆在硅铝基空心微珠表面的石墨烯进行还原，得到改性硅铝基空心微珠，通过石墨烯包覆能够对硅铝基空心微珠上开孔进行封闭，避免加工过程中大量液态材料进入硅铝基空心微珠的孔道结构中，提升了硅铝基空心微珠的保温效果，降低了成品板材的密度。
一种基于硅铝基空心材料板材及其生产工艺

[发明专利]一种波长可调、功率可调的硅基外腔激光器-CN201710093971.9有效
发明人：邱英;肖希;陈代高;王磊;李淼峰;杨奇 -专利权人：武汉邮电科学研究院
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：一种波长可调、功率可调的硅基外腔激光器，涉及光通信的集成光学领域，光源的输出端连接第一硅基光耦合器，第一硅基光耦合器连接第一多模干涉仪，第一多模干涉仪分别连接第一硅基微环滤波器和第二硅基微环滤波器，第一硅基微环滤波器和第二硅基微环滤波器之间设置第二多模干涉仪，第二多模干涉仪有两个输出端，一个连接第二硅基微环滤波器，另一个为整个硅基外腔激光器的输出端；所述硅基外腔激光器还包括一个非对称马赫‑曾德干涉仪，其设置于第一硅基微环滤波器和第二硅基微环滤波器之间；两个硅基微环滤波器和非对称马赫
一种波长可调功率硅基外腔激光器