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[发明专利]硼镓共掺单晶硅片及其制备方法和太阳能电池-CN201310140670.9有效
发明人：杨伟强;魏红军;冯立军;曹建民 -专利权人：晶澳太阳能有限公司;河北宁晋松宫半导体有限公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼镓共掺单晶硅片，在硼镓共掺单晶硅片中含有硼元素和镓元素，其中硼元素的浓度为10^14~16原子数/立方厘米，镓元素的浓度为10¹³~6×10¹⁶原子数/立方厘米，其降低了单独硼掺杂引起的硼氧复合体浓度，还公开了由上述硼镓共掺单晶硅片制成的硼镓共掺单晶硅太阳能电池，该电池具有与常规掺硼持平的转换效率，并且具有较低的LID水平，并进一步公开了上述硼镓共掺单晶硅片及电池的制备方法，该方法工艺简单，易操作，可规模化生产，不存在成本升高的问题。
硼镓共掺单晶硅及其制备方法太阳能电池

[发明专利]一种镓锗硼共掺单晶硅及其制备方法-CN201510492138.2在审
发明人：刘依依;葛文星;付少永;熊震 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种镓硼锗共掺单晶硅，属于半导体材料制作技术领域，其特征在于：在单晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为：镓元素1.02×10¹⁵-同时，本发明还公开了一种制备所述的镓硼锗共掺单晶硅的方法。本发明中的镓锗硼共掺单晶硅，大大降低或避免了硼氧复合体的产生，降低了电池的光致衰减；同时提高了电池片的机械强度；本发明提供的镓锗硼共掺单晶硅的制备方法简便，易操作，成本低可规模化生产。
一种镓锗硼共掺单晶硅及其制备方法

[发明专利]一种镓钪共掺氧化锌闪烁单晶及其制备方法-CN201510759743.1有效
发明人：任孟德;左艳彬;王金亮;周海涛;何小玲;陈超;张昌龙;林峰 -专利权人：中国有色桂林矿产地质研究院有限公司;桂林百锐光电技术有限公司
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种镓钪共掺氧化锌闪烁单晶及其制备方法。所述的镓钪共掺杂氧化锌闪烁单晶ZnO:Ga_XSc_Y同时含有Ga³⁺和Sc³⁺两种掺杂离子，其中，Ga³⁺在氧化锌闪烁单晶中的最终掺杂浓度X为1～1000ppm，Sc³⁺在氧化锌闪烁单晶中的掺杂浓度Y为10～10000ppm。所述的制备方法为以氧化锌为原料，采用水热法生长镓钪共掺杂氧化锌闪烁单晶。本发明所述的镓钪共掺氧化锌闪烁单晶闪烁及物理性能优异，而且易于生长得到大尺寸高质量单晶。
一种镓钪共掺氧化锌闪烁及其制备方法

[发明专利]一种镓锗硼共掺多晶硅及其制备方法-CN201510492035.6在审
发明人：刘依依;葛文星;付少永;熊震 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种镓硼锗共掺多晶硅，属于半导体材料制作技术领域，其特征在于：在单晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为1.02*10¹⁵-1.02同时，本发明还公开了一种制备所述的镓硼锗共掺多晶硅的方法。本发明中的镓锗硼共掺多晶硅，大大降低或避免了硼氧复合体的产生，降低了电池的光致衰减；同时提高了硅片的机械强度；本发明提供的镓锗硼共掺多晶硅的制备方法简便，易操作，成本低可规模化生产。
一种镓锗硼共掺多晶及其制备方法

[发明专利]硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法-CN201210465969.7有效
发明人：孙新利 -专利权人：孙新利
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法，包括如下步骤：（1）清洁；（2）将准备好的多晶硅及掺杂硼粉放入石英坩埚中；（3）用氩气多次冲洗单晶炉并抽真空；（4）开启加热器进行加温熔化多晶硅；（5）待多晶硅完全熔化，下调加热器功率，保持熔体熔化状态1455摄氏度；（6）向熔体内进行镓元素掺杂；（7）充分混合后，稳定熔体温度在1450摄氏度，并开始引晶、放肩、转肩、等径、收尾、冷却；（8）将单晶硅进行头尾割断本发明硼镓共掺的重掺P型硅单晶具有吸杂能力强，机械性能好，微缺陷少等优点，是优质的外延衬底和器件衬底。
硼镓共掺单晶硅生长掺杂方法

[发明专利]一种硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法-CN201210463980.X有效
发明人：孙新利 -专利权人：孙新利
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法，包括如下步骤：（1）清洁；（2）将准备好的多晶硅及掺杂硼粉放入石英坩埚中；（3）用氩气多次冲洗单晶炉并抽真空；（4）开启加热器进行加温熔化多晶硅；（5）待多晶硅完全熔化，下调加热器功率，保持熔体熔化状态1455摄氏度；（6）向熔体内进行镓元素掺杂；（7）充分混合后，稳定熔体温度在1450摄氏度，并开始引晶、放肩、转肩、等径、收尾、冷却；（8）将单晶硅进行头尾割断本发明硼镓共掺的重掺P型硅单晶具有吸杂能力强，机械性能好，微缺陷少等优点，是优质的外延衬底和器件衬底。
一种硼镓共掺单晶硅生长掺杂方法

[发明专利]一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法-CN202110186966.9在审
发明人：齐红基;赛青林 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法，掺Al氧化镓X射线探测器的制备方法包括步骤：提供掺Al氧化镓单晶；对所述掺Al氧化镓单晶进行切割处理得到单晶基体片；对所述单晶基体片进行退火处理得到退火的单晶基体片；在所述退火的单晶基体片上形成叉指电极得到掺Al氧化镓X射线探测器。本发明采用掺Al氧化镓单晶，通过在氧化镓中掺杂Al提高探测器的电阻率，并将掺Al氧化镓单晶切割后得到单晶基体片，并对单晶基体片进行退火处理，通过退火处理降低掺Al氧化镓单晶中自由电子浓度，从而提高探测器的灵敏度
一种 al 氧化射线探测器及其制备方法

[发明专利]一种硼-镓共掺准单晶硅及其制备方法-CN201110388683.9无效
发明人：黄新明;钟根香;明亮 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼-镓共掺准单晶硅，含有浓度为1×1014/cm3～5×1016/cm3的硼和/或磷以及浓度为1×1014～1×1018/cm3的镓。该准单晶硅可用于制造高效率的薄片太阳能电池；同时由于硼-镓共掺的作用，降低或避免了硼氧复合体的产生，从而降低了电池的光致衰减。本发明还公开了其制备方法，该制备方法简便，易操作，成本低，可规模化生产。
一种镓共掺准单晶硅及其制备方法

[发明专利]一种镓和锗共掺的直拉硅单晶-CN200910099993.1无效
发明人：杨德仁;余学功;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种镓和锗共掺的直拉硅单晶，含有浓度为1×10¹⁵～1×10¹⁷/cm³的镓，还含有浓度为1×10¹⁶在利用镓作为电活性掺杂剂避免光衰减的基础上，通过锗抑制硅单晶中原生微缺陷的形成，获得少子寿命比单独掺镓的硅单晶要高1倍以上的硅单晶，少子寿命最高达100μs，可用于高效率太阳电池的制备。同时，其机械强度比单独掺镓的硅单晶要高20％以上，室温断裂机械强度最高可达300N/mm²，应用于太阳能电池中时，硅片可以切得较薄，降低了太阳能电池的制造成本。
一种锗共掺直拉硅单晶

[发明专利]利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法-CN201811606677.4在审
发明人：张文霞;高润飞;高树良;谷守伟;裘孝顺;武志军;郭志荣;刘伟;张全顺 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法，将多晶硅和掺镓单晶硅回收料进行混合装料，熔融后进行单晶拉制，多晶硅和掺镓单晶硅回收料装料时，多晶硅与掺镓单晶硅回收料的质量比按能使合格电阻率区间最大化的比例配置本发明的有益效果是利用掺镓单晶硅回收料进行单晶硅棒的生产，利用固态的含镓回收料，代替了掺镓合金，不需在直拉单晶过程中再次补掺镓元素或合金，不仅提高了回收料的利用率，同时避免了资源的浪费，节省了原材料，降低了生产成本
回收料单晶硅多晶硅直拉单晶硅棒装料低光比例配置单晶硅棒单晶拉制直拉单晶电阻率质量比最大化镓合金镓回收镓元素熔融生产成本生产合金

[发明专利]基于掺镓单晶中镓含量的电阻率控制方法、系统及设备-CN202210603932.X有效
发明人：徐志群;汪奇;孙彬;邰文星;马伟萍 -专利权人：广东高景太阳能科技有限公司;青海高景太阳能科技有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G05B13/04 文献下载
摘要：本发明提供了基于掺镓单晶中镓含量的电阻率控制方法、系统及设备。该方案包括：设置掺镓单晶中的掺镓参考值初值，并通过传感器实时获得电阻率测量值；当电阻率测量值满足预设条件时，发出一级超限命令和二级超限命令；根据电阻率测量值的大小计算目标预测值；根据目标预测值进行在线分析，生成参考值增量和波动调整指令；根据掺镓参考值初值、参考值增量、一级超限命令、二级超限命令和波动调整指令，对掺镓单晶中的掺镓量参考值进行实时修正，根据修正后的掺镓量参考值控制掺镓单晶的电阻率波动。该方案提供通过掺镓单晶镓含量的计算和采集，解决因镓挥发损失造成的电阻率持续上升问题，将单晶的电阻率波动范围控制在1.0%内。
基于掺镓单晶中镓含量电阻率控制方法系统设备

[发明专利]硼-镓共掺单晶制备设备及其制备方法-CN202011578046.3有效
发明人：韩庆辉;张晓朋;赵聚来 -专利权人：晶澳太阳能有限公司;晶澳太阳能越南有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本公开涉及一种硼‑镓共掺单晶设备及其制备方法，所述设备包括单晶炉，二次加料装置，提拉装置和单独的加料小管，制备方法包括以下步骤：步骤S1：通过二次加料装置向单晶炉加入第一原料，所述第一原料包括以下组分：第一硅料80000‑120000重量份，掺硼合金80‑120重量份，纯镓0.5‑2重量份，熔化第一原料，熔化后的第一原料结晶得到第一单晶棒；从石英坩埚内取出第一单晶棒；步骤S2：通过二次加料装置向单晶炉加入第二原料，所述第二原料包括以下组分：第二硅料160000‑200000重量份，掺硼合金160‑200重量份，纯镓0.5‑2重量份，熔化第二原料，熔化后的第二原料结晶得到第二单晶棒。
镓共掺单晶制备设备及其方法

[发明专利]铝钪共掺杂的铁酸镓单晶及其制备方法和在温度传感器中的应用-CN202210061820.6在审
发明人：余野建定;王玲;武彤;李勤;汪超越;王慧;方婧红;贺欢;倪津崎;石云 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开一种铝钪共掺铁酸镓单晶及其制备方法和在温度传感器中的应用。所述铝钪共掺铁酸镓单晶的化学组成为AlzScyGax‑y‑zFe单晶具有高于室温的Tc温度，而且在Tc转变温度附近具有高灵敏的温度磁性变化曲线，单晶磁性随温度的变化发生迅速显著的变化，因而成为高灵敏温度‑磁性传感器的候选材料之一。
铝钪共掺杂铁酸镓单晶及其制备方法温度传感器中的应用

[发明专利]一种在晶体生长过程中控制掺镓直拉硅电阻率的方法-CN200910152971.7无效
发明人：余学功;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在晶体生长过程中控制掺镓直拉硅电阻率的方法，包括如下步骤：在真空或氩气保护下，融熔多晶硅，将镓熔入硅熔液中形成掺镓硅溶液，生长直拉硅单晶，在晶体生长过程中，当晶体的电阻率在1.2-1.0Ω·cm的时候，向剩余的掺镓硅溶液中掺入一定浓度的n型掺杂剂—磷，形成磷、镓共掺的硅溶液后继续生长，使得晶体的电阻率被重新调控到3.0Ω·cm，在晶体固化率达到80～90％时停止生长。向剩余的掺镓硅溶液中掺磷可进行若干次。本发明可以将掺镓直拉硅单晶后半部分的电阻率控制在1～3Ω·cm的范围，有利于增加硅材料在制备高效太阳电池过程的利用率，从而使得高效电池的制造成本大幅度降低，且操作简单，很容易在光伏产业大规模应用。
一种晶体生长过程控制掺镓直拉硅电阻率方法

[发明专利]一种掺镓单晶硅太阳电池及其制造方法-CN200810171923.8有效
发明人：李剑 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明同时公开了一种掺镓单晶硅太阳电池的制造方法，包括：对掺镓单晶硅按照电阻率的不同进行分类；对掺镓单晶硅片进行制绒及清洗；对根据电阻率分类并经过制绒及清洗后的所述掺镓单晶硅片进行扩散；刻蚀及沉积；金属化制程本发明还公开了一种利用上述制造方法制造的掺镓单晶硅太阳电池。本发明的有益效果在于，可有效、经济并且方便地降低或基本抑制光致衰减现象，能将单晶硅太阳电池的光致效率衰减控制在1％以内，同时降低了掺镓单晶硅电阻率分布不均对电池工艺带来的影响。
一种单晶硅太阳电池及其制造方法

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