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[发明专利]具有导电功能的镧锶锰氧陶瓷薄膜及其制备方法、液流电池钛基镧锶锰氧陶瓷电极-CN201810138418.7有效
发明人：刘政;蒋百铃;李远发 -专利权人：浩发环保科技（深圳）有限公司
申请日： 2018-02-10 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有导电功能的镧锶锰氧陶瓷薄膜及其制备方法、液流电池钛基镧锶锰氧陶瓷电极；制备方法包括：(1)以含镧盐、锶盐和锰盐的混合溶胶为前驱体溶胶，采用浸渍提拉法在基体表面成型凝胶湿膜；(2)干燥凝胶湿膜，得到凝胶干膜；(3)将凝胶干膜进行结晶预处理，至凝胶干膜转变为镧锶锰氧薄膜；(4)最后进行结晶热处理，得到镧锶锰氧陶瓷薄膜。液流电池钛基镧锶锰氧陶瓷电极包括钛基体及其表面的镧锶锰氧陶瓷薄膜。
具有导电功能镧锶锰氧陶瓷薄膜及其制备方法流电池钛基镧锶锰氧电极

[发明专利]一种铌或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体及其制备方法及应用-CN201510329631.2有效
发明人：王俊;张柏宇;新巴雅尔;李艳;郭峰;马文 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体及其制备方法及应用，其制备方法包括：如下步骤：(1)配制溶液A；(2)配制溶液B；(3)溶液A与溶液B混合制得溶液C；(4)溶液C中加碱制得前驱体溶液D；(5)前驱体溶液D反应干燥制得固体产物；(6)制得铌掺杂钛酸锶纳米粉体或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体。用铌或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体制备铌或铌镧掺杂钛酸锶热电陶瓷片的方法。本发明的优点：本发明采用水热法首次成功制备出纳米级铌掺杂钛酸锶粉体和铌镧掺杂钛酸锶粉体，掺杂浓度达到30％，并研究了其热电性能，得到目前在钛酸锶基热电陶瓷中最高的热电性能。
一种掺杂钛酸锶纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结及其制备方法-CN201910022200.X有效
发明人：陈明敬;宁兴坤;方立德;孟庆刚;王江龙;王淑芳;李小亭 -专利权人：河北大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结及其制备方法，所述钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结的厚度为30~60 nm，其包括钌酸锶薄膜和镧锶锰氧薄膜，所述镧锶锰氧薄膜中各成分的摩尔比La∶Sr∶Mn∶O=1‑x∶x∶1∶3，0≤x≤1；所述钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结是采用脉冲激光沉积法制得的。本发明钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结的制备工艺简单，生产成本低，通过改变镧锶锰氧薄膜中Sr元素的掺杂含量可精确有效调控钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结的横向、纵向交换偏置方向和数值，应用前景广阔
一种钌酸锶镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结及其制备方法

[发明专利]一种氧化铝基陶瓷和一种陶瓷散热基板及其制备方法-CN201110134245.X有效
发明人：徐斌;向其军 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2011-05-24 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化铝基陶瓷，所述氧化铝基陶瓷中含有100重量份的氧化铝，10-20重量份的锰酸锶镧和5-50重量份的烧结助剂；锰酸锶镧的化学式为LaxSr1-xMnO3，其中x=0.15-0.20。本发明还提供了一种采用所述氧化铝基陶瓷的陶瓷散热基板及其制备方法。本发明的氧化铝基陶瓷具有良好的散热效果，使得采用该氧化铝基陶瓷的陶瓷散热基板具有良好的散热性能。
一种氧化铝陶瓷散热及其制备方法

[发明专利]氧化镧掺杂铌酸锶钡基玻璃陶瓷储能材料及其制备方法-CN201610033558.9有效
发明人：沈波;修绍梅;肖石;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C03C10/14 文献下载
摘要：本发明涉及氧化镧掺杂铌酸锶钡基玻璃陶瓷储能材料及其制备方法，按20BaCO₃‑20SrCO₃‑20Nb₂O₅‑33.5SiO>2O₃(0≤x≤3)摩尔比进行配料，经滚磨混料后，烘干，再进行高温熔化，并将高温熔体快速浇注至铜模具中成型，在一定温度去应力退火，切割成玻璃薄片后受控析晶，制得氧化镧掺杂铌酸锶钡基玻璃陶瓷储能材料这种氧化镧掺杂铌酸锶钡基玻璃陶瓷储能材料与同类材料相比机械加工性能优良，可以机械打磨加工成80μm厚度以下的薄片，便于后续小型化器件的加工，且这种玻璃陶瓷储能材料具有优异的介电性能和耐击穿场强性能。
氧化掺杂铌酸锶钡基玻璃陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种钛酸锶镧基织构陶瓷、制备方法和热电转换元件-CN202111113357.7有效
发明人：秦梦婕;马俊 -专利权人：中国空气动力研究与发展中心低速空气动力研究所
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明适用于热电陶瓷技术领域，提供了一种钛酸锶镧基织构陶瓷、制备方法和热电转换元件，钛酸锶镧基织构陶瓷的化学成分复合化学通式为[SLAT‑yMe]‑aS3T，其中，SLAT为Sr(1本发明提供的钛酸锶镧基织构陶瓷具有取向性高、热电性能好的优势。
一种钛酸锶镧基织构陶瓷制备方法热电转换元件

[发明专利]一种镝掺杂三硼酸镧锶基白光荧光粉及其制备方法-CN201710388164.X在审
发明人：武秀兰;焦叶辉;任强;海鸥;林飞;李欢欢;白文妮 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种镝掺杂三硼酸镧锶基白光荧光粉，以Sr3La(BO3)3为基体，化学通式为Sr3La1‑x(BO3)3xDy，其中0.02≤x≤0.20，通过掺杂稀土离子Dy3+制备得到的镝掺杂三硼酸镧锶基白光荧光粉与近紫外芯片的发光二极管匹配，是一种发光性能优良的单一基体白光荧光粉；本发明还公开了其制备方法，将SrCO3、La2O3、H3BO3、Dy2O3混合研磨，在空气气氛下煅烧，保温，随炉冷却后再进行研磨，最后得到镝掺杂三硼酸镧锶基白光荧光粉
一种掺杂硼酸镧锶基白光荧光粉及其制备方法

[发明专利]一种铽掺杂三硼酸镧锶基绿光荧光粉及其制备方法-CN201710388153.1在审
发明人：武秀兰;焦叶辉;任强;海鸥;林飞;李欢欢;白文妮 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种铽掺杂三硼酸镧锶基绿光荧光粉，以Sr3La(BO3)3为基体，化学通式为Sr3La1‑x(BO3)3xTb，其中0.01≤x≤0.10，通过掺杂激活离子Tb3+，制备得到铽掺杂三硼酸镧锶基绿光荧光粉是一种发光性能优良的绿光荧光粉；本发明还公开了其制备方法，将SrCO3、La2O3、H3BO3和Tb4O7混合研磨，5％H2+95％Ar还原气氛下煅烧，保温，随炉冷却后再进行研磨，最后得到铽掺杂三硼酸镧锶基绿光荧光粉
一种掺杂硼酸镧锶基绿光荧光粉及其制备方法

[发明专利]一种镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的制备方法-CN201710209911.9有效
发明人：王传彬;吴兰;沈强;张联盟 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的制备方法。具体是：首先采用固相反应法制得镧锶锰氧粉体；然后分别称量镧锶锰氧粉体和氧化锌铝粉体，放入行星球磨机中，混合均匀；将混合粉置于等离子活化烧结炉中进行烧结，烧结条件为：烧结温度1000～1200℃、保温时间3～15min、烧结压力10～50MPa，最后得到镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷。本发明添加半导体氧化锌铝粉体第二相，利用其优化与镧锶锰氧基体晶粒间的界面效应、导电通道以及良好的助烧作用，能够显著提升镧锶锰氧陶瓷室温附近的低场磁电阻效应，0.5T低磁场下磁电阻≥14％。同时采用等离子活化烧结工艺，实现了镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的低温快速致密烧结(致密度>96％)。
一种镧锶锰氧氧化锌铝复相陶瓷制备方法

[发明专利]一种铝硅磷锶硼镧钛中间合金及制备方法-CN201710908583.1有效
发明人：樊振中;熊艳才;宫玉辉;孙刚;陆政 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C22C21/04 文献下载
摘要：本发明属于金属材料领域，涉及一种铸造铝硅合金用铝硅磷锶硼镧钛复合细化与变质中间合金及其制备方法。本发明的铝硅磷锶硼镧钛中间合金中各成分的质量百分数为：硅，12％～15％；磷，0.5％～1.5％；锶，3％～5％；硼，0.2％～0.4％；镧，1.5％～2.5％；钛，0.6％～1.0％；余量为铝。本发明铝硅磷锶硼镧钛中间合金的制备步骤如下：备料；粉碎；熔化；添加硼元素；添加锶镧钛元素；浇注。本发明提出了一种铸造铝硅合金用铝硅磷锶硼镧钛复合细化与变质中间合金及其制备方法，大大提高了中间合金在复杂合金成分条件下，其晶粒细化与硅相变质的效果和稳定性，满足了工程应用的需要。
中间合金铝硅镧钛制备铸造铝硅合金变质细化熔化金属材料领域质量百分数复合成分条件复杂合金工程应用晶粒细化硼元素钛元素备料浇注锶镧

[发明专利]一种含表面缺锶的镧锶金属氧化物的催化剂、制备及应用-CN202210277738.7有效
发明人：李杨 -专利权人：北京单原子催化科技有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种含表面缺锶的镧锶金属氧化物的催化剂、制备及应用。所述催化剂是由质量配比为0.001～0.05:1的酸性氧化物和镧锶金属氧化物共混煅烧后获得的一种表面缺锶的镧锶金属氧化物，具有深度不小于10nm的表面贫锶层。所述制备方法基于酸‑碱性氧化物界面中和机制，利用酸性氧化物与镧锶金属氧化物中的碱性氧化锶亚晶格进行反应，在表面制造出锶单原子空位，获得表面缺锶的镧锶金属氧化物阴极催化剂。所述催化剂既具有高晶格氧氧化还原活性，又避免服役过程中氧化锶在表面偏析造成的寿命衰减，作为固体氧化物燃料电池阴极展现出了高性能、高耐久、可规模化制备等特点。
一种表面金属氧化物催化剂制备应用

[发明专利]一种镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法-CN201010613934.4有效
发明人：陈莹;董显林;王根水;张帅 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜，为层状结构，是由钛酸锶铅薄膜层、镧锶锰氧薄膜层及基底层依次由上至下层叠而成。所述复合薄膜的制备是首先使用醋酸或醋酸和去离子水作为溶剂，制得稳定的镧锶锰氧前驱体溶液和钛酸锶铅前驱体溶液；再采用旋转镀膜法先在基底片上制备所需要厚度的镧锶锰氧薄膜，再在所制得的镧锶锰氧薄膜上制备所需要厚度的钛酸锶铅薄膜
一种镧锶锰氧钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种铈掺杂三硼酸镧锶基蓝光荧光粉及其制备方法-CN201710388129.8在审
发明人：武秀兰;焦叶辉;任强;海鸥;林飞;李欢欢;白文妮 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种铈掺杂三硼酸镧锶基蓝光荧光粉，以Sr3La(BO3)3为基体，化学通式为Sr3‑xLa(BO3)3xCe，其中0.01≤x≤0.15，通过掺杂激活离子Ce3+，制备得到铈掺杂三硼酸镧锶基蓝光荧光粉，是一种发光性能优良的蓝光荧光粉；本发明还公开了其制备方法，将SrCO3、La2O3、H3BO3和CeO2混合研磨，5％H2+95％Ar还原气氛下煅烧，保温，随炉冷却后再进行研磨，最后得到铈掺杂三硼酸镧锶基蓝光荧光粉
一种掺杂硼酸镧锶基蓝光荧光粉及其制备方法

[发明专利]一种铕掺杂三硼酸镧锶基绿光荧光粉及其制备方法-CN201710388048.8在审
发明人：武秀兰;焦叶辉;任强;海鸥;林飞;李欢欢;白文妮 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种铕掺杂三硼酸镧锶基绿光荧光粉，以Sr3La(BO3)3为基体，化学通式为Sr3‑xLa(BO3)3xEu，其中0.02≤x≤0.20，通过掺杂激活离子Eu3+，制备得到铕掺杂三硼酸镧锶基绿光荧光粉发光强度高，显色性好，是一种发光性能优良的绿光荧光粉；本发明还公开了其制备方法，将SrCO3、La2O3、H3BO3和Eu2O3混合研磨，空气气氛下煅烧，保温，随炉冷却后再进行研磨，最后得到铕掺杂三硼酸镧锶基绿光荧光粉
一种掺杂硼酸镧锶基绿光荧光粉及其制备方法

[实用新型]生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱-CN201621166699.X有效
发明人：李国强;朱运农;李筱婵 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型属于GaN纳米柱制备的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱。所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱包括铝酸锶钽镧衬底，生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱模板层，生长在GaN纳米柱模板层上的GaN纳米柱阵列所述铝酸锶钽镧衬底以(111)面偏(100)方向0.5
生长铝酸锶钽镧衬底 gan 纳米

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