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[发明专利]闪存芯片-CN201810872152.9在审
发明人：王绍迪;郭昕婕 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存芯片，涉及闪存技术领域，可以在闪存芯片中直接进行计算和数据存储，从而分担了处理器的工作，进而提高了整体计算体系结构的性能。闪存芯片包括：闪存阵列模块，由多个阈值电压可调的可编程半导体器件组成，用于在计算模式下对接收的模拟数据进行计算，在编程模式下进行数据编程；模式控制器，用于根据待处理数据控制闪存阵列模块的工作模式；编程电路模块，用于在模式控制器的控制下调控可编程半导体器件的阈值电压；计算控制模块，用于在模式控制器的控制下控制闪存阵列模块进行计算。
闪存芯片闪存阵列模块模式控制器可编程半导体器件阈值电压计算控制模块待处理数据编程电路编程模式工作模式计算模式模拟数据闪存技术数据编程数据存储体系结构整体计算可调的处理器分担调控

[实用新型]闪存芯片-CN201821242491.0有效
发明人：王绍迪;郭昕婕 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种闪存芯片，涉及闪存技术领域，可以在闪存芯片中直接进行计算和数据存储，从而分担了处理器的工作，进而提高了整体计算体系结构的性能。闪存芯片包括：闪存阵列模块，由多个阈值电压可调的可编程半导体器件组成，用于在计算模式下对接收的模拟数据进行计算，在编程模式下进行数据编程；模式控制器，用于根据待处理数据控制闪存阵列模块的工作模式；编程电路模块，用于在模式控制器的控制下调控可编程半导体器件的阈值电压；计算控制模块，用于在模式控制器的控制下控制闪存阵列模块进行计算。
闪存芯片闪存阵列模块模式控制器可编程半导体器件阈值电压计算控制模块本实用新型待处理数据编程电路编程模式工作模式计算模式模拟数据闪存技术数据编程数据存储体系结构整体计算可调的处理器分担调控

[发明专利]闪存芯片存储配置方法以及闪存芯片存储配置装置-CN200910249545.5有效
发明人：孔凡清;张中博;丁华 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存芯片存储配置方法和存储配置装置，其中该方法包括：预先存储多个闪存芯片存储配置方案，并建立所述闪存芯片存储配置方案与闪存芯片的芯片信息之间的对应关系；对一待配置的闪存芯片的芯片信息进行识别；从所存储的多个闪存芯片存储配置方案中选择与所识别的芯片信息相对应的闪存芯片存储配置方案；以及根据所选择的闪存芯片存储配置方案对所述待配置的闪存芯片的存储配置参数值进行设置。
闪存芯片存储配置方法以及装置

[发明专利]一种不同封装闪存芯片在线测试和分类方法及测试系统-CN201810503034.0有效
发明人：刘政林;王志强;李四林 -专利权人：置富科技（深圳）股份有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种不同封装闪存芯片在线测试和分类方法及测试系统，该方法包括将测试芯片与测试系统连接，以块为单位选择该测试芯片所要测试的块，并根据闪存芯片的封装不同，选择相应的测试图形测试闪存芯片物理量信息，并将测试数据实时保存；利用寿命预测算法，根据闪存芯片物理量信息预测闪存芯片的剩余寿命；对所述闪存芯片物理量信息进行处理获得进阶数据；根据闪存芯片物理量信息、剩余寿命、进阶数据，单独或者组合判断筛选闪存芯片，对闪存芯片进行分类。通过本发明，针对不同类型的闪存芯片，采用相应测试图形(pattern)进行测试，实现对不同封装、不同型号的闪存芯片的测试；且通过对闪存芯片存储块进行分级，根据存储块的分级实现对闪存芯片的分级，获得更准确，更贴合实际数据的闪存芯片分类方法。
一种不同封装闪存芯片在线测试分类方法系统

[发明专利]闪存芯片可靠性等级预测方法、装置及存储介质-CN202110066138.1在审
发明人：陈卓;张浩明;潘玉茜;刘政林 -专利权人：置富科技（深圳）股份有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存芯片可靠性等级预测方法、装置及存储介质。其中方法包括：对待预测闪存芯片进行闪存操作，并在闪存操作过程中采集待预测闪存芯片的至少一种特征量；对待预测闪存芯片的至少一种特征量进行运算操作，得到待预测闪存芯片的特征运算值，依据待预测闪存芯片的特征量和待预测闪存芯片的特征运算值，建构待预测闪存芯片的数据集合；将待预测闪存芯片的数据集合中的第一子集输入到第一闪存可靠性等级预测模型的优化程序中，并对第一闪存可靠性等级预测模型进行参数调整，得到第二闪存可靠性等级预测模型；将待预测闪存芯片数据集合中的第二子集输入到第二闪存可靠性等级预测模型中，得到待预测闪存芯片的可靠性等级的第一预测结果。上述方法可以提高闪存芯片可靠性等级的预测准确度。
闪存芯片可靠性等级预测方法装置存储介质

[实用新型]一种薄尺寸安全加密卡类封装结构-CN202220214938.3有效
发明人：韩磊磊 -专利权人：太极半导体（苏州）有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种薄尺寸安全加密卡类封装结构，包含基板、元器件、控制芯片、闪存芯片和安全芯片；所述元器件、控制芯片和闪存芯片粘贴在基板上，控制芯片与闪存芯片相邻，安全芯片粘贴在闪存芯片上；所述控制芯片、闪存芯片和安全芯片通过金线键合与基板电连接，元器件、控制芯片、闪存芯片和安全芯片通过树脂塑封在基板上；本方案将控制芯片和闪存芯片相邻放置，可以通过对闪存芯片的堆叠实现存储容量的增加；由于封装空间的限制，把安全芯片堆叠在闪存芯片的上方，实现完整的堆叠，从而有效利用封装空间，使得高集成密度且大尺寸的芯片顺利的完成封装。
一种尺寸安全加密封装结构

[发明专利]一种扫描闪存盘的闪存芯片的方法-CN200410071004.5有效
发明人：熊国平 -专利权人：深圳市朗科科技有限公司
申请日： 2004-07-26 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种扫描闪存盘的闪存芯片的方法，用以克服现有技术中用户对闪存芯片进行低级格式化非常不方便的问题，所述闪存盘包括控制芯片、闪存芯片，所述扫描闪存芯片的方法包括：1)所述控制芯片判断所述闪存芯片是否已经低级格式化；2)如果判断所述闪存芯片未进行过低级格式化，则所述控制芯片判断所述闪存芯片的所有物理块是否可用，并对不可用的物理块进行标记；3)所述控制芯片对所述闪存芯片设置已进行了低级格式化的标记。采用本发明的方法，用户更换闪存芯片后，由闪存盘中的控制芯片中的固件自动进行格式化操作。此后用户可以直接使用新的闪存盘，整个过程不需要用户使用任何其他软件，极大地方便了用户。
一种扫描闪存盘闪存芯片方法

[发明专利]一种多通道闪存存储系统-CN201810609063.5在审
发明人：谭世伟;房永昌;范志超;于建彬 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多通道闪存存储系统，包括：多个FPGA芯片、用于对FPGA芯片提供的主控接口和地址进行信号处理的DSP芯片、多个内存芯片组、数据总线、控制总线、片选信号线；闪存芯片组包括多个闪存芯片，同一闪存芯片组中的闪存芯片通过公用的数据总线和控制总线与单一的FPGA芯片连接；所有闪存芯片组中的闪存芯片通过独立的片选信号线与FPGA芯片连接；多个FPGA芯片分别与DSP芯片连接；提高了闪存存储系统的传输速率和整体的吞吐量。
闪存芯片组闪存芯片多通道闪存片选信号线存储系统控制总线数据总线闪存存储系统内存芯片组信号处理主控接口公用的速率和吞吐量传输

[实用新型]一种硅通孔倒装芯片与引线键合芯片的集成封装结构-CN202320046805.4有效
发明人：俞晨彬;张军军;华毅 -专利权人：太极半导体（苏州）有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅通孔倒装芯片与引线键合芯片的集成封装结构，包含基板、闪存芯片和主控芯片；所述基板上设置有U形通孔，U形通孔的两端各设置有一颗闪存芯片，闪存芯片倒装在基板上，闪存芯片上具有芯片硅通孔，两个闪存芯片的芯片硅通孔分别与U形通孔的两端配合；U形通孔两端的闪存芯片的顶面齐平，主控芯片通过粘结薄膜粘贴在U形通孔两端的闪存芯片上；本方案将闪存芯片倒装在基板上，并配合硅通孔技术，可以提高闪存容量；并将主控芯片粘贴在闪存芯片上，用引线键合技术与基板连接，使主控芯片与闪存芯片封装在一个结构内，降低成本，并且整体不容易被模仿复制电路设计，保密效果更好。
一种硅通孔倒装芯片引线集成封装结构

[发明专利]一种闪存控制芯片-CN201510718337.0有效
发明人：王玉明;李华伟 -专利权人：深圳芯邦科技股份有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存控制芯片，包括辅助升压电路模块，辅助升压电路模块，用于根据闪存控制芯片的使用时长调整确定需要提供给所述闪存控制芯片的目标电压值，并根据所述目标电压值使用自身输出电压为闪存控制芯片升压，为闪存控制芯片增加了辅助升压电路，防止闪存控制芯片内部的升压电路失效导致闪存控制芯片失效，增加了闪存控制芯片的使用寿命。
一种闪存控制芯片

[实用新型]一种芯片系统及电子设备-CN202223603396.8有效
发明人：何向阳;郑立科;吴中夏 -专利权人：恒玄科技（北京）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：本申请提出了一种芯片系统及电子设备，该芯片系统包括主控芯片和WLCSP封装芯片，其中，所述主控芯片与所述WLCSP封装芯片连接，所述主控芯片内部封装有至少一颗闪存芯片，所述WLCSP封装芯片底部封装有闪存控制器，所述闪存芯片与所述闪存控制器连接。本申请通过主控芯片提供闪存芯片，无需增加外置闪存，节省外置闪存所需的电源走线以及在PCB上占用的空间，避免量产时可能会增加生产的不良率的情况。
一种芯片系统电子设备

[发明专利]提高闪存芯片写入速度的方法、闪存存储系统及其控制器-CN201210322819.0无效
发明人：张彤;邹粤林 -专利权人：邹粤林
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高闪存芯片写入速度的方法，其中每一闪存芯片封装体内设有闪存芯片和加热芯片，且每一闪存芯片具有多个存储单元，该方法包括：在编程/擦除闪存芯片的存储单元之后检测所述存储单元的噪音容限；当所述闪存芯片的存储单元的噪音容限过差以致无法保证当前的数据写入速度时，启动所述闪存芯片封装体内的加热芯片以对所述闪存芯片进行修复。本发明还公开了一种闪存存储系统及其控制器。采用本发明实施例，能够有效地利用闪存芯片存储单元的自恢复特性而提高数据写入速度，且实现过程简单、易行。
提高闪存芯片写入速度方法存储系统及其控制器

[发明专利]一种闪存芯片可靠性检测的检测方法及检测装置-CN202010808124.8在审
发明人：吴耀虎;黄衍军;吴大畏;李晓强;韩国军 -专利权人：深圳市得一微电子有限责任公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G06F11/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种闪存芯片可靠性检测的检测方法及检测装置，属于固态存储检测技术领域，其包括以下步骤：将闪存芯片安装到测试架中；使用MPTool烧录RDT代码到闪存芯片中；将成功烧录RDT代码的闪存芯片连同测试架一起插到高温箱中的供电接口上；给SATA供电接口通电，使得SATA芯片的BOOT从闪存芯片中加载RDT代码到SATA芯片的RAM中；SATA芯片加载完成后开始进入RDT脱机扫描流程；SATA芯片对闪存芯片进行扫描，找出闪存芯片中的坏块并生成坏块信息；SATA芯片通过分析坏块信息来计算出闪存芯片的颗粒品质并对闪存芯片颗粒品质等级进行划分；SATA芯片通过驱动提示单元提示对应的闪存芯片颗粒品质等级。
一种闪存芯片可靠性检测方法装置

[发明专利]存储卡及电子设备-CN202011056042.9在审
发明人：赖振楠 -专利权人：深圳宏芯宇电子股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储卡及电子设备，所述存储卡包括闪存控制芯片、AI芯片和快闪存储芯片组，所述闪存控制芯片、AI芯片及快闪存储芯片组封装在同一基体内，且所述基体上具有多个外接引脚；所述闪存控制芯片，用于在来自所述外接引脚的输入数据包括AI扩展指令时，将所述输入数据中的待存储的原始数据发送到所述AI芯片，并将来自所述AI芯片的标签数据存储到所述快闪存储芯片组；所述AI芯片，用于使用预设算法将来自所述闪存控制芯片的所述原始数据转换为标签数据，并将所述标签数据储发送到所述闪存控制芯片，由所述闪存控制芯片将所述标签数据存储到快闪存储芯片组。本发明可在不占用主机资源的基础上提高快闪存储芯片组的存储空间利用率。
存储电子设备

[发明专利]基于动态神经网络的闪存可靠性等级在线预测方法和装置-CN202110066133.9在审
发明人：齐明阳;潘玉茜;张浩明;刘政林 -专利权人：置富科技（深圳）股份有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：其中方法包括：对待预测闪存芯片进行闪存操作，并在闪存操作过程中采集待预测闪存芯片的至少一种特征量；对待预测闪存芯片的至少一种特征量进行运算操作，得到待预测闪存芯片的特征运算值，依据待预测闪存芯片的特征量和待预测闪存芯片的特征运算值，建构待预测闪存芯片的数据集合；将待预测闪存芯片的数据集合中的第一子集作为动态神经网络的输入，运行动态神经网络，得到第一闪存可靠性等级预测模型，并通过第一闪存可靠性等级预测模型得到初始可靠性等级预测结果；根据初始可靠性等级预测结果和待预测闪存芯片的实际可靠性等级测试结果，优化第一闪存可靠性等级预测模型的模型参数，得到第二闪存可靠性等级预测模型；将待预测闪存芯片数据集合中的第二子集输入到第二闪存可靠性等级预测模型中，得到待预测闪存芯片的可靠性等级的预测结果。上述方法可以提高闪存芯片可靠性等级的预测准确度和灵活度。
基于动态神经网络闪存可靠性等级在线预测方法装置

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