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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201010527488.5有效
发明人：朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体结构采用共用接触来调节阈值电压，即接触位于源区或漏区外侧的部分延伸至背栅区，并形成源区或漏区与背栅区的电学接触，简化了制作工艺程序，能够提高集成度、降低生产成本。此外，非对称背栅结构设计能够进一步提高阈值电压调节效果，改善器件性能。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种金属-半导体场效应晶体管-CN90104646.9无效
发明人：刘训春;王润梅;叶甜春;曹振亚 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 1990-07-19 - 公布日： 1991-11-13 - 主分类号： H01L29/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用侧壁自对准技术制造MESFET的结构，在金属栅电极与漏区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度大于与源区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度，这样的非对称结构能够提高MESFET的性能。
一种金属半导体场效应晶体管

[发明专利]一种闪存器件及其制造方法-CN201910394766.5有效
发明人：罗清威;李赟;周俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存器件的制造方法，衬底上形成有浮栅层以及浮栅层上的图案化的栅堆叠层，栅堆叠层包括依次层叠的隔离层和控制栅，栅堆叠层一侧为擦除栅区，另一侧为字线区，在栅堆叠层的侧壁上可以形成侧墙，沿横向去除字线区的部分厚度的侧墙，使字线区的侧墙和擦除栅区的侧墙厚度不一致，以侧墙及栅堆叠层为掩蔽，进行浮栅层的刻蚀，以形成浮栅，沿横向去除擦除栅区部分厚度的侧墙，这样，得到的浮栅层在擦除栅区保留较多且伸出侧墙一部分，从而得到非对称结构的浮栅层，简化形成浮栅的工艺流程，降低器件的制造成本。
一种闪存器件及其制造方法

[实用新型]非对称瞬态电压抑制转子变频调速控制装置-CN201120206606.2有效
发明人：周巍;葛运周;杨焕红 -专利权人：天津中电博源科技有限公司
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H02P27/06 文献下载
摘要：一种非对称瞬态电压抑制转子变频调速控制装置，旨在解决现有的交流异步电动机转子变频调速控制装置瞬态高压尖峰的上升率大，IGBT受到高压冲击易损坏的问题。它采用的升压斩波电路是由绝缘栅双极型晶体管IGBT、瞬态电压抑制二极管VS1-2、升压二极管D和升压电容2C连接组成的非对称瞬态电压抑制斩波电路，瞬态电压抑制二极管VS1的2端与逆导型绝缘栅双极型晶体管IGBT的C极相连、1端与逆导型绝缘栅双极型晶体管IGBT的E极相连，瞬态电压抑制二极管VS2的1端与升压二极管D的正极相连、2端与升压二极管D的负极相连。
对称瞬态电压抑制转子变频调速控制装置

[发明专利]一种无结型双栅线隧穿场效应晶体管-CN201910023720.2有效
发明人：谢倩;李杰;黄安鹏;王政 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件领域，提供一种无结型双栅线隧穿场效应晶体管，用以提升无结型隧穿场效应晶体管开态电流；本发明隧穿场效应晶体管通过源区金属与漏区金属的功函数与沟道区半导体电子亲和势的差值，在未掺杂或轻掺杂的沟道中通过电学掺杂形成P型掺杂特性源区与N型掺杂特性漏区；改变了传统无结型双栅隧穿晶体管上下对称的双栅结构，使顶层金属栅与底层金属栅具备长度差、即非对称双栅结构，在无结型双栅隧穿场效应晶体管的中引入载流子线隧穿，并以线隧穿为主；同时，可通过增加顶层金属栅的延伸长度，缩短底层金属栅长度来增加顶层金属栅与底层金属栅长度差值，增大晶体管的线隧穿面积，提升载流子隧穿几率，有效提升了器件的开态电流。
一种无结型双栅线隧穿场效应晶体管

[发明专利]电阻场板非对称栅场效应器件及其制备方法-CN202110919735.4在审
发明人：谭开洲;肖添;张嘉浩;杨永晖;蒋和全;李儒章;张培健;钟怡;李孝权;王鹏飞;王鹏;王育新;唐昭焕;裴颖;李光波 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻场板非对称栅场效应器件及其制备方法，该电阻场板非对称栅场效应器件的最小可重复单元中设置有两个不对称的深槽型电阻场板结构，第一个电阻场板结构的顶端设有MOSFET结构且其与MOSFET结构的源极电极连接，第二个电阻场板结构的顶端引出控制电极，当MOSFET结构的源极电极与控制电极同电位连接时，由于两个电阻场板结构的结构不对称、存在差异，二者产生的电场耦合效果更好，更适应提升MOSFET耐压漂移区杂质浓度
电阻场板非对称场效应器件及其制备方法

[发明专利]基于非对称金属双栅结构的光学二极管-CN201010231416.6无效
发明人：王慧田;许吉;程晨;陈璟;丁剑平;樊亚仙 -专利权人：南京大学
申请日： 2010-07-20 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非对称金属双栅结构的光学二极管，包括第一金属栅和第二金属栅，第一金属栅和第二金属栅平行排列，第二金属栅的栅周期是第一金属栅的两倍，第二金属栅的外表面上设有表面微腔。本发明中两层金属栅的层间距的存在，是为了利用双栅结构中特有的透射抑制现象，该结构的存在能够非常有效地实现零级透射的单向性。另一方面，本发明对较大周期一栅的外表面做了附加表面微腔结构的改进，能在一定波长范围实现能量透过率高达60％的透射。整个结构对电磁波的单向传输的控制可作用于宽带范围。
基于对称金属结构光学二极管

[发明专利]通过源漏电压操作的非对称电极可重构晶体管及调试方法-CN202211067410.9在审
发明人：余林蔚;钱文涛;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过源漏电压操作的非对称电极可重构晶体管，包括衬底和设置于所述衬底上的多台阶沟道内分布有掺杂纳米线阵列，位于所述掺杂纳米线阵列两端且垂直于所述掺杂纳米线方向分别沉淀有漏极接触金属和源极接触金属，所述衬底两端的漏极接触金属与源极接触金属之间的上方沉积有栅介质层及栅极薄膜层。采用非对称的源漏极金属和掺杂纳米线沟道进行接触，能够获得非对称的肖特基势垒，通过漏极电压的预偏置效果可以初始调节漏极金属和掺杂纳米线沟道之间的肖特基势垒，改变漏极电压的正负加上栅极调控，即可改变晶体管的极性
通过漏电操作对称电极可重构晶体管调试方法

[发明专利]一种宽入射角亚波长水声单向传输器件及传输控制方法-CN201811095744.0有效
发明人：张赛;陆伟;许伯强;肖妍;商德江 -专利权人：江苏大学
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G10K11/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽入射角亚波长水声单向传输器件及传输控制方法，通过构造声学超材料，在其厚度小于入射声波波长的条件下，实现了宽角度入射声波的非对称传输；所述声学超材料由一维流/固型衍射声栅和级联流/固型超晶格耦合而成，所述级联流/固型超晶格由两种不同材料的流/固超晶格级联组成；所述声学超材料对于44°‑62°的低频入射声波非对称传输效应显著，最高整流比可达1012，所述声学超材料非对称透射频带较宽
一种入射角波长单向传输器件控制方法

[发明专利]非对称膜-CN201610071233.X在审
发明人：梁雪梅;马克·穆拉;韩宾兵;多纳尔德·西蒙顿;理查德·莫里斯 -专利权人：帕尔公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： B01D71/68 文献下载
摘要：本发明涉及非对称膜，其包括：第一非对称多孔区，其包括从第一外表面到本体的第一多孔区增加的第一多孔非对称性；和第二非对称多孔区，包括从第二外表面到本体的第二多孔区增加的第二多孔对称性；其中第一平均孔径大于第二平均孔径
对称

[发明专利]非对称膜-CN201310040428.4有效
发明人：梁雪梅;马克·穆拉;韩宾兵;多纳尔德·西蒙顿;理查德·莫里斯 -专利权人：帕尔公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： B01D71/68 文献下载
摘要：非对称膜，包括：第一非对称多孔区，其包括从第一外表面到本体的第一多孔区增加的第一多孔非对称性；和第二非对称多孔区，包括从第二外表面到本体的第二多孔区增加的第二多孔对称性；其中第一平均孔径大于第二平均孔径
对称

[外观设计]非对称锤头-CN202130607101.6有效
发明人：黄邦颖;张瑜;张建新 -专利权人：温州国新五金工具有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： 08-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：非对称锤头。2.本外观设计产品的用途：本外观设计用于敲打、起钉。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
对称锤头

[外观设计]非对称水槽-CN202230526073.X有效
发明人：徐鹏飞;陈钰钰 -专利权人：索沃(厦门)光伏科技有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： 23-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：非对称水槽。2.本外观设计产品的用途：用于 BIPV 光伏建筑一体化中的非对称水槽，起到排水的作用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
对称水槽

[外观设计]非对称透镜-CN202230682516.4有效
发明人：蒋海国;徐大磊;常黎 -专利权人：深圳市耕创电子有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： 16-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：非对称透镜。2.本外观设计产品的用途：用于显示屏上的非对称透镜。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
对称透镜

[发明专利]非对称膜-CN201980001476.8在审
发明人：河合隆一郎;山本崇史;大野大典;安孙子洋平;冈弘明;末永修也;高田贵文;针生智大 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： B01D71/64 文献下载
摘要：一种非对称膜，其为包含通过交联剂将聚酰亚胺树脂交联而成的交联聚酰亚胺树脂的非对称膜，前述聚酰亚胺树脂具有源自四羧酸二酐的结构单元(A)和源自二胺的结构单元(B)，前述结构单元(A)包含源自式(a‑1)所示的化合物的结构单元
非对称膜聚酰亚胺树脂交联剂交联聚酰亚胺芳香族基团四羧酸二酐脂肪族烃基脂环式烃基树脂单键二胺键合交联羧基

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