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[发明专利]一种带防护集成旁路二极管的太阳电池及其制作方法-CN201910749736.1在审
发明人：李翛然;杨洪东;杨广;沈斌;张闻;何昕煜;肖瑶;郭丽丽;陈超奇 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L31/0443 文献下载
摘要：本发明涉及一种带防护集成旁路二极管的太阳电池及其制作方法，属于太阳电池制造技术领域，更为具体的涉及一种带防护集成旁路二极管的太阳电池，以及一种太阳电池阵包括如上所述太阳电池。对电池本体形成减反射层，增大太阳电池的光吸收效率；对二极管边缘形成边缘保护层，避免二极管边缘静电放电和P/N结边缘漏电，提高二极管可靠性；对二极管隔离槽形成保护层，防止互连片联接时互连片接触隔离槽造成二极管短路
二极管集成旁路二极管太阳电池阵互连片防护太阳电池制造边缘保护层二极管隔离光吸收效率漏电边缘形成电池本体减反射层接触隔离静电放电保护层槽形成短路联接制作

[发明专利]一种半导体光电倍增器件-CN201710197636.3有效
发明人：徐青;李开富;N·达申佐;谢庆国 -专利权人：湖北京邦科技有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型半导体光电倍增器件，包括位于部分SOI衬底之上的外延光电二极管阵列，将每一个光电二极管部分隔离的深槽介质层，与每一个光电二极管串联的高阻电阻，以及用于高阻电阻和光电二极管之间相互互连的金属互连线本发明的有益之处在于，深槽介质层与部分SOI衬底层将每一个光电二极管与其它光电二极管最大幅度的隔离开来，降低了次级光子对临近光电二极管的影响，从而可以显著降低器件的光学串扰，并大幅提升件的单光子分辨能力
光电二极管高阻电阻介质层深槽倍增光电二极管阵列隔离金属互连线新型半导体次级光子分辨能力光学串扰降低器件衬底层单光子提升件互连衬底半导体串联

[实用新型]洗衣机电源继电器控制装置-CN201020227369.3无效
发明人：唐靖 -专利权人：江苏新安电器有限公司
申请日： 2010-06-12 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： D06F33/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种洗衣机电源继电器控制装置，包括第一隔离二极管、耦合电容、第二隔离二极管、滤波电容、第一分压电阻、第二分压电阻以及三极管，其中，所述第一隔离二极管、耦合电容、第二隔离二极管和第一分压电阻依次串联，然后连接所述三极管的基极，所述第二隔离二极管的负极与所述滤波电容的正极相连，所述三极管的基极与所述第二分压电阻的一端相连，所述滤波电容的负极与所述第二分压电阻的另一端连接后接地。
洗衣机电源继电器控制装置

[实用新型]一种氙灯运行装置和氙灯-CN202222047819.6有效
发明人：刘欢;张涛 -专利权人：北京泊菲莱科技有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H05B41/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及电路设计技术领域，具体涉及一种氙灯运行装置和氙灯，其中，氙灯运行装置具有输出隔离模块、电信号检测模块、控制模块、氙灯启动模块和电流桥接模块，输出隔离模块为隔离二极管D1；电流桥接模块与隔离二极管D1并联，电信号检测模块检测氙灯运行时氙灯启动模块的电信号，并将电信号发送给控制模块，当控制模块判断当前的电信号处于氙灯的正常运行范围时，启动电流桥接模块，将隔离二极管D1的电流进行桥接，使隔离二极管D1停止工作进行散热；当前的电信号小于氙灯的正常运行范围时，关闭电流桥接模块，使隔离二极管D1恢复工作状态，从而解决了氙灯电源长期工作时，隔离二极管长时间工作发热严重易故障，且其散热管理要求较高的问题。
一种氙灯运行装置

[发明专利]具有隔离二极管元件的ESD保护电路及其方法-CN200780012308.6有效
发明人：大卫·C·伯德克斯;丹尼尔·J·莱米 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：ESD保护电路(20)包括ESD器件(24)和隔离二极管元件(30)。ESD器件包括漏-源结隔离ESD晶体管(26，28)。隔离二极管元件与ESD器件串联地耦合，并被配置用于向需要ESD保护的晶体管器件(22)提供ESD保护。响应被保护的晶体管器件的栅上的-Vgs条件，被串联地耦合的隔离二极管元件在隔离二极管元件的击穿条件之前阻止ESD晶体管的漏-源结的正向偏置。此外，响应足以引起被保护的晶体管器件损坏的ESD事件，被串联地耦合的隔离二极管元件许可击穿条件的发生。
具有隔离二极管元件 esd 保护电路及其方法

[实用新型]一种直流输出电源防爆隔离电路-CN201620943991.1有效
发明人：胡克海 -专利权人：安徽贺帆电子科技有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直流输出电源防爆隔离电路，包括输入端、电阻、第一稳压二极管、第二稳压二极管、第三稳压二极管、保险丝和输出端，所述输入端与直流电源输出端电性相连，所述输出端外接负载，所述电阻一端通过输入端与直流电源正极电性相连，所述电阻另一端与保险丝一端电性相连，所述保险丝另一端与输出端电性相连，所述第一稳压二极管负极、第二稳压二极管负极和第三稳压二极管负极均与电阻另一端电性相连，所述第一稳压二极管正极、第二稳压二极管正极和第三稳压二极管正极均接本实用新型结构简单，防爆隔离效果好，通过保险丝可有效防止过电流，第一稳压二极管、第二稳压二极管和第三稳压二极管结合，可有效防止过电压。
一种直流输出电源防爆隔离电路

[发明专利]一种带有发光二极管的天线、高频头及遥控器-CN202310685273.3在审
发明人：徐国庆;聂勇 -专利权人：深圳市哈鸣科技有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有发光二极管的天线，包括有基材以及设置于基材上的第一振子、第二振子、发光二极管、第一隔离电路；所述发光二极管的正极通过第一隔离电路连接第一振子，所述发光二极管的负极连接第二振子；一种高频头，包括有天线，所述天线为所述的带有发光二极管的天线；一种遥控器，包括有所述的高频头。其将发光二极管集成于天线上，使得天线具有状态指示功能。
一种带有发光二极管天线高频头遥控器

[发明专利]基于二极管的集成电路抗静电转接板及其制备方法-CN201711352556.7在审
发明人：冉文方 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二极管的集成电路抗静电转接板及其制备方法，该制备方法包括：(a)选取硅基衬底；(b)在所述硅基衬底中二极管、TVS孔及隔离沟槽；(c)在所述TSV孔与所述二极管上表面制作金属互连线以使所述TSV孔与所述二极管相连接(d)去除所述硅基衬底底部部分材料，以在所述硅基衬底底部露出所述TSV孔、所述隔离沟槽及所述二极管；(e)在所述TSV孔与所述二极管下表面制作凸点。本发明提供的基于二极管的集成电路抗静电转接板，通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。
二极管硅基衬抗静电转接板制备集成电路隔离沟槽金属互连线抗静电能力层叠封装上表面下表面去除凸点制作芯片加工

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202310313550.8在审
发明人：黄伟志;蔡双吉;林杏芝;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明的图像传感器包括：第一光电二极管，沿方向设置在第二光电二极管和第三光电二极管之间；第一深沟槽隔离(DTI)部件，设置在第一光电二极管和第二光电二极管之间；以及第二DTI部件，设置在第一光电二极管和第三光电二极管之间第一DTI部件的深度大于第二DTI部件的深度。第二光电二极管的量子效率小于第一光电二极管的量子效率。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]航天器多通道冷热机隔离技术-CN201210326355.0有效
发明人：丁承华;王有波 -专利权人：上海航天控制工程研究所
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了航天器多通道冷热机隔离技术，该隔离技术包括数字信号主备隔离电路和模拟信号主备隔离电路，所述数字信号主备隔离电路包括第一隔离二极管和第二隔离二极管，所述模拟信号主备隔离电路包括第一模拟开关和第二模拟开关由于上述设置，在主机工作时，第二隔离二极管和第二模拟开关断开，而隔离主机和备机，在备机工作时，第一隔离二极管和第一模拟开关断开而隔离主机和备机，所以，能够使得冷热机之间不会互相干扰和串电。
航天器通道热机隔离技术

[发明专利]一种开入量电压转换器-CN200710170451.X有效
发明人：王晓辉;戴顺辉;王琦;刘尧华 -专利权人：上海华建电力设备有限公司
申请日： 2007-11-15 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： G08C19/00 文献下载
摘要：包括电阻、稳压二极管、指示灯、光电隔离器在内的结构，其特征在于：限流电阻与光电隔离器之间串入稳压二极管，另一端二极管与光电隔离器之间设有指示灯，稳压二极管与指示灯与光电隔离器连接处连有分压电阻。使稳压二极管吸收大部分电压，这样当一次DC220V侧出现低于稳压二极管能吸收的电压时，一次就不能构成驱动光电隔离器电流回路，二次就没有干扰产生的干扰信号，达到有效避免或消除干扰的目的。
一种开入量电压转换器

[实用新型]一种开入量电压转换器-CN200720076216.1无效
发明人：王晓辉;戴顺辉;王琦;刘尧华 -专利权人：上海华建电力设备有限公司
申请日： 2007-11-15 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G08C19/00 文献下载
摘要：包括电阻、稳压二极管、指示灯、光电隔离器在内的结构，其特征在于：限流电阻与光电隔离器之间串入稳压二极管，另一端二极管与光电隔离器之间设有指示灯，稳压二极管与指示灯与光电隔离器连接处连有分压电阻。使稳压二极管吸收大部分电压，这样当一次DC220V侧出现低于稳压二极管能吸收的电压时，一次就不能构成驱动光电隔离器电流回路，二次就没有干扰产生的干扰信号，达到有效避免或消除干扰的目的。
一种开入量电压转换器

[实用新型]具有二维金属电极的有电导调制的四极功率半导体器件-CN201520857858.X有效
发明人：左义忠;孙俊波;于博伟;迟永欣 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：具有二维金属电极的有电导调制的四极功率半导体器件，属半导体分离功率器件领域，针对IGBT设计和制造难度大的问题，VDMOSFET器件芯片由多个VDMOSFET原胞并联且依次相接而成，多个二极管设置在多个原胞之间，任意两个原胞之间插入一个二极管，二极管与VDMOSFET共用耐压漂移区，二极管的阴极通过上部绝缘层与VDMOSFET的源极金属隔离，且在源极金属之上并联形成第二层金属电极；二极管的阳极与VDMOSFET的漏极共用；二极管的阴极与源极金属成二维结构，二个金属电极之间通过上部绝缘层隔离，VDMOSFET的栅极多晶与源极金属通过下部绝缘层隔离引出金属栅极，进而形成四电极的场控功率器件。
具有二维金属电极电导调制功率半导体器件

[实用新型]低功耗、高隔离单刀双掷开关电路-CN201220186049.7有效
发明人：邵高强 -专利权人：成都泰格微波技术股份有限公司
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低功耗、高隔离单刀双掷开关电路，它由两个互为对称的串联支路组成，第五PIN二极管D5与匹配电阻R1并联后于第一PIN二极管D1串联，第二PIN二极管D2、第三PIN二极管D3和第四PIN二极管D4依次并联在第一PIN二极管D1的负极与第五PIN二极管D5的正极之间，第二PIN二极管D2、第三PIN二极管D3和第四PIN二极管D4的负极分别接地。本实用新型单刀双掷开关的两个输入端做成吸收式，解决了功分器两个输出端口的匹配问题；增设的并联型PIN二极管，采用一串三并式二极管分布，提高了开关电路的隔离度；此外，本开关电路还具有结构简单、功耗低、使用方便且成本低等特点
功耗隔离单刀开关电路

[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法-CN201710131802.X在审
发明人：林杰;黄海英 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的CMOS图像传感器的制作方法，包括提供前端结构，所述前端结构形成有光电二极管阱区和围绕所述光电二极管阱区的隔离环；在所述隔离环上光电二极管阱区一侧形成栅极，所述栅极位于所述光电二极管阱区和隔离环的交界处；在所述栅极侧壁形成第一侧墙；在所述第一侧墙背离所述栅极的一侧形成第二侧墙；以包括所述第一侧墙和第二侧墙为遮蔽在所述隔离环中形成浮动扩散区。使得栅极的侧墙线宽变大，使得浮动扩散区变小，远离了光电二极管阱区，因此从光电二极管阱区溢出的光电子会被隔离环中和，改善了光电二极管阱区至浮动扩散区之间的漏电流，提升CMOS图像传感器的质量。
光电二极管阱区侧墙隔离环浮动扩散区前端结构制作栅极侧壁交界处漏电流光电子变小线宽遮蔽溢出背离中和隔离