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[发明专利]一种大尺寸靶材用锗晶片的加工方法-CN202010175416.2在审
发明人：秦瑶;陆海凤;李刚;王卿伟;王铭捷;彭大文 -专利权人：中锗科技有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸靶材用锗晶片的加工方法，包括如下：(1)根据靶材用锗单晶方片的宽度尺寸为直径拉制锗单晶晶棒；(2)按靶材用锗单晶方片的长度将所述晶棒截断；(3)采用线切割机纵向切取毛坯片：沿线切割机的进刀方向纵向放置所述晶棒，依次启动线切割机纵向切掉晶棒各侧面宽度达不到要求的部分；再将所述晶棒切片获得毛坯方片；(4)将上述毛坯方片进行平面研磨，获得所述靶材用锗单晶方片所要求的厚度尺寸；(5)对上述方片边缘倒角，使方片达到最终图纸要求的尺寸本发明既能满足靶材用锗晶片对大尺寸的要求，又可以最大化的利用锗单晶，且加工工艺简单，易于实现批量生产。
一种尺寸靶材用锗晶片加工方法

[发明专利]一种锗靶材及其制备装置、制备方法-CN202210025574.9在审
发明人：文崇斌;王英洁;朱刘;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及靶材技术领域，公开了一种锗靶材及其制备装置、制备方法，其制备方法包括以下步骤：将金属锗融化后注入引料区，降温冷凝得到锗块；将上述锗块加入坩埚主体中，并盖上坩埚盖；将所述坩埚主体竖直放入加热装置内；所述加热装置对融料区进行加热，保温后旋转支撑台；下降所述支撑台，将所述坩埚主体移出冷却；取出所述坩埚主体内的锗靶材胚料，并去除锗靶材胚料两端的部分，得到锗靶材。采用本发明制作时，可在一定范围内根据需要制作任意尺寸的靶材，且方便大批量生产。由于坩埚主体设置在支撑台上，制作过程中支撑台驱动坩埚主体旋转，从而去除了锗靶材内部的氧气，制作的靶材的致密度大于99％，大大提高了锗靶材的致密度，且成本低。
一种锗靶材及其制备装置方法

[发明专利]一种掺硅锗锑碲靶材及其制备方法-CN202310661181.1在审
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明涉及靶材生产技术领域，公开了一种掺硅锗锑碲靶材的制备方法，其步骤包括，先将硅粉、GexSbyTez粉混合且硅粉的质量占粉体总质量的2～10％，随后进行湿法球磨、静置、烘干，制得掺硅锗锑碲粉体；随后，将制得的掺硅锗锑碲粉体真空热压，制得掺硅锗锑碲毛坯；再将掺硅锗锑碲毛坯进行机械加工，得到掺硅锗锑碲靶材，通过上述方法制备得到的掺硅锗锑碲靶材具有纯度高、相对密度大的特点，并且上述掺硅锗锑碲靶材也解决了传统制备薄膜时双靶溅射难以搭配和控制溅射速率的问题。
一种掺硅锗锑碲靶材及其制备方法

[发明专利]一种硒化锗靶材及其制备方法-CN201910610004.4有效
发明人：文崇斌;余芳;朱刘;童培云;谢小林 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料生产技术领域，尤其涉及一种硒化锗靶材及其制备方法。所述制备方法包括：A)加热锗块至980～1050℃，保温后，得到锗液；B)加热硒块至230～250℃，保温后，硒块熔化，并滴入所述锗液中，得到混合熔炼液；C)将所述混合熔炼液在980～1050℃下加热30～60min，冷却后，得到硒锗合金；D)将所述硒锗合金进行球磨，得到的硒锗粉末经真空热压烧结，得到硒化锗靶材；步骤A)、B)和C)在真空的条件下进行。本发明采用真空滴落法制备硒锗合金，再通过球磨得到硒锗粉体，然后运用真空热压法制备得到硒化锗靶材，制备出的硒化锗靶材致密度较高，与理论硒含量相差较小。
一种硒化锗靶材及其制备方法

[发明专利]一种锗层及半导体器件的制作方法-CN201510309045.1有效
发明人：赵波 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-06-07 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供一种锗层及半导体器件的制作方法，所述锗层的制作方法，将传统耗时较长的锗PVD一步生长分解为时间较短的多步锗PVD生长，各步锗沉积的厚度之和为要求的锗层总厚度，打断了电荷在靶材表面的不断聚集过程；同时在每一步小的淀积步骤后，增加一步大气流、高压力的气体吹拂步骤，以将靶材表面累积的电荷吹走，从而减少了靶材与等离子体枪之间的电弧放电现象，保护靶材不被局部融化，减少了靶材融化后滴落到沉积表面的溅射颗粒物数量，最终在保持锗层总沉积厚度的基础上，明显降低了沉积锗层表面的颗粒物缺陷数量。本发明的半导体器件的制作方法，采用所述锗层的制作方法形成其锗层，提高了器件性能和器件集成合格率。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]锗锑碲粉体、靶材的制备方法-CN201910664915.5在审
发明人：沈文兴;白平平;朱刘;童培云;肖翀 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗锑碲粉体的制备方法，其包括如下步骤：S1、二元合金合成；S2、粉碎制粉；S3、均质混料；S4、三元合金粉体合成。本发明同时提出一种锗锑碲靶材的制备方法。本发明提出一种锗锑碲合金、靶材的制备方法，所制备得到的锗锑碲合金的收率大于98%；所制备得到的靶材相对密度大于98%，靶材纯度为4N或以上，相对密度高、组分均匀、微观缺陷少。
制备靶材锗锑碲粉体锗锑碲合金合成靶材纯度二元合金粉碎制粉三元合金微观缺陷混料均质收率

[发明专利]锗锑碲化合物相变材料溅射靶材生产方法-CN201310250531.1有效
发明人：李宗雨;丘立安;汪晏清 -专利权人：成都先锋材料有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及靶材生产制备领域，具体而言，涉及一种锗锑碲化合物相变材料溅射靶材生产方法。包括：将质量分数为13%～16%的锗，22%～25%的锑，60%～64%的碲混合，组成原料；对原料进行真空熔炼处理，得到GeSbTe金属化合物；将GeSbTe金属化合物进行粉末冶金处理，得到干燥的GeSbTe粉末；将干燥的GeSbTe粉末进行真空热压烧结处理，得到锗锑碲相变材料溅射靶材。本发明中的锗锑碲相变材料溅射靶材生产方法，将利用真空熔炼方法，完成锗锑碲所形成稳定化合物制成粉末，使之成分均匀；后将该粉末放入热压机进行高压烧结，形成致密的靶材。用该工艺，解决了粉末成分可能出现不均，或密度不高的技术问题。
锗锑碲化合物相变材料溅射生产方法

[发明专利]一种锗锑碲相变靶材及其制备方法与应用-CN202310951409.0在审
发明人：姚力军;潘杰;廖培君;黄东长;张怡忠 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗锑碲相变靶材及其制备方法与应用，所述锗锑碲相变靶材的制备方法包括如下步骤：锗锑碲合金粉经装模处理、真空热压烧结处理以及机加工处理，得到所述锗锑碲相变靶材；所述真空热压烧结处理包括依次进行的第一加压处理本发明直接采用锗锑碲合金粉进行真空热压烧结，将真空热压烧结处理过程分为多级加压、升温及保温保压阶段，制得的锗锑碲相变靶材的内部组织结构优异，致密度与纯度较高，能够达到相变存储器对存储介质的要求。
一种锗锑碲相变及其制备方法应用

[发明专利]一种P型热电材料GeSi靶材及其制备方法-CN202111083905.6有效
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型热电材料GeSi靶材及其制备方法，涉及合金靶材技术领域，所述制备方法包括如下步骤：(1)将锗颗粒、硅颗粒放入磁悬浮感应熔炼炉中加热至熔化，保温，水冷，得到锗硅合金锭；(2)破碎锗硅合金锭，球磨，得到锗硅合金粉，加入硼粉，所述硼粉占锗硅合金粉的质量分数为0.3～1.5％，均质，得到掺硼锗硅合金粉；(3)将掺硼锗硅合金粉放入模具中，在真空热压炉中预压以排除模具中的空气，得到掺硼锗硅合金坯体；关闭炉门，抽真空，升温至1300～1400℃后保温，保温30～60min后加压，压力为30～35MPa，保温保压60～90min，降压，冷却，得到所述GeSi靶材。由本发明所述方法制备的GeSi靶材的相对密度均可达到98％以上，氧含量低于500ppm，电阻率小于0.001Ω·cm，组分均匀。
一种热电材料 gesi 及其制备方法

[发明专利]碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法-CN201910905550.0有效
发明人：白平平;童培云;沈文兴;朱刘;肖翀 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：以单质锗、单质锑和单质碲为原料，进行真空感应熔炼，球磨、过筛后得到锗锑碲粉体；将锗锑碲粉体和炭黑分散到含丙烯酰胺的反应体系中，经聚合反应得到均匀分布有锗锑碲粉体和炭黑的聚丙烯酰胺胶体；将分布有锗锑碲粉体和炭黑的聚丙烯酰胺胶体在无氧环境中进行煅烧，得到掺碳的锗锑碲粉体；将掺碳的锗锑碲粉体进行真空热压烧结，得到碳掺杂锗锑碲相变靶材。本发明以聚丙烯酰胺和炭黑为碳源，在聚丙烯酰胺胶体形成过程中，使锗锑碲粉体和炭黑悬浮于溶液中，促进炭黑与锗锑碲粉体充分混合，解决了现有掺碳锗锑碲靶材中碳颗粒结块导致掺杂不均匀的问题。
掺杂锗锑碲相变制备方法

[发明专利]用于提高聚酰亚胺基底镀锗膜低温防静电性能的方法-CN200710038437.4无效
发明人：冯煜东;王艺;王志民;速小梅;赵概 -专利权人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
申请日： 2007-03-26 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： C23C14/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高聚酰亚胺基底镀锗膜低温防静电性能的方法，它包括对锗靶材进行微量掺杂，并确定掺杂杂质类型、掺杂含量；根据确定结果制备靶材；通过气相沉积法制备柔性基底镀锗膜等步骤；掺杂杂质类型为n型杂质的本发明在靶材中进行微量浅能级杂质掺杂可对低温电导进行适当补偿，可保证锗膜在－180℃～100℃之间具有良好的防静电和透微波性能。
用于提高聚酰亚胺基底镀锗膜低温静电性能方法

[发明专利]光电转换元件的基板及其制造方法-CN201510710897.1在审
发明人：陈升晖;曾少泽;曹昭阳;张正阳 -专利权人：欣欣天然气股份有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：将单晶硅晶圆置入机台的腔体内，其中腔体内有锗靶材或硅锗靶材。接着，进行物理气相沉积工艺，以于单晶硅晶圆上形成单晶锗薄膜或单晶硅锗薄膜。此制造方法可降低光电转换元件的基板的生产成本。
光电转换元件及其制造方法

[发明专利]一种半导体工业用靶材及其制备方法-CN202111273585.0有效
发明人：雷雨;周志宏;肖世洪;刘芳 -专利权人：广州市尤特新材料有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工业用靶材，包括以下重量份原料：锗10‑20份、碲5‑10份、硒4‑10份、改性膨润土分散剂1‑2份、修饰剂1‑6份、稀土剂改性石墨粉1‑3份、硅粉30‑40份。本发明半导体工业用靶材制备中，采用锗、碲、硒等原料配比而成，添加的改性膨润土分散剂、稀土剂改性石墨粉经过修饰剂处理后，作为预处理添加剂应用到产品中可显著改进产品的性能，继而使原料的致密度、收缩度改进。
一种半导体工业用靶材及其制备方法

[发明专利]一种锗掺杂的AZO靶材及其制备方法-CN200910108039.4无效
发明人：胡茂横;王会文;张珂 -专利权人：中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗掺杂的AZO靶材，该靶材中含有重量百分比为1-10％的氧化铝、0.1-5％的氧化锗，以及余量的氧化锌。本发明还提供了该锗掺杂的AZO靶材的制备方法，包含步骤：S1，按事先确定好的比例分别称取原料氧化锌、氧化铝、氧化锗粉末，加入粘结剂，加水混合均匀；S2，将混合物干燥后，将粉末进行压制成型，形成预先确定的形状和强度的坯体采用本发明所提供的靶材制得的透明导电膜具有透光率高、电阻率低，薄膜附着力好，致密完整，稳定性好等特点。
一种掺杂 azo 及其制备方法

[发明专利]一种锗砷硒碲合金靶材及其制备方法-CN201910526762.8有效
发明人：石红春;刘晓华;朱晨阳;何金江;杨海;雷继锋 -专利权人：有研新材料股份有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种低氧大尺寸锗砷硒碲合金靶材及其制备方法，所述合金包括以下各组分及其原子百分比：锗15～25％；砷20～40％；硒30～50％；碲3～10％，上述各原料混合后原子百分比之和为100％；所述制备方法包括将靶材原料蒸馏提纯后按上述配比混合放入石英管中二次熔封后的石英管放入摇摆炉中熔制、退火得到小尺寸铸锭，经热等静压处理将小尺寸铸锭扩散连接制备成大尺寸合金靶坯，靶坯经机械加工成大尺寸锗砷硒碲合金靶材。此方法制备的合金靶材规格为Dia(150～450mm)×Th(5～30mm)，杂质氧含量小于100ppm，相对密度大于99％。
一种锗砷硒碲合金及其制备方法

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