专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]离子检测装置-CN201020159695.5有效
  • 船引史正;伊藤智久;浦元嘉弘;花井孝广;田上善郎;漆崎正人;熊谷义三 - 夏普株式会社
  • 2009-08-28 - 2011-03-23 - G01N27/60
  • 一种离子检测装置,具有测量对空气中的离子进行收集的收集电极电位的测量部,基于该测量部所测出的电位来检测离子,其特征在于,上述收集电极与阻抗转换器的非反转输入端子连接,并且具有保护电极,该保护电极围绕上述收集电极,且以电位与上述收集电极电位大致相同的方式与上述阻抗转换器的输出端子连接,由此抑制了被收集电极收集的离子所带有的电荷在绝缘度因灰尘等污垢或周围空气中的湿气而降低的部分传导,移动到保护电极所包围的外侧的情况
  • 离子检测装置
  • [发明专利]功率放大电路-CN202010205037.3有效
  • 寺岛敏和;田中聪;渡边一雄;伊藤真音;榎本纯 - 株式会社村田制作所
  • 2020-03-20 - 2023-10-20 - H03F3/21
  • 本发明包含:第一晶体管,发射极与基准电位电连接,在基极被输入第一偏置电流或电压,并且被输入高频输入信号,集电极与第一电源电位电连接;电容器,一端与第一晶体管的集电极电连接;以及第二晶体管,发射极与电容器的另一端电连接,并且与基准电位电连接,在基极被输入第二偏置电流或电压,集电极与第一电源电位电连接,从集电极输出将高频输入信号放大了的高频输出信号。第二偏置电路包含:第三晶体管,集电极与第二电源电位电连接,在基极被输入第三偏置电流或电压,从发射极输出第二偏置电流或电压。
  • 功率放大电路
  • [发明专利]电子束装置-CN93103626.7在审
  • H·-G·马修斯;W·施明克 - 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司
  • 1993-03-27 - 1993-12-08 - H01J25/78
  • 一种电子束装置,包括阴极(1)、阳极(3)和集电极(4)。阴极产生沿电子束轴线(5)传播的高功率电子束;阳极沿所述轴线设在阴极后面;集电极沿所述轴线设在阳极后面,并由在所述轴线上相继排列的处于较低电位级的若干集电极级(6)构成,用以降低电子束中电子的速度。电位供应电路采用高压直流电源(13),该电源由多个开关级(S1、……、S6)组成,以构成可切换的中压源,其输出端串联连接。集电极级的分级电位由开关级间的相应抽头提供。
  • 电子束装置
  • [发明专利]半导体器件和保护电路-CN200710136607.2有效
  • 高桥幸雄 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2007-07-13 - 2008-01-16 - H01L27/02
  • 在第一PNP型双极性晶体管10A中,其发射极连接到输入/输出端子I/O,其基极连接到高电位电源端子VDD,以及其集电极连接到低电位电源端子VSS。在第二PNP型双极性晶体管10B中,其发射极连接到输入/输出端子I/O,其基极以及集电极连接到高电位电源端子VDD。在第三PNP型双极性晶体管10C中,其发射极连接到低电位电源端子VSS,其基极以及集电极连接到高电位电源端子VDD。
  • 半导体器件保护电路
  • [发明专利]一种极限电流型氧传感器-CN201010261524.8无效
  • 邹杰;简家文 - 宁波大学
  • 2010-08-25 - 2011-01-05 - G01N27/409
  • 本发明公开了一种极限电流型氧传感器,包括电解质层、致密扩散障层、正集电极层和负集电极层,正集电极层设置在电解质层下表面,特点是电解质层和致密扩散障层为同一种材料,均为氧化锆基陶瓷或氧化铈基陶瓷,负集电极层设置在电解质层和致密扩散障层之间,用于分隔电解质层和致密扩散障层,致密扩散障层上表面设置有等电位电极层,等电位电极层和负集电极层由一条导线相连接,优点在于在烧结过程中不会出现陶瓷的开裂、起翘、分离等问题,使用过程中传感器不易开裂,致密扩散障层的密封性好
  • 一种极限电流传感器
  • [发明专利]功率转换装置-CN201580082638.7有效
  • 中嶋幸夫;三木隆义 - 三菱电机株式会社
  • 2015-09-03 - 2020-07-03 - H02M1/00
  • 收纳有一个或多个功率用半导体开关元件的功率用半导体模块(10A)具有:与功率用半导体开关元件的集电极电位连接的集电极主端子(10A1)和集电极辅助端子(10A3);与功率用半导体开关元件的栅极电位连接的栅极辅助端子(10A4);及与功率用半导体开关元件的发射极电位连接的发射极主端子(10A2)和发射极辅助端子(10A5)。功率转换装置具有生成对集电极辅助端子与发射极辅助端子间的电压进行检测而得的分压电压并传送至栅极驱动电路的分压电路基板。分压电路基板电连接至集电极辅助端子和发射极辅助端子来搭载于功率用半导体模块。
  • 功率转换装置
  • [其他]离子检测装置、空调设备以及离子计测器-CN201190000678.X有效
  • 松井裕文 - 夏普株式会社
  • 2011-05-23 - 2014-02-19 - G01N27/62
  • 将捕获收集空气中的离子的捕集电极(9)设置于基板(8)的一面(8a),将计测捕集电极(9)的电位的计测部(11)设置于基板(8)的另一面(8b),为了使计测部(11)的温度上升,在基板8的另一面(8b)在高湿度的环境条件下,在使捕集电极(9)所收集的离子的电荷流过设置于计测部(11)的电流电压转换用的高电阻来计测捕集电极(9)的电位的情况下,通过计测部(11)的温度上升,由此在电流电压转换用电阻的表面所生成的水层蒸发,使相对湿度降低而难以在电阻的表面生成水层,因此,能使漏电(漏出)电流减少而抑制电阻值的降低,能基于捕集电极(9)的电位求出准确的离子量。
  • 离子检测装置空调设备以及离子计
  • [发明专利]热电偶用放大电路以及温度监视系统-CN201210164638.X有效
  • 山口公一 - 三美电机株式会社
  • 2012-05-24 - 2012-11-28 - G01K7/02
  • 所述热电偶用放大电路具有:集电极接地的第一晶体管(Q11),其集电极接地,热电偶的一端的电压提供给基极然后从发射极输出;集电极接地的第二晶体管(Q12),其集电极接地,热电偶的另一端的电压提供给基极然后从发射极输出;基极接地的第三晶体管(Q14),其基极为恒定电位,第一晶体管的输出提供给发射极然后从集电极输出;基极接地的第四晶体管(Q15),其基极为恒定电位,第二晶体管的输出提供给发射极然后从集电极输出;以及运算放大器
  • 热电偶放大电路以及温度监视系统
  • [发明专利]一种三极管开关控制电路-CN201310588783.5无效
  • 周泰武;李文礼;彭应光;万文华 - 桂林机床电器有限公司
  • 2013-11-20 - 2014-02-19 - H03K17/042
  • 本发明涉及一种三极管开关控制电路,包括:第1晶体管,其发射极连接接地电位;第1电阻,其被连接在三极管开关控制电路的输入端与第1晶体管的基极之间;第2电阻,其被连接在第1晶体管的基极与接地电位之间;第4电阻,其被连接在第1晶体管的集电极与直流电源之间;第1电容,其被连接在第1晶体管的基极与第1晶体管的集电极之间;第2晶体管,其发射极与接地电位连接、其基极与第1晶体管的集电极连接;第2晶体管的集电极作为三极管开关控制电路输出端;反馈电路,其被连接在第1晶体管基极与第2晶体管的集电极之间,用于将第2晶体管的集电极的输出信号反馈给第1晶体管的基极。
  • 一种三极管开关控制电路
  • [发明专利]IGBT过压保护电路及方法-CN201510995289.X在审
  • 徐占军;刘振海;罗自永 - 深圳市库马克新技术股份有限公司
  • 2015-12-28 - 2016-03-16 - H02M1/32
  • 本发明提供一种IGBT过压保护电路,包括IGBT、IGBT驱动模块及集电极过压保护模块。集电极过压保护模块用于监测IGBT的集电极的电压,当IGBT导通或关断时间小于预设时间时,集电极过压保护模块的电压基准值设为第一阈值,否则集电极过压保护模块的电压基准值调整为第二阈值,第二阈值大于第一阈值,集电极过压保护模块还在IGBT的集电极的电压大于当前电压基准值时,传输抑制电流使IGBT的基极电位上升以抑制IGBT的集电极电压的上升。
  • igbt保护电路方法

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