专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]使用磁片的电感器及其制造方法-CN201080024195.3有效
  • 林成泰;李泰京;姜斗仁;金忠烈 - 株式会社昌星
  • 2010-04-30 - 2012-05-09 - H01F27/245
  • 本发明涉及一种具有直流叠加特性和高频特性的功率电感器,并且具体地涉及一种作为磁体施加有磁片和磁芯的功率电感器,所述磁片填充有软磁性金属粉末。本发明的技术目的是提供一种具有电感和直流叠加特性的功率电感器及其制造方法。为了实现该目的,用于制造使用磁片的电感器的方法包括:堆叠其表面上形成有导电电路的多层磁片;在最外部形成端子;通过经由导通孔电连接所述导电电路和所述端子来形成线圈形状的电路;并将磁芯插入所述线圈形状的电路中
  • 使用磁片电感器及其制造方法
  • [发明专利]三维电容器结构及其制作方法-CN201910334606.1在审
  • 尹晓明;马强 - 芯恩(青岛)集成电路有限公司
  • 2019-04-24 - 2020-10-30 - H01L23/522
  • 本发明提供一种三维电容器结构及其制作方法,结构包括:导电基底;结构,包括交替层叠的导电及空腔结构内具有沟槽,沟槽将结构隔离成多个鳍形单元;导电支撑柱,穿过鳍形单元,连接导电及导电基底;电容介质,形成于导电表面、导电支撑柱表面及沟槽底部;导电材料,填充于空腔及沟槽中。本发明在三维堆叠的导电表面形成电容介质,并在电容介质上形成导电材料作为电极,从而构成三维电容器,该三维电容器通过控制导电的堆叠的层数,可以实现非常的电容密度。
  • 三维电容器结构及其制作方法
  • [发明专利]多孔膜体及其制造方法-CN201510109963.X在审
  • 大和洋 - 株式会社大赛璐
  • 2015-03-13 - 2015-10-28 - B32B27/02
  • 本发明的目的在于,提供一种多孔膜体及其制造方法,所述多孔膜体透气性优异,也没有针孔的产生,表面平滑性,具有柔软性,而且操作性及成形加工性优异。所述多孔膜体是在无纺布基体材料的至少一面上有多孔膜的多孔膜体而形成的,其中,所述多孔膜具备具有连通性的多个微孔,该微孔的平均孔径为0.01~10μm,多孔膜表面的算术平均表面粗糙度Sa为0.5μm以下,多孔膜体的透气度的值为0.5~30秒,多孔膜体的拉伸强度为4.0N/15mm以上,通过胶带剥离实验,所述基体材料和所述多孔膜没有发生界面剥离。
  • 多孔膜叠层体及其制造方法
  • [发明专利]发光显示装置-CN202110607180.X在审
  • 林东赫;金甫城;申和容;李知炯 - 乐金显示有限公司
  • 2021-05-31 - 2022-07-01 - H01L27/32
  • 公开了一种发光显示装置,其使得在各个中的多个公共之中的具有高空穴导电率的公共能够包括具有取向因子值的材料,从而防止子像素之间漏电流的产生并且确保高效率和长寿命。发光显示装置包括:基板,具有多个子像素;设置在每个子像素中的阳极;设置在整个子像素中的阴极,阴极与阳极相对;设置在阳极和阴极之间并由电荷生成来划分的第一和第二,并且第一和第二的每一个包括发光;以及设置在阳极和第一之间的空穴注入,空穴注入接触阳极,其中空穴注入接触第一的第一空穴传输,并且空穴注入的取向因子S’小于第一空穴传输的取向因子S’。
  • 发光显示装置
  • [实用新型]集成的片式压敏电阻排-CN201120008737.X有效
  • 王小波;冯志刚;师习恩;贾广平 - 深圳顺络电子股份有限公司
  • 2011-01-12 - 2011-10-05 - H01C7/10
  • 一种集成的片式压敏电阻排,呈长方体状结构,沿宽度方向集成至少两个独立的单体片式压敏电阻,侧外电极沿长度方向并排均匀对称设置,每组相对的侧外电极之间相互独立或者分别通过带状功能相连,且每组相对的侧外电极都与沿长度方向设置的侧内电极相连,宽度方向两个端面对称分别设置一个端外电极,与一组沿宽度方向设置的端内电极相连短路导通,各个侧外电极与端外电极构成一个独立的单体片式压敏电阻,一组侧内电极包括至少一个侧内电极单元,侧内电极单元由一组端内电极包括数量与侧内电极单元相同或相差一个的端内电极单元,具有防护EMI功能,显著减小PCB板占用空间。
  • 集成叠层片式压敏电阻
  • [发明专利]陶瓷电子器件-CN01111717.6无效
  • 野田悟;浜田邦彦 - 株式会社村田制作所
  • 2001-03-16 - 2001-09-26 - H01G4/30
  • 本发明揭示一种陶瓷电容器,这种电容器具有弹性和弯曲特性,并具有耐焊接安装电路基板时产生的热击的机械强度。陶瓷电容器由和外部电极构成,其中体由多个陶瓷和设置在它们之间的多个内部电极构成,使得每个内部电极的一端暴露在体的一个端面上,外部电极至少被连接到一个内部电极上,并包含导电元件和具有杨氏模量小于等于
  • 陶瓷电子器件
  • [发明专利]K栅介质的制备方法-CN201010571503.6无效
  • 赵宇航;周军 - 上海集成电路研发中心有限公司;上海华力微电子有限公司
  • 2010-12-02 - 2011-05-18 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种K栅介质的制备方法,该方法包括如下步骤:在半导体衬底上形成初始K栅介质;将部分厚度的初始K栅介质转变为反应,所述反应覆盖剩余的初始K栅介质;在所述反应上覆盖阻挡,形成结构;对所述结构进行高温退火;通过湿法刻蚀工艺同时去除所述反应和阻挡,剩余的初始K栅介质即为K栅介质。本发明提出的K栅介质的制备方法,能够达到对栅介质层高度的调节,并且通过湿法刻蚀工艺同时去除反应和阻挡,简化了工艺步骤,使工艺过程效率更高。
  • 介质制备方法

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