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[发明专利]一种多晶硅层形成方法、多晶硅层以及半导体结构-CN202010838556.3有效
发明人：吴家伟;王喜勤;吕佐文 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅层形成方法、多晶硅层以及半导体结构，通过在第一非晶硅层上沉积含碳介电层，在含碳介电层上沉积第二非晶硅层，对沉积有含碳介电层的第一非晶硅层和第二非晶硅层进行退火，使第一非晶硅层和第二非晶硅层转换为第一多晶硅层和第二多晶硅层含碳介电层中的碳或碳、氮原子向已形成的第一非晶硅层中扩散，在将非晶硅转换为多晶硅的过程中，碳或碳、氮原子可以阻碍晶粒生长，从而能够调节晶粒的尺寸生成较小晶粒尺寸的多晶硅层，改善多晶硅层性能。
一种多晶形成方法以及半导体结构

[发明专利]太阳电池-CN201010197017.2有效
发明人：刘致为;何伟硕;陈彦瑜;古峻源;陈建任;林汉涂;梁硕玮 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种太阳电池，其包括第一型掺杂单晶硅基板、本征非晶硅层、第二型掺杂非晶硅层、第一型掺杂结晶含锗层以及一对电极。第一型掺杂单晶硅基板具有正面以及背面。本征非晶硅层配置于正面上。第二型掺杂非晶硅层配置于本征非晶硅层上。第一型掺杂结晶含锗层配置于背面。电极与第二型掺杂非晶硅层以及第一型掺杂结晶含锗层电性连接。
太阳电池

[发明专利]使氢化非晶硅和非晶氢化硅合金稳定化的方法-CN201280035916.X有效
发明人： B·海克麦特朔-塔巴里;M·霍普斯塔肯;朴大奎;D·K·萨达那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：形成光伏器件的半导体材料的方法包括：提供含氢化非晶硅的材料的表面，和将含氢化非晶硅的材料在含氘气氛中退火。将来自含氘气氛的氘穿过含氢化非晶硅的材料的表面引入含氢化非晶硅的材料的晶格中。在一些实施方案中，引入含氢化非晶硅的材料的晶格中的氘提高含氢化非晶硅的材料的稳定性。
氢化非晶硅合金稳定方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法-CN201510571895.9有效
发明人：陈卓 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法，方法包括对缓冲层的部分进行刻蚀形成第一刻蚀槽和第二刻蚀槽，在第一刻蚀槽和第二刻蚀槽分别形成第一含磷层和第二含磷层；在缓冲层、第一含磷层和第二含磷层上形成非晶硅层；对非晶硅层进行激光镭射，分别将第一含磷层上对应的非晶硅层转变为第一重掺杂层，将第二含磷层上对应的非晶硅层转变为第二重掺杂层，将第一含磷层和第二含磷层之间的部分非晶硅层转变为沟道有源层，将第一含磷层与沟道有源层之间的非晶硅层转变为第一低掺杂漏极端，将第二含磷层与沟道有源层之间的非晶硅层转变为第二低掺杂漏极端。
低温多晶薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种MEMS桥梁柱结构及其制作方法-CN202010253123.1有效
发明人：刘善善;朱黎敏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：其中，方法包括：提供衬底；在衬底上沉积含钛薄膜层；刻蚀含钛薄膜层，形成隔离槽和连接槽，隔离槽和连接槽从含钛薄膜层的上表面向下延伸至衬底的刻蚀停止面；在未被刻蚀的含钛薄膜层上，与，隔离槽和连接槽中沉积非晶硅层；刻蚀非晶硅层，去除位于隔离槽中的非晶硅层；在非晶硅层上与的隔离槽中沉积二氧化硅层。结构包括衬底；含钛薄膜层沉积在衬底上，且含钛薄膜层上开设有隔离槽和连接槽；隔离槽和连接槽从含钛薄膜层的上表面向下延伸至衬底的刻蚀停止面；非晶硅层沉积在剩余的含钛薄膜层上，并填充在连接槽中；二氧化硅层沉积在非晶硅层上
一种 mems 桥梁结构及其制作方法

[发明专利]硅异质结太阳电池及其制备方法-CN201710456695.8在审
发明人：田宏波;王伟;赵晓霞;王恩宇;宗军;李洋;杨瑞鹏;周永谋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了硅异质结太阳电池及其制备方法。其中，该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；金属栅线电极层，金属栅线电极层包括：合金过渡层，合金过渡层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层至少一层表面上；含铜导电合金层，含铜导电合金层形成在合金过渡层的表面上。
氢化非晶硅发射极层背场层缓冲层透明导电氧化物层合金过渡层硅异质结太阳电池金属栅线电极导电合金层衬底层重掺杂制备轻掺杂晶硅

[实用新型]硅异质结太阳电池-CN201720707435.9有效
发明人：田宏波;王伟;赵晓霞;王恩宇;宗军;李洋;杨瑞鹏;周永谋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了硅异质结太阳电池。该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；金属栅线电极层，金属栅线电极层包括：合金过渡层，合金过渡层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层至少一层表面上；含铜导电合金层，含铜导电合金层形成在合金过渡层的表面上。
硅异质结太阳电池

[发明专利]一种含硅多孔非晶合金锂离子电池负极材料及其制备方法-CN201510148821.4有效
发明人：朱正旺;吴金波;张海峰;付华萌;张宏伟;王爱民;李宏 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种含硅多孔非晶合金锂离子电池负极材料及其制备方法，属于电化学电源领域。其制备方法是将含Si的Fe基非晶合金或非晶纳米晶复合材料加入到稀盐酸中腐蚀除去Fe；然后经静置、抽滤，洗涤，干燥，超声粉碎、过筛，得到含硅多孔非晶合金材料。本发明利用化学腐蚀法制备新型含硅多孔非晶合金材料具有制备工艺简单，成本低的优点，制备所得的含硅多孔非晶合金材料作为锂离子电池负极材料使用时具有比容量高，放电平台稳定等优异的电化学性能，具有良好的应用前景
一种多孔合金锂离子电池负极材料及其制备方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN99126727.3无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的制造半导体器件的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种催化元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或催化元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体电路及半导体器件-CN99110391.2无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的制造半导体电路的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种催化元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将催化元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化
半导体电路半导体器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN94104267.7无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2002-10-16 - 主分类号： H01L29/768 文献下载
摘要：本发明的制造半导体器件的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种金属元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将金属元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体电路及其制造方法-CN01116633.9无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2001-12-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的制造半导体电路的方法由形成非晶硅膜着手,然后,如此形成含至少一种催化元素的第二层,以便与非晶硅膜紧密连接,或将催化元素掺入非晶硅膜中,用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射,再使该非晶硅膜晶化
半导体电路及其制造方法

[发明专利]含硅非晶质碳材料及其制造方法、以及锂离子二次电池-CN201480060555.3有效
发明人：八木下洋平;梶浦裕一;山口浩平;片山美和;小田亘;滨井健太;本田知广;冈崎精二;坂本明男 -专利权人：户田工业株式会社
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01M4/587 文献下载
摘要：本发明提供一种作为使用在锂离子二次电池等的负极的材料的含硅非晶质碳材料，在充放电时，所述使用在锂离子二次电池等的负极的材料的体积变化小，且所述使用在锂离子二次电池等的负极的材料的循环特性能够得到实用上的改善本发明的含硅非晶质碳材料(1)具备易石墨化非晶质碳(4)，易石墨化非晶质碳中含有由SiOx(0＜x＜2)构成的氧化硅粒子，在氧化硅粒子的周围形成有空隙。含硅非晶质碳材料(1)的含硅率为1重量％以上50重量％以下。
含硅非晶质碳材料及其制造方法以及锂离子二次电池

[发明专利]制作双层栅极介电层的方法-CN200510050939.X无效
发明人：郑博伦;程立伟 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-02-24 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：接着于该二氧化硅薄膜上形成一非晶硅薄膜，并进行一低温等离子体氮化工艺，以使非晶硅薄膜形成一含氮非晶硅薄膜。最后再进行一氧气退火工艺，以使氧气与含氮非晶硅薄膜反应而形成一富氮氮氧化硅层。
制作双层栅极介电层方法

[发明专利]在准分子激光退火后具有改善的多晶硅质量的多层非晶硅结构-CN201480025442.X在审
发明人：王群华;赵来;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文中所述的实施例大致上涉及用于形成可用于薄膜晶体管器件的多层非晶硅结构的方法。在一个实施例中，方法包括：将包含缓冲层的基板定位在工艺腔室中，此工艺腔室包括处理区；形成多个非晶硅层；以及对这些非晶硅层退火以形成多晶硅层。形成这多个层包括：将含硅前体和第一活化气体输送至处理区以在缓冲层上形成第一非晶硅层，含硅前体和第一活化气体由等离子体活化；以及维持含硅前体的连续流动，同时在没有第一活化气体的情况下将第二活化气体输送至处理区，以便在第一硅层上沉积第二硅层。
准分子激光退火具有改善多晶质量多层非晶硅结构

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