专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种扩香装置-CN201922191784.1有效
  • 袁应祥;柏忠凡;张传凤;王媛丽 - 南京怡觉工业设计有限公司
  • 2019-12-10 - 2020-09-18 - A61L9/12
  • 本实用新型公开了一种扩香装置,旨在提供一种能够更换不同种类香味的优点,其技术方案要点是,一种扩香装置,包括壳体,壳体上设有出香孔,壳体内设有圆槽,圆槽内设有第一储孔、第二储孔、第三储孔及第四储孔,第一储孔、第二储孔、第三储孔及第四储孔内分别设有香水瓶,圆槽内转动连接有转动盘,转动盘上分别设有第一阻挡孔、第二阻挡孔、第三阻挡孔及第四阻挡孔,第一阻挡孔、第二阻挡孔、第三阻挡孔及第四阻挡孔分别与第一储孔、第二储孔、第三储孔及第四储孔相对应,且第一阻挡孔、第二阻挡孔与第三阻挡孔上分别设有阻挡杆,壳体内设有用于驱动转动盘转的驱动件。
  • 一种装置
  • [发明专利]一种巷道阻挡自动移库方法以及使用该方法的移库系统-CN201910178613.7有效
  • 陈嘉俊 - 广东赛斐迩物流科技有限公司
  • 2019-03-11 - 2021-05-07 - B65G1/04
  • 本申请公开了一种巷道阻挡自动移库方法以及使用该方法的移库系统,巷道阻挡自动移库方法包括:获取存储在目标巷道中的目标货物的库位信息;判断目标货物的出库方向上是否存在阻挡,其中,阻挡与目标货物储存于目标巷道中并且阻挡位于目标巷道的出口方向上;若存在,判断其他巷道中是否存在与阻挡数量相匹配的空库位,其中,其他巷道为除目标巷道外的其余的巷道;若存在,将所有的阻挡依次移送到其他巷道的空库位中;当目标货物完成出库后,将所有的阻挡移回到原目标巷道的原库位上本申请通过设置多个步骤,使得仓库在出库过程中遇到阻挡时能自动将阻挡移出并进行出库,提高了仓库出库的效率。
  • 一种巷道阻挡自动方法以及使用系统
  • [发明专利]气体扩散器和安全气囊-CN202111156434.7在审
  • 徐垚;靳恩伟;张旻轩;梁龙;陈云飞 - 奥托立夫开发公司
  • 2021-09-29 - 2023-03-31 - B60R21/26
  • 本发明公开了一种气体扩散器,包括气体发生器安装部、第一颗粒阻挡部、第二颗粒阻挡部、气体发生器接口、气囊充气口和泄气口;所述气体发生器接口开设在所述气体发生器安装部上,所述气体发生器接口用于安装气体发生器,所述气体发生器安装部的相对两侧分别连接所述第一颗粒阻挡部和所述第二颗粒阻挡部;所述第一颗粒阻挡部与所述第二颗粒阻挡部缝纫后,包围在所述气体发生器的喷气口的四周,所述第一颗粒阻挡部与所述第二颗粒阻挡部之间形成有所述气囊充气口,所述第一颗粒阻挡部与所述第二颗粒阻挡部的底部形成有所述泄气口。本发明能够满足较好的颗粒阻挡效果和便于气垫快速展开。
  • 气体扩散器安全气囊
  • [实用新型]一种新型茶碗-CN202221488087.8有效
  • 何赋森;刘文伟 - 德化县华德工艺品厂
  • 2022-06-15 - 2022-10-21 - A47G19/22
  • 本实用新型公开了一种新型茶碗,属于茶具技术领域,包括碗体,还包括条状阻挡,所述条状阻挡与所述碗体之间为一体成形结构,所述碗体的内壁周侧均匀设有若干条状阻挡,所述条状阻挡呈圆形排列,相邻所述条状阻挡之间构成通水孔,所述条状阻挡的上端部设有阶梯式的盖位;本实用新型结构简单,能够在泡茶时阻挡茶叶倒出,茶水能够从所述通水孔中流出,且便于用毛刷清洗;解决了现有带过滤功能的茶碗不便于清洗的问题。
  • 一种新型茶碗
  • [发明专利]氮化半导体元件-CN200510125404.4有效
  • 小崎德也 - 日亚化学工业株式会社
  • 2001-07-06 - 2006-06-21 - H01L33/00
  • 本发明提供一种氮化半导体元件,具有以p型氮化半导体层和n型氮化半导体层夹着具有由包含In的氮化半导体构成的井层和由氮化半导体构成的阻挡层的量子井结构的活性层的结构,其特征在于:所述活性层作为所述阻挡层,具有配置在最接近所述p型氮化半导体层的位置上的第一阻挡和与该第一阻挡层不同的第二阻挡层,并且,所述第一阻挡层实质上不包含n型杂质,所述第二阻挡层包含n型杂质,所述第一阻挡层的膜厚比所述第二阻挡层的膜厚大
  • 氮化物半导体元件

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