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[实用新型]一种喷雾杀菌消毒剂发生装置-CN200720059879.2无效
发明人：杜长明 -专利权人：中山大学
申请日： 2007-11-21 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： A61L2/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种喷雾杀菌消毒剂发生装置，该装置包括主机和等离子体喷头组成。主机包括机壳、高压变压器、水泵、流量计等；等离子体喷头包括绝缘体外罩、刀形金属电极、水气雾化喷嘴等。利用等离子体喷头内金属电极间的高压电位差在电极之间最小距离处形成击穿放电电弧，击穿放电电弧在雾化喷嘴产生的水气混合物驱动下，快速沿着电极表面向下游滑动并在电极表面形成脉冲式滑动弧放电非平衡等离子体，从而产生包含过氧化氢
一种喷雾杀菌消毒剂发生装置

[实用新型]偶合式表面波等离子体发生器-CN88208620.0无效
发明人：冯竞;黄铭;李象河 -专利权人：云南大学
申请日： 1988-07-14 - 公布日： 1989-06-14 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种偶合式表面波等离子体发生器，属低温等离子体技术领域。采用同轴型表面波等离子体发生器(Surfatron)和波导型表面波等离子体发生器(Surfaguide)进行偶合组成其微波系统，取代以往单独使用该两种等离子体发生器的微波系统；可获得大体积、稳定且可随意改变其体积的等离子体本实用新型可用于进行表面波传输模拟实验及其等离子体反射电波实验，以及对非晶硅太阳能电池进行氢化，换处理容器后，可应用于其它方面。
偶合表面波等离子体发生器

[发明专利]用非平衡等离子体处理颗粒和气体物质的装置-CN201410134595.X有效
发明人：李黎;腾云;俞斌;刘云龙;刘明海;潘垣 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种用非平衡等离子体处理颗粒和气体物质的装置，包括前级充电器和等离子体发生器；前级充电器包括直流电源和谐振充电电路，直流电源用于为谐振充电电路提供直流电压，谐振充电电路用于为等离子体发生器提供交流脉冲电压；等离子体发生器为中心设置有反应腔的圆柱状结构，包括外屏蔽层、原方低压绕组、外绝缘层、副方高压绕组、内绝缘层、内屏蔽层、副方电容、触发极电阻、气体间隙陡化开关、电极支架、高压电极、直线电极和金属板；颗粒或气体物质的处理直接在反应腔内进行该装置放电可以在大气压开放空气以及没有阻挡介质的环境下进行，等离子体中电子和活性粒子的能量更大，浓度更高，且装置结构紧凑，体积小，稳定性高。
平衡等离子体处理颗粒气体物质装置

[发明专利]氧化硅薄膜的制造方法-CN03107331.X无效
发明人：林辉巨 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2003-03-20 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化硅薄膜的制造方法，其应用于多晶硅薄膜晶体管工艺，其先以等离子体辅助化学气相沉积系统于衬底完成沉积非晶硅薄膜的步骤之后，再对非晶硅膜提供含氧等离子体，对其表面施以含氧元素的等离子体处理，使非晶硅膜形成表面氧化层，此方法能减少工艺所需花费的时间，进而减少工艺的成本。
氧化薄膜制造方法

[发明专利]用于使用非热等离子体处理皮肤的设备-CN201680031158.2有效
发明人： J·祖伊德瓦特;E·A·范德兹万;S·穆伊布罗伊克;J·C·尼杰丹 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于使用非热等离子体处理皮肤的设备。该设备包括：壳体，具有用于在处理期间应用于皮肤的皮肤界面电极；生成器，用于在皮肤界面电极处生成非热等离子体；以及隔离元件，以在处理期间以外隔离围绕所述皮肤界面电极的区，使得在所述区内的皮肤界面电极处生成的非热等离子体对皮肤界面电极进行杀菌
用于使用等离子体处理皮肤设备

[发明专利]一种低温等离子体有机废气处理装置和方法-CN202110440441.3在审
发明人：牟洪祥;刘英杰;陶彬 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温等离子体有机废气处理装置和方法，尤其涉及石油、石化及化工行业有机废气处理领域，包括接入有机废气的导入管；排出处理后的气体的排空管；设置在所述导入管的下游的等离子体处理机构，其包括若干等离子体处理单元，所述等离子处理单元通过等离子体处理有机废气；设置在所述等离子体处理机构的下游的分解及吸附设备，所述分解及吸附设备能够吸收剩余的有机废气，并且其出口连接所述排空管。本发明通过低温等离子体彻底处理有机废气中的非甲烷总烃。
一种低温等离子体有机废气处理装置方法

[发明专利]P3I工艺中掺杂分布的修正-CN200980143443.3无效
发明人：马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔;马耶德·A·福阿德;彼得·I·波尔什涅夫 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-10-27 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L29/167 文献下载
摘要：本发明提供通过等离子浸没式离子注入工艺将材料注入基板的方法。实施例中，用于注入材料进入基板的方法包括以下步骤：提供基板至工艺室，该基板包含基板表面，该基板表面具有于其上形成的材料层；生成非掺杂工艺气体的第一等离子体；将材料层暴露至该非掺杂工艺气体的第一等离子体；生成掺杂工艺气体的第二等离子体，该掺杂工艺气体包括适于产生掺杂离子的反应气体；以及将来自等离子体的掺杂离子注入材料层。
p3i 工艺掺杂分布修正

[实用新型]非均匀微波场内等离子体加速装置-CN201620240789.2有效
发明人：赵海龙;张岩;江楠;陶国彬;王金玉;王舜 -专利权人：东北石油大学
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H05H15/00 文献下载
摘要：非均匀微波场内等离子体加速装置，涉及离子体加速领域。目的在于利用非均匀微波场对等离子体进行加速，并考察强磁场内等离子体的不稳定性。疏散系统位于真空腔的底部，所述真空腔的一侧与玻璃管的一侧连接，真空腔内设置有带有延迟系统的三电极探针，且所述三电极探针朝向玻璃管，玻璃管上设有环形火花塞，环形火花塞内部设置有云母火花等离子体枪，云母火花等离子体枪的发射方向朝向玻璃管的另一侧本实用新型适用于在非均匀微波场内对等离子体进行加速。
均匀微波场内等离子体加速装置

[发明专利]处理衬底的方法和真空沉积设备-CN201980033072.7有效
发明人： E·舒格尔;S·吉斯 -专利权人：瑞士艾发科技
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：真空处理衬底或制造真空处理的衬底的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供真空室(1)，‑在所述真空室中提供至少一个衬底(30)，‑在所述真空室中产生等离子体环境(2)并将所述至少一个衬底暴露于所述等离子体环境，其中所述等离子体环境包括材料沉积源的第一等离子体(11)和非沉积源的第二等离子体(21)；‑在第一状态和第二状态之间重复地操作所述等离子体环境。
处理衬底方法真空沉积设备

[发明专利]等离子体中电波传播实验装置-CN201210254995.5有效
发明人：李小平;杨敏;刘彦明;谢楷;石磊;白博文;高平 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G01R29/08 文献下载
摘要：本发明属于电波实验测试领域，涉及一种等离子体中电波传播实验装置，其特征是：至少包括大面积均匀非磁化等离子体产生单元，发射天线和防绕射接收单元，大面积均匀非磁化等离子体产生单元通过紧固螺栓连接防绕射接收单元，发射天线与防绕射接收单元的接收天线在同一轴线上，防绕射接收单元用于接受经过到等离子体后的电波信号，屏蔽绕射过等离子体的电波信号。本装置具有以下优点：1)等离子体可持续时间长且实验可重复，理论上不受时间影响。
等离子体电波传播实验装置

[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法以及光电器件-CN201611227126.8有效
发明人：芦子玉;邬苏东;叶继春;高平奇;丁丽 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种多晶硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1，提供非晶硅薄膜，将所述非晶硅薄膜放入反应室中的水冷样品台上；S2，向所述反应室中通入等离子体气体源，并将所述反应室的压力调节至100Pa至10000Pa；S3，激发所述等离子体气体源并产生等离子体，在所述等离子体环境中，所述非晶硅薄膜发生退火晶化，从而得到所述多晶硅薄膜。本发明通过将非晶硅薄膜置于中压条件下电感耦合产生的射频等离子体环境中，使得所述非晶硅薄膜进行快速退火晶化，从而在低温条件下快速制备多晶硅薄膜；本发明不仅可以使用普通玻璃等廉价衬底，从而极大的降低了制备成本
多晶薄膜制备方法以及光电器件

[发明专利]手持式低温等离子体产生装置及其应用-CN202210939006.X在审
发明人：詹克君 -专利权人：无锡智蜂科技有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： A61N1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种手持式低温等离子体产生装置，其特征在于，包括：腔体外壳、等离子体发生装置、气体供给装置、鼓风装置，腔体外壳包含等离子体喷出口，与气体供给装置连接的供气口；等离子体发生装置设置在腔体外壳一端，内部设有驱动电源、电极片，其中，电极片上开设有导流孔；鼓风装置设置在腔体外壳的另一端，以使得鼓风气体用于将等离子体发生装置产生的等离子体喷出腔体外壳的等离子体喷出口的方式，设计风道；气体供给装置为可拆卸式气瓶，气瓶接口与腔体外壳的供气口密闭或者非密闭连接；供气口在腔体外壳内的开口，在等离子体发生装置内部的电极片之间，或者电极片的上游。
手持低温等离子体产生装置及其应用

[发明专利]一种波长实时可调的纳米激光光源及波长调谐方法-CN202310034740.6在审
发明人：宁舒雅;张光楠;张那明;何佳佳 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01S3/102 文献下载
摘要：本发明涉及一种波长实时可调的纳米激光光源及波长调谐方法，波长调谐方法按照如下方法进行：构建同时具有磁性及等离子体特性的等离子体纳米激光器，所述等离子体纳米激光器包括金属薄膜层、磁性‑等离子体核壳纳米颗粒和液态增益介质；在等离子体纳米激光器外周配置外磁场线圈，通过外磁场线圈产生磁场，以调节磁性‑等离子体核壳纳米颗粒与金属薄膜之间的距离，从而调谐等离子体激光波长。本发明提供的方法可在可见光及近红外区域实现等离子体纳米激光器的波长实时调控，具备非接触式调控、长寿命、高灵敏度与精度、波长可实时调谐等优点。
一种波长实时可调纳米激光光源调谐方法

[发明专利]一种等离子体和光子晶体复合隐身结构-CN202011127557.3有效
发明人：程立;李志刚;陈宗胜;陈蕾蕾;汪家春;吕相银;时家明;赵大鹏 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体和光子晶体复合隐身结构，包括等离子体隐身层及光子晶体隐身薄膜，所述光子晶体隐身薄膜贴敷于等离子体隐身层之上。本发明所述的等离子体和光子晶体复合隐身结构，利用等离子体实现对雷达频段的隐身，利用光子晶体实现对远红外等光波段的隐身，光子晶体薄膜与等离子体层相互兼容，光子晶体薄膜允许雷达波无损透射，同时抑制等离子体的可见光、红外等光波段辐射；相对于传统隐身材料，等离子体层可控可调，工作时可以实现宽频段隐身，非工作状态不影响雷达工作。
一种等离子体光子晶体复合隐身结构

[发明专利]用于在平坦表面上沉积大面积涂层的设备和方法-CN03826341.6有效
发明人：马克·谢普肯斯 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2003-02-20 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：一种方法和设备(200)，用于利用多个等离子体源(212)的阵列(210)和公共反应气体注入器(220)在大面积平坦表面(234)上沉积均匀涂层(232)。设备(200)包括：多个等离子体源(212)的至少一个阵列，其中多个等离子体源(212)中的每一个包括设置在等离子体室(202)内的阴极(214)、阳极(216)和用于非反应等离子体源气体的入口(218公共反应气体注入器(220)借助单一输送系统向多个等离子体源(212)产生的多个等离子体中的每一个提供均匀流量的至少一种反应气体。该至少一种反应气体与多个等离子体反应，从而在基板(230)上形成均匀涂层(232)。
用于平坦表面上沉积大面积涂层设备方法