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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910988356.3在审
发明人：王士京;何其暘;卑多慧;杨明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成具有露出基底的开口的有机层；在开口中形成阻断结构材料层，包括保形覆盖开口侧壁以及开口底部，开口侧壁上的第一阻断层围成缝隙，阻断结构材料层还包括位于缝隙中的第二阻断层，第二阻断层的耐刻蚀度大于第一阻断层的耐刻蚀度；去除第二阻断层以及覆盖第二阻断层侧壁的第一阻断层，剩余的第一阻断层作为阻断结构。第二阻断层提高了阻断结构材料层的中间区域的耐刻蚀度，在形成阻断结构的过程中，阻断结构材料层的中间区域不易被过快去除，提高了阻断结构的顶面平坦度，因此阻断结构在后续过程中能起到更好的掩膜作用。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种应用太阳能毛细管顶板辐射采暖系统的3层热隔断屋顶-CN201610159688.7有效
发明人：吴金顺;潘嵩;张维亚;魏鋆;刘光军;潘天泉;晋浩;崔晓月 -专利权人：华北科技学院
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： E04B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用太阳能毛细管顶板辐射采暖系统的3层热隔断屋顶，包括辐射阻断层、对流阻断层、传导阻断层和太阳能毛细管；所述传导阻断层、对流阻断层和辐射阻断层从上到下依次设置，将所述太阳能毛细管设置在所述辐射阻断层下方本发明通过在太阳能毛细管上方依次设置辐射阻断层、对流阻断层和传导阻断层，即3层热隔断设计，使房间热舒适性温度达到了21℃，而没有采用3层热隔断设计的对比系统，房间温度仅仅达到了15℃，充分体现了应用太阳能毛细管顶板辐射采暖系统的
一种应用太阳能毛细管顶板辐射采暖系统隔断屋顶

[实用新型]一种应用太阳能毛细管顶板辐射采暖系统的3L热隔断屋顶-CN201620215369.9有效
发明人：吴金顺;潘嵩;张维亚;魏鋆;刘光军;潘天泉;晋浩;崔晓月 -专利权人：华北科技学院
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： E04B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用太阳能毛细管顶板辐射采暖系统的3L热隔断屋顶，包括辐射阻断层、对流阻断层、传导阻断层和太阳能毛细管；所述传导阻断层、对流阻断层和辐射阻断层从上到下依次设置，将所述太阳能毛细管设置在所述辐射阻断层下方本实用新型通过在太阳能毛细管上方依次设置辐射阻断层、对流阻断层和传导阻断层，即3L热隔断设计，使房间热舒适性温度达到了21℃，而没有采用3L热隔断设计的对比系统，房间温度仅仅达到了15℃，充分体现了应用太阳能毛细管顶板辐射采暖系统的
一种应用太阳能毛细管顶板辐射采暖系统隔断屋顶

[发明专利]超结器件及其制造方法-CN202111623601.4在审
发明人：肖胜安;曾大杰 -专利权人：上海鼎阳通半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件，包括至少两层以上的沟槽填充式PN子柱，超结结构的至少部分区域中具有阻断层；在具有阻断层的区域中，阻断层的上下两层PN子柱之间形成有第一导电类型的第三外延子层；阻断层位于上下两层的第二导电类型子柱之间；各层第二导电类型子柱和阻断层叠加形成具有阻断层的第二导电类型柱；具有阻断层的第二导电类型柱中至少包括一层阻断层；位于阻断层之上的各层PN子柱的击穿电压为第一电压；阻断层完全耗尽的电压为第二电压；阻断层的工艺结构根据满足使第二电压小于第一电压的要求进行设置
器件及其制造方法

[实用新型]屋顶花园滤水阻断板-CN03246263.8无效
发明人：王耀甫 -专利权人：王耀甫
申请日： 2003-07-30 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： E04D13/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种屋顶花园滤水阻断板，它包括一个密布微孔的滤水阻断层，滤水阻断层上开有若干根系阻断孔。在滤水阻断层下面设有支撑脚。所述的根系阻断孔上口设有飞刃。在滤水阻断层的四周设有刃角。由于本实用新型的滤水阻断层上开有根系阻断孔，在植物根系向下生长时，根系阻断孔会将根系切断，从而阻止了植物根系损坏屋顶而使屋顶防水性能降低。由于滤水阻断层内密布微孔，因此它还可以储存一定量的雨水，等天气干旱时这些雨水可反供至植物根系，避免由于天气过于干旱对植物生长造成太大影响。密布微孔的滤水阻断层还可起到防止土肥流失的作用。
屋顶花园阻断

[发明专利]场阻断型半导体器件的制造方法和器件结构-CN201210004105.5有效
发明人：肖胜安 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种场阻断型半导体器件的制造方法，本发明方法通过在硅片的背面形成沟槽，能使场阻断层分割成深度小于等于激光退火能达到的第一有效深度的第一场阻断层、以及横向宽度小于等于2倍的第一有效深度的第二场阻断层，从而能对场阻断层进行三维方向的激光退火；由于是激光退火，故能提高场阻断层激活率；虽然激光退火的第一有效深度只有1微米～2微米，但是采用本发明方法后，场阻断层的厚度不受激光退火的第一有效深度的限制，所以能提高场阻断层的深度本发明还公开了一种场阻断型半导体器件的器件结构。
阻断半导体器件制造方法器件结构

[实用新型]一种漂染设备的热能流失阻断层-CN201620491759.9有效
发明人：邱煌乐;万小羊 -专利权人：石狮市新祥华染整发展有限公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： D06B23/00 文献下载
摘要：一种漂染设备的热能流失阻断层，由漂染设备外壳体、热能阻断层和保护层构成，漂染设备外壳体为金属材料壳体，热能阻断层为片状的高效无机保温棉并附着在漂染设备外壳体的外层表面，保护层由金属薄板制作并裹覆在热能阻断层的外表面，热能阻断层的端头有保护层折边。
一种漂染设备热能流失阻断

[发明专利]显示面板的制作方法及显示面板-CN202210749120.6在审
发明人：周康钰;邓永 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种显示面板的制作方法及显示面板，包括在基板上形成光阻层，光阻层包括开槽；在光阻层上形成阻断层；以及在阻断层上形成有源层，有源层包括位于开槽内的有源图案和位于阻断层上的断开部分，断开部分与有源图案断开通过在基板上形成具有开槽和阻挡部的光阻层，并对阻挡部进行处理以形成阻断层，使得有源层在形成时，位于阻断层上的有源层无法完全覆盖阻断层，剥离液能够将阻断层及光阻层剥离，进而将阻断层上的有源层一起剥离，进而在不利用草酸等酸性溶液的情况下完成有源层的图案化
显示面板制作方法

[发明专利]超结器件及其制造方法-CN202111623594.8在审
发明人：肖胜安;曾大杰 -专利权人：上海鼎阳通半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件，包括至少两层以上的沟槽填充式PN子柱，超结结构的至少部分区域中具有阻断层；在具有阻断层的区域中，阻断层的上下两层PN子柱之间形成有第一导电类型的第三外延子层；阻断层位于上下两层的第二导电类型子柱之间；具有阻断层的第二导电类型柱中至少包括一层阻断层；位于阻断层之上的各层PN子柱的击穿电压为第一电压；阻断层完全耗尽的电压为第二电压；第二电压小于第一电压；上下两层第一导电类型子柱的第三外延子层组成连接层
器件及其制造方法

[发明专利]二次电池用集电体及使用其的二次电池-CN201080015740.2有效
发明人：松山千鹤;田中康行;本田崇;井深重夫;新田芳明;市川聪;加世田学;久保田智也;齐藤治之;岛本敬介;佐藤加奈;加藤行成;堀江英明 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01M4/66 文献下载
摘要：本发明的二次电池用集电体(1)具备：具有导电性的树脂层(2)、和配置于所述树脂层(2)的表面的离子阻断层(3)。而且，所述离子阻断层(3)包含在含金属颗粒(4)的表面存在金属化合物(5)的离子捕捉颗粒(6)。进而，从所述树脂层(2)和离子阻断层(3)的界面(7)朝向所述离子阻断层(3)的表面(3a)连续地存在所述离子捕捉颗粒(6)。由此，离子阻断层(3)抑制离子的侵入，可以减少集电体(1)的内部的离子吸藏。
二次电池用集电体使用

[实用新型]一种过滤器材用海绵-CN201720575906.5有效
发明人：郭祥辉;张志华;李建玉;付小涛;刘荣华 -专利权人：锐德海绵（浙江）有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： B01D39/14 文献下载
摘要：固定压框环绕固定在海绵的边缘，所述固定压框包括有前框和后框，前框和后框之间连接有穿接杆，固定框的内圈的表面为嵌槽，海绵的边缘设置在嵌槽中，穿接杆横贯嵌槽并且穿透海绵，海绵为多层结构，从过滤流体的流向依次为大颗粒吸收层、第一阻断层、小颗粒吸收层、第二阻断层以及强度层，所有的海绵层紧密接触，排出所有间隙后熔接，所述大颗粒吸收层的孔隙大于小颗粒吸收层的孔隙，第一阻断层和第二阻断层都为高密度小孔海绵层，并且第二阻断层的孔小于第一阻断层的孔，覆盖住第二阻断层的表面海绵中，过滤的效果好，效率高，不易堵塞，同时结构紧凑，更换方便。
一种过滤器材海绵

[发明专利]一种控制酱香型白酒己酸乙酯含量的生产方法-CN202010649601.0在审
发明人：沈毅;刘静;陈波;王会;何利;廖永红;邓涛 -专利权人：四川郎酒股份有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C12G3/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制酱香型白酒己酸乙酯含量的生产方法，包括发酵糟醅层、阻断层、窖底泥层；所述阻断层设置在窖底泥层和发酵糟醅层之间，将阻断层均匀铺垫在窖池底部，然后将发酵糟醅敷设在阻断层上，用窖泥进行封顶发酵；所述阻断层为稻壳层、保窖糟层；本发明在使用隔断层(保窖糟)后，发酵糟醅层未直接与窖泥接触，而是采用保窖糟直接与窖泥发酵接触，并且设置有稻壳进行隔绝，使发酵糟醅层中的产生己酸乙酯大幅降低，并且产生的己酸乙酯含量更加稳定
一种控制香型白酒己酸含量生产方法

[发明专利]防爆防激光窃听的防护膜及其制备方法-CN202110834342.3在审
发明人：颜徐州;吴善武;仲从磊 -专利权人：三千新材料（苏州）有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种防爆防激光窃听的防护膜及其制备方法，防护膜包括防刮层、防爆和激光阻断层、防紫外压敏背胶层、离型膜，所述防爆和激光阻断层与防刮层、防紫外压敏背胶层之间均设有基材层，所述防爆和激光阻断层为防爆层、基材层、激光阻断层的三层结构或防爆激光阻断复合层的单层结构。本发明防护膜同时具备防爆和防激光窃听效果，通过在防爆层使用含有多重氢键的超分子聚合物，实现吸收破坏性能量的“吸能式”的防爆功能，通过设置添加有红外阻断剂的激光阻断层或者将红外阻断剂添加到防爆层材料中涂布实现红外激光窃听防护功能
防爆激光窃听防护及其制备方法

[发明专利]超结器件及其制造方法-CN202111626022.5在审
发明人：肖胜安;曾大杰 -专利权人：上海鼎阳通半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件，包括至少两层以上的沟槽填充式PN子柱，超结结构的至少部分区域中具有阻断层；在具有阻断层的区域中，阻断层位于相邻的上下两层P型子柱的所述第二导电类型子柱之间，阻断层由上层沟槽为自对准条件在下层PN子柱的第二导电类型柱的顶部形成的第一导电类型离子注入区组成；位于阻断层之上的各层PN子柱的击穿电压为第一电压；阻断层完全耗尽的电压为第二电压；第二电压小于第一电压。
器件及其制造方法

[发明专利]遮光膜、遮光膜的制造方法、光学元件、固体摄像元件、前照灯单元-CN201980050527.6在审
发明人：大谷贵洋 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明的遮光膜具备含有黑色色材的黑色层和形成于黑色层上的氧阻断层，氧阻断层是由无机材料构成的单层，氧阻断层的厚度为10～500nm。遮光膜的制造方法具备：将含有黑色色材、树脂、聚合性化合物及聚合引发剂的遮光性组合物涂布于支承体上，并对所获得的涂膜进行固化来形成黑色层的工序；及在黑色层上形成氧阻断层的工序。
遮光制造方法光学元件固体摄像前照灯单元

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